《模拟电子技术》教学课件合集

《模拟电子技术》✩精品课件合集第X章XXXX模块1常用半导体器件第一次课的视频预习情况，你对自己的评价是非常认真认真一般没看/没看完ABCD提交投票最多可选1项看完第一次课的视频，你对本次内容的掌握程度是懂基本懂似懂非懂完全不懂ABCD提交投票最多可选1项你愿意参加《模拟电子技术》课程课改学习吗？愿意不愿意AB提交投票最多可选1项知识点回顾导体？特性？？绝缘体？特性？目录1234半导体基本知识PN结形成及特性二极管

二极管基本电路及分析方法5特殊二极管重点难点第一章常用半导体器件半导体？半导体材料有哪些？半导体的结构？一、半导体（semiconductors）第一章常用半导体器件将导电能力介于导体和绝缘体之间的一大类物质统称为半导体。大多数半导体器件所用主要材料是硅和锗。一、半导体（semiconductors）第一章常用半导体器件共价键covalentbond价电子在硅(或锗)的晶体中,原子在空间排列成规则的晶格。晶体中的价电子与共价键+4+4+4+4+4+4+4+4+4第一章常用半导体器件本征半导体？本征半导体的特点？本征半导体中的载流子有哪些？本征半导体中的载流子有什么特点？二、本征半导体(intrinsicsemiconductors)第一章常用半导体器件纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。在本征半导体中，由于晶体中共价键的结合力很强，价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚，晶体中不存在能够导电的载流子，半导体不能导电，如同绝缘体一样。二、本征半导体(intrinsicsemiconductors)1、在热力学温度零度（即T=0K）时特点：第一章常用半导体器件+4+4+4+4+4+4+4+4+4带负电的自由电子freeelectron带正电的空穴hole2、如果温度升高在原来的共价键位置留下一个空位，称之为空穴。少数价电子将挣脱共价键束缚成为自由电子。特点：第一章常用半导体器件+4+4+4+4+4+4+4+4+4半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。电子–空穴对第一章常用半导体器件半导体中载流子特点：在一定温度下电子–

空穴对的产生和复合达到动态平衡。在本征半导体中，两种载流子总是成对出现称为电子–空穴对本征载流子的浓度对温度十分敏感两种载流子浓度相等第一章常用半导体器件1、关于本征半导体描述正确的是_____。温度升高，自由电子和空穴数目都增加且增量相同。本征半导体中，自由电子是载流子，空穴不是载流子。本征半导体导电能力差ABCD提交温度升高，自由电子和空穴浓度都增加且增量相同。第一章常用半导体器件多选题1分杂质半导体？杂质半导体类型？三、杂质半导体第一章常用半导体器件N型半导体(N-typesemiconductor)P型半导体(P-typesemiconductor)杂质半导体：在本征半导体中掺入某种特定的杂质。三、杂质半导体类型：第一章常用半导体器件N型半导体如何形成？有何特点？P型半导体如何形成？有何特点？三、杂质半导体第一章常用半导体器件1.N型（或电子型）半导体(N-typesemiconductor)在4价的硅或锗中掺入少量的5价杂质元素+5+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子自由电子和空穴哪个多？怎么形成？第一章常用半导体器件在这种杂质半导体中，电子的浓度大大高于空穴的浓度。5价的杂质原子可以提供电子，所以称为施主原子。多数载流子majoritycarrier：自由电子（带负电）摻杂+热激发少数载流子minoritycarrier：空穴（带正电）热激发第一章常用半导体器件+3+4+4+4+4+4+4+4+4在硅或锗晶体中掺入少量的3价杂质元素，空位2.P型半导体(P-typesemiconductor)

