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硫酸钾在混合体系中结晶过程的影响机制研究

1成核和生长机制通过对晶体过程中的立即成核和生长机制进行了广泛的研究。22.1结晶速率函数据单核生长机理:晶面的线生长速率可表示为=——频率因素(——溶解物质的体积)结晶速率与过饱和度的关系可用速率函数表示为:=——指晶体表面积——绝对过饱和度2.2b+s和bcf成长模型添加剂可以改变结晶热力学在溶液的性质或平衡浓度,也可以改变结晶动力学在改变晶体与溶液界面上液层特性。添加剂改变结晶行为的机理主要是添加剂吸附机理:添加剂与正常的成长单元相互竞争而吸附到晶体表面上,进而影响晶体生长方式出现晶面上的最终吸附位置有节点、台阶间的平台。当添加剂吸附到某一晶体表面上,使B+S或BCF成长模型中的热力学项,动力学项受到影响。成长模型为:BTS模型:其中β=π(r/kT)模型:R=C/δ其中成长模型的热力学参数是表面能。若吸附过程为等温平衡吸附,则添加剂的吸附则会使γ减小,γ的减小又导致二维成核模型:其中成核速率B增加和二维晶核临界半径的减小,而因此减小相邻螺旋台阶间的间距,基于这些模型基础上的生长速率R也随之增加。添加剂在节点、台阶或平台位置上的吸附将显著影响台阶的移动速率,从而降低了表面的成长速率。33.1试剂磺酸钠(分析方法)KCl(分析纯):重庆北碚化学试剂厂;(NHBaCrO十二烷基磺酸钠(分析纯):湛江化学试剂厂;十二烷基苯磺酸钠(分析纯):KI(分析纯):重庆化学试剂厂;盐酸(分析纯):重庆国营无机化学试剂厂;Na3.2分析测试离子:铬酸钡重量法。44.1结晶速率的影响试验条件:饱和液,50实验结果表明,结晶速率大小顺序依次为Na杂质引起晶形的变化,杂质的作用使结晶速率,过饱和度,溶解度等条件发生变化。当K4.2不同添加剂k的选择4.2.1k类试验条件:饱和液50通过以上数据,可发现当浓度KK4.2.2试验结果及讨论试验条件:添加剂,十二烷基磺酸钠;饱和溶液,10试验结果如表3及图1所示。由图1可以看出,当十二烷基磺酸钠浓度达到3.8×10试验结果表明,十二烷基磺酸钠对4.2.3苯磺酸钠十二烷基试验条件:添加剂,十二烷基苯磺酸钠;饱和溶液,10试验结果如表4及图2所示。十二烷基苯磺酸钠

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