自由电子和空穴哪个多？怎么形成？空位与空穴有什么区别？第一章常用半导体器件在这种杂质半导体中，空穴的浓度远高于自由电子的浓度。3价的杂质原子产生多余的空穴，起着接受电子的作用，所以称为受主原子。空位不带电，空穴带正电。多数载流子majoritycarrier：（带负电）自由电子=摻杂+热激发少数载流子minoritycarrier（带正电）空穴=热激发第一章常用半导体器件你来总结杂质半导体？三、杂质半导体第一章常用半导体器件在杂质半导体中：杂质浓度不应破坏半导体的晶体结构，多数载流子的浓度主要取决于掺入杂质的浓度；而少数载流子的浓度主要取决于温度。杂质半导体的优点：掺入不同性质、不同浓度的杂质，并使P型半导体和N型半导体以不同方式组合，可以制造出形形色色、品种繁多、用途各异的半导体器件。总结上页首页第一章常用半导体器件2、以下关于杂质半导体的描述，正确的是（）。P型半导体带正电，N型半导体带负电。在N型半导体中，空穴浓度大于自由电子浓度。在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。与多数载流子相比，少数载流子的浓度受温度影响大。ABCD提交第一章常用半导体器件多选题1分3.在杂质半导体中，温度变化时，__________。载流子的数目变化少子与多子浓度的变化相同。少子与多子变化的数目不相同；ABC提交第一章常用半导体器件单选题1分扩散运动？漂移运动？PN结？如何形成？四、PN结-++++++++++++-----------PN第一章常用半导体器件-++++++++++++-----------PN1.PN结中载流子的运动-++++++++++++-----------空间电荷区内电场扩散漂移第一章常用半导体器件2.PN结的形成-++++++++++++-----------空间电荷区内电场UD又称耗尽层，即PN结。最终扩散(diffusion)运动与漂移(drift)运动达到动态平衡，PN结中总电流为零。内电场又称阻挡层，阻止扩散运动，却有利于漂移运动。硅约为（0.6~0.8）V锗约为（0.2~0.3）V第一章常用半导体器件PN结的正偏？反偏？PN结特性？四、PN结NP-++++++++++++-----------第一章常用半导体器件NP-++++++++++++-----------RV外电场削弱了内电场有利于扩散运动，不利于漂移运动。正偏（forwardbias）：加正向电压+-U耗尽层内电场UD-U外电场第一章常用半导体器件NP-++++++++++++-----------RV正向电流空间电荷区变窄正偏（forwardbias）：加正向电压+-U耗尽层I结论：PN结处于正向导通(on)状态，正向等效电阻较小。第一章常用半导体器件+-U-++++++++++++-----------RV内电场

外电场UD+U

空间电荷区外电场增强了内电场有利于漂移运动，不利于扩散运动。反偏：加反向电压IPN第一章常用半导体器件+-U-++++++++++++-----------RV一定温度下，V超过某一值后I饱和，称为反向饱和电流IS

。内电场

外电场UD+U

空间电荷区结论：反向电流非常小，PN结处于截止(cut-off)状态。反偏：加反向电压I反向电流IS

对温度十分敏感。PN第一章常用半导体器件你来总结：PN结的特性？第一章常用半导体器件PN结正偏：P正N负PN结反偏：P负N正PN结的特性：单向导电性（正偏导通，反偏截止）总结上页首页第一章常用半导体器件4.当PN结达到动态平衡时，参与扩散运动的载流子数目______漂移运动的载流子数目。大于小于等于ABC提交第一章常用半导体器件单选题1分5.以下关于PN结的描述，正确的是（）。因电场作用所产生的运动称为扩散运动。PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。在PN结中，P区的电势比N区高。当PN结外加反向电压时，扩散电流大于漂移电流。ABCD提交第一章常用半导体器件单选题1分二极管？二极管符号？二极管类型？二极管的伏安特性？五、二极管第一章常用半导体器件二极管：PN结引出导线并封装。1.二极管的类型从材料分：硅二极管和锗二极管。对应N区对应P区点接触型二极管，工作电流小，可在高频下工作，适用于检波和小功率的整流电路。面接触型二极管，工作电流大，只能在较低频率下工作，可用于整流。开关型二极管，在数字电路中作为开关管。

二极管的符号阳极anode阴极cathode从管子的结构分：第一章常用半导体器件302010I/mAUD/V0.51.01.5201024-I/μАO正向特性死区电压IsUBR反向特性+-UDI2.二极管的伏安特性第一章常用半导体器件当正向电压超过死区电压后，二极管导通,电流与电压关系近似指数关系。硅二极管为0.7V左右锗二极管为0.2V左右死区电压正向特性0.51.01.5102030U/VI/mA0

二极管正向特性曲线硅二极管为0.5V左右锗二极管为0.1V左右死区电压：导通压降：

正向特性第一章常用半导体器件反偏时，反向电流值很小，反向电阻很大，反向电压超过UBR则被击穿。IS反向特性UBR结论：二极管具有单向导电性，正向导通，反向截止。反向饱和电流反向击穿电压

反向特性-2-4-I/μAI/mAU/V-20-100第一章常用半导体器件二极管方程：若|U|>>UT则I≈-

IS

式中：

IS为反向饱和电流

UT

是温度电压当量，

常温下UT近似为26mV。若U>>UT则

电压电流关系第一章常用半导体器件二极管的电容效应？在高频下，单向导电性还适用吗？五、二极管第一章常用半导体器件二极管除了具有单向导电性以外，还具有一定的电容效应。

势垒电容Cb由PN结的空间电荷区形成，又称结电容，反向偏置时起主要作用。扩散电容Cd由多数载流子在扩散过程中的积累引起，正向偏置时起主要作用。第一章常用半导体器件6.以下描述，正确的是（）。PN结外加正向电压变化时，结电容近似为扩散电容。PN结的单向导电性与外加电压频率无关。结电容是常量。ABC提交第一章常用半导体器件单选题1分二极管的参数有哪些？五、二极管第一章常用半导体器件主要参数

最大整流电流IF指二极管长期运行时，允许通过管子的最大正向平均电流。IF的数值是由二极管允许的温升所限定。

最高反向工作电压UR工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值，否则二极管可能被击穿。为了留有余地，通常将击穿电压UBR的一半定为UR

。第一章常用半导体器件室温条件下，在二极管两端加上规定的反向电压时，流过管子的反向电流。通常希望IR值愈小愈好。IR受温度的影响很大。

反向电流IRfM值主要决定于PN结结电容的大小。结电容愈大，则二极管允许的最高工作频率愈低。最高工作频率fM主要参数第一章常用半导体器件二极管的直流模型？请画出来。二极管的交流模型？请画出来。五、二极管第一章常用半导体器件二极管的直流模型第一章常用半导体器件理想模型：恒压源模型：折线模型：二极管的交流模型第一章常用半导体器件7.设二极管导通电压UD＝0.7V，图中所示电路的输出电压值为

UO3=____。0V2V1.3V-1.3VABCD提交第一章常用半导体器件单选题1分1、二极管电路如图所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压UAO。设二极管是理想的。[注意：写出求解过程]综合练习第一章常用半导体器件2、二极管电路如图所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压UAO。设二极管是理想的。[注意：写出求解过程]综合练习第一章常用半导体器件3、二极管电路如图所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压UAO。设二极管是理想的。[注意：写出求解过程]综合练习第一章常用半导体器件4、二极管电路如图所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压UAO。设二极管是理想的。[注意：写出求解过程]综合练习第一章常用半导体器件5、试判断图中二极管是导通还是截止，为什么？综合练习第一章常用半导体器件6、二极管电路如图所示，设输入电压ui(t)波形如图b所示，在0<t<5ms的时间间隔内，试绘出uo(t)波形。二极管为理想模型。综合练习第一章常用半导体器件7、二极管电路如图所示，设输入电压ui(t)波形如图b所示，在0<t<5ms的时间间隔内，试绘出uo(t)波形。二极管为恒压源模型（VD=0.7V）。综合练习第一章常用半导体器件8.电路如图所示，D1、D2为硅二极管，当ui=6sinωt(V)时，试用恒压源模型分析电路，绘出输出电压uo的波形。综合练习第一章常用半导体器件稳压管？特性？主要参数？使用时的注意事项？六、特殊二极管第一章常用半导体器件稳压管是一种面接触型二极管，与二极管不同之处：1.采用特殊工艺，击穿状态不致损坏；2.击穿是可逆的。符号及特性曲线如下图所示：ΔUΔI+-IUO

稳压管的伏安特性和符号ΔUΔI值很小有稳压特性阴极阳极第一章常用半导体器件1.稳定电压UZ：稳压管工作在反向击穿区时的工作电压。2.稳定电流IZ

：稳压管正常工作时的参考电流。3.动态内阻rZ

：稳压管两端电压和电流的变化量之比。

rZ=ΔU/ΔI4.电压的温度系数αU：稳压管电流不变时，环境温度对稳定电压的影响。5.额定功耗PZ

：电流流过稳压管时消耗的功率。主要参数：第一章常用半导体器件使用稳压管组成稳压电路时的注意事项：UORLVDZRUIIRIOIZ++--

稳压管电路稳压管必须工作在反向击穿区。稳压管应与负载RL并联。必须限制流过稳压管的电流IZ。第一章常用半导体器件9.电路如图所示，所有稳压管均为硅管，且稳定电压UZ=8V，设ui=15sinωt(V)，试绘出uo1的波形。综合练习第一章常用半导体器件10.电路如图所示，所有稳压管均为硅管，且稳定电压UZ=8V，设ui=15sinωt(V)，试绘出uo2的波形。综合练习第一章常用半导体器件总结我来总结：本次课所学内容？第一章常用半导体器件《模拟电子技术》上讲知识点回顾本征半导体？P型？N型?PN结？特性？二极管工作状态判断？

ABCD提交

二极管电路如图所示，试判断图中二极管是导通还是截止（），并求出AO两端电压UAO=（）。设二极管是理想的。

单选题2.5分PN结正偏时，多子的（

）运动较强，PN结变薄，结电阻较（

）。

扩散漂移小大ABCD提交第一章常用半导体器件多选题1分

当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（

）A多数载流子浓度增大B少数载流子浓度增大CD少数载流子浓度减小多数载流子浓度增大少数载流子浓度增大多数载流子浓度减小少数载流子浓度减小ABCD提交第一章常用半导体器件单选题1分

某只硅稳压管的稳定电压Vz=4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（

）+5v和-5v-5v和+4v+4v和-0.7v+0.7v和-4vABCD提交第一章常用半导体器件单选题1分

目录1234三极管的结构类型三极管的电流放大三极管的特性曲线

三极管的主要参数5放大电路主要性能指标重点难点第一章常用半导体器件重点1.3晶体三极管（BJT）第一章常用半导体器件一、三极管的结构及类型请1-3组在图中标出NPN管的三区、三极、两结，并画出其电路符号。请4-6组在图中标出PNP管的三区、三极、两结，并画出其电路符号。三极管的电路符号中，箭头的方向代表什么意义？1.3晶体三极管（BJT）第一章常用半导体器件总结：制作材料：分类：三极管又称为晶体管，双极型三极管。硅或锗NPN型cbecbePNP型箭头总是由P→N的！第一章常用半导体器件1.3晶体三极管（BJT）二、三极管的电流放大作用请简述三极管内部载流子的运动过程及三个电极电流的形成？RcVCCRbVBBecb发射极电流IEICIBICNIENIBNICBO集电极电流基极电流第一章常用半导体器件83RbRcVBBVCCecb发射极电流发射:发射区大量电子向基区发射。2.复合和扩散：电子在基区中复合扩散。3.收集：将扩散过来的电子收集到集电极。同时形成反向饱和电流ICBO。IEICIBICNIENIBNICBO集电极电流基极电流下页上页首页第一章常用半导体器件RbRcVBBVCCecbIEICIBICNIENIBNICBOIC

=

ICn+

ICBOIE

=

ICn+

IBnIB

=

IBn

-

ICBOIE

=

IC+

IB因此第一章常用半导体器件二、三极管的电流放大作用第一章常用半导体器件1.3晶体三极管1.3晶体三极管（BJT）85：共基直流电流放大系数。：共射直流电流放大系数。α=ICnIEβ=ΔiCΔiBα=ΔiCΔiE：共基交流电流放大系数。：共射交流电流放大系数。β1+βα

=β=α1-αα

和β满足或β=IC-

ICEOIB≈ICIB补充：

三极管的三种组态(c)共集电极组态，集电极作为公共电极，用CC表示。(b)共发射极组态，发射极作为公共电极，用CE表示；(a)共基极组态，基极作为公共电极，用CB表示；BJT的三种组态第一章常用半导体器件

第一章常用半导体器件1.3晶体三极管（BJT）RbRcVBBVCCecbIEICIBICNIENIBNICBO第一章常用半导体器件二、三极管的电流放大作用BJT三个电极电流之间的关系：IE=IC+IBIC

≈βIBIE=（1+β）IB空穴，单极自由电子，单极空穴和自由电子，双极空穴，双极ABCD提交

三极管有哪些载流子参与导电（

），故称作（

）型晶体管。单选题5.5分第一章常用半导体器件第一章常用半导体器件1.3晶体三极管（BJT）三、三极管的共射特性曲线uBEiB+-uCE=0VBBRbbec

三极管的输入回路1.输入特性iB=f（uBE）uCE=

常数请画出uCE=0时的三极管输入特性曲线。随着uCE的增大，输入特性曲线会向怎么移动？第一章常用半导体器件1.3晶体三极管（BJT）三、三极管的共射特性曲线uCE=0VuCE=2VuBE/ViB/μAO

三极管的输入特性uBEiB+-uCE=0VBBRbbec

三极管的输入回路第一章常用半导体器件第一章常用半导体器件1.3晶体三极管（BJT）三、三极管的共射特性曲线2.输出特性

请画出三极管共射输出特性曲线，并标出这三个工作区域。iC=f(uCE)iB=常数第一章常用半导体器件第一章常用半导体器件1.3晶体三极管（BJT）三、三极管的共射特性曲线2.输出特性iC=f(uCE)iB=常数iC/mAOuCE/ViB=80μА6040200饱和区放大区截止区三极管工作于这三个区域，各需要满足怎样的外部偏置条件？三个工作区各有什么特点？第一章常用半导体器件1.3晶体三极管（BJT）三、三极管的共射特性曲线截止区：发射结和集电结都反偏。iB≤0的区域，iC

≈0，

2.

放大区：发射结正偏，集电结反偏ΔiC=βΔiB

在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（

）。NPN型硅管NPN型锗管PNP型硅管

PNP型锗管ABCD提交第一章常用半导体器件单选题1分放大Vc>Vb>Ve放大Vc<Vb<Ve-+正偏反偏-++-正偏反偏+-总结：三极管工作于放大区时，三个电极电位之间的关系为：第一章常用半导体器件

在一放大电路中，测得某正常工作的晶体管三个电极的电位分别为9V、4V和3.4V，则3.4V的电极为该晶体管的（

），该晶体管是（

）管。集电极发射极硅锗ABCD提交第一章常用半导体器件E基极多选题1分

用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（

），该管是（

）型。（B、C、E）（E、C、B）（PNP）ACE提交第一章常用半导体器件B（C、E、

B）（NPN）D多选题1分管

号T1T2T3管

号T1T2T3管脚电位（V）①0.76.23电极名称①

②0610②

③533.7③

材

料

类

型

在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。第一章常用半导体器件

已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN或PNP）并在圆圈中画出管子。第一章常用半导体器件

在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的对地电位如图所示。试判断各晶体管的类型(是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。第一章常用半导体器件

在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的对地电位如图所示。试判断各晶体管的类型(是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。A：NPN硅管，3---c、2—b、1---eB：PNP硅管，1---c、2---b、3---eC：PNP锗管，1---c、2---e、3---b第一章常用半导体器件第一章常用半导体器件1.3晶体三极管（BJT）四、三极管的主要参数

共基直流电流放大系数αα=ΔiCΔiE

共基电流放大系数αβ

共射直流电流放大系数1.电流放大系数

共射电流放大系数ββ=ΔiCΔiBβ≈ICIBα=ICIE第一章常用半导体器件1.3晶体三极管（BJT）四、三极管的主要参数2.反向饱和电流

集电极和基极之间的反向饱和电流ICBO

集电极和发射极之间的穿透电流

ICEOICEO=（1+）ICBOβ两者满足第一章常用半导体器件1.3晶体三极管（BJT）四、三极管的主要参数3.极限参数a.集电极最大允许电流

ICMiC/mAOuCE/V三极管的安全工作区U(BR)CEOU(BR)CBOc.极间反向击穿电压b.集电极最大允许耗散功率

PCM过压区ICMU(BR)CEO安全工作区过流区过损耗区iCuCE=PCM

ABCD提交第一章常用半导体器件单选题4分1.3晶体三极管（BJT）第一章常用半导体器件五、放大的概念放大的对象？放大电路的本质？放大电路的基本特征？放大的前提？1.3晶体三极管（BJT）第一章常用半导体器件五、放大的概念放大的对象——变化量放大电路的本质——能量的控制和转换放大电路的基本特征——功率放大放大的前提——不失真1.3晶体三极管（BJT）第一章常用半导体器件六、放大电路的主要性能指标放大倍数(增益)输入电阻输出电阻1.3晶体三极管（BJT）第一章常用半导体器件六、放大电路的主要性能指标放大倍数A有哪些？如何定义的A=?IoIi放大电路Ri+-+-RsRoRL正弦测试电压

放大电路技术指标测试示意图Us+-Ui+-Uo负载电阻放大电路1.3晶体三极管（BJT）第一章常用半导体器件六、放大电路的主要性能指标放大倍数A（增益）有以下四种：电压增益电流增益互阻增益互导增益1.3晶体三极管（BJT）第一章常用半导体器件六、放大电路的主要性能指标IoIi放大电路Ri+-+-RsRoRL正弦测试电压

放大电路技术指标测试示意图Us+-Ui+-Uo负载电阻放大电路

1.3晶体三极管（BJT）第一章常用半导体器件六、放大电路的主要性能指标IoIi放大电路Ri+-+-RsRoRL正弦测试电压

放大电路技术指标测试示意图Us+-Ui+-Uo负载电阻放大电路通常希望Ri愈大愈好

1.3晶体三极管（BJT）第一章常用半导体器件六、放大电路的主要性能指标IoIi放大电路Ri+-+-RsRoRL正弦测试电压

放大电路技术指标测试示意图Us+-Ui+-Uo负载电阻放大电路

1.3晶体三极管（BJT）第一章常用半导体器件六、放大电路的主要性能指标IoIi放大电路Ri+-+-RsRoRL正弦测试电压

放大电路技术指标测试示意图Us+-Ui+-Uo负载电阻放大电路通常希望Ro愈小愈好

1.3晶体三极管（BJT）第一章常用半导体器件六、放大电路的主要性能指标IoIi放大电路Ri+-+-RsRoRL正弦测试电压

放大电路技术指标测试示意图Us+-Ui+-Uo负载电阻

1.3晶体三极管（BJT）第一章常用半导体器件六、放大电路的主要性能指标IoIi放大电路Ri+-+-RsRoRL正弦测试电压

放大电路技术指标测试示意图Us+-Ui+-Uo负载电阻

谢谢您的耐心聆听specialreportandworksummary《模拟电子技术》✩精品课件合集第X章XXXX模块2基本放大电路BJT结构及类型BJT的电流放大BJT特性曲线BJT的参数知识点回顾

c-e-b，NPN管c-e-b，PNP管c-b-e，NPN管c-b-e，PNP管ABCD提交单选题1分

b-e-c，PNP管b-c-e，NPN管c-b-e，PNP管c-b-e，NPN管ABCD提交单选题1分三极管各电极的电位如图所示，判断三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。截止区放大区饱和区ABC提交单选题1分目录1234基本共射放大电路的组成工作原理直流通路与交流通路静态工作点的近似估算5图解法重点难点第二章基本放大电路6微变等效电路法6重点画出基本共射放大电路图？电路中各元件的作用？什么是静态和动态？一、基本共射放大电路的组成第二章基本放大电路1、2、3组一、基本共射放大电路的组成第二章基本放大电路基本共射极放大电路基本放大电路各元件作用晶体管T--放大元件,iC=iB。要保证集电结反偏,发射结正偏,使晶体管工作在放大区。基极电源VBB与基极电阻Rb--使发射结处于正偏，并提供大小适当的基极电流。集电极电源VCC--为电路提供能量。并保证集电结反偏。集电极电阻RC--将变化的电流转变为变化的电压。一、基本共射放大电路的组成第二章基本放大电路基本共射极放大电路静态和动态

交直流并存！基本共射放大电路的工作原理？二、基本共射放大电路的工作原理第二章基本放大电路基本共射极放大电路基本共射放大电路的工作原理二、基本共射放大电路的工作原理第二章基本放大电路基本共射极放大电路在输入端加一Δui，将依次产生ΔuBE、ΔiB、ΔiC、ΔuCE

和Δuo

适当选择参数，Δuo可比Δui大得多，从而实现放大作用。组成放大电路应遵循的原则？二、基本共射放大电路的工作原理第二章基本放大电路二、基本共射放大电路的工作原理第二章基本放大电路放大电路的组成原则BJT必须工作在放大区Δui能够传送到三极管的基极回路,产生相应的ΔiB。ΔiC能够转化为ΔuCE,并传送到放大电路的输出端。第二章基本放大电路分析电路能否放大？（a）（b）第二章基本放大电路VCC极性接反，输入信号被短接。不能放大IB=0，BJT工作在截止状态不能放大二、基本共射放大电路的工作原理第二章基本放大电路基本共射放大电路的缺点？画出改进的共射放大电路？二、基本共射放大电路的工作原理第二章基本放大电路缺点两个直流电源输入输出不共地阻容耦合共射极放大电路什么是直流通路？画直流通路的原则？三、直流通路和交流通路第二章基本放大电路什么是交流通路？画交流通路的原则？直流通路：在直流电源作用下直流电流流经的通路，用于分析静态工作点。画直流通路的原则：电容视为开路；电感视为短路；信号源视为短路，保留其内阻。交流通路：在输入信号作用下交流电流流经的通路，用于分析动态工作点。画交流通路的原则：大电容视为短路；无内阻的直流电源视为短路。三、直流通路和交流通路第二章基本放大电路三、直流通路和交流通路第二章基本放大电路分别画出电路的直流通路和交流通路（a）（b）一、二、三组（a）图四、五、六组（b）图三、直流通路和交流通路第二章基本放大电路直流通路直流通路交流通路交流通路交流通路共射放大电路共集放大电路四、静态工作点的近似估算第二章基本放大电路什么是静态工作点？静态工作点包括哪些参数？外加输入信号为零时,，三极管的IBQ、UBEQ、ICQ（IEQ）、UCEQ在输入输出特性曲线上对应一个点------Q点

UBEQ可近似认为：硅管

UBEQ=(0.6~0.8)V锗管

UBEQ=(0.1~0.3)V四、静态工作点的近似估算第二章基本放大电路求静态工作点的方法？求静态工作点的方法近似估算法图解法四、静态工作点的近似估算第二章基本放大电路用近似估算法，求放大电路的静态工作点。一、二组（a）图，三、四组（b）图，五、六组（c）图（a）（b）（c）四、静态工作点的近似估算第二章基本放大电路求静态工作点阻容耦合共射极放大电路画直流通路IBQ

Rb

+

UBEQ

=

VCCICQ

Rc

+UCEQ

=

VCC四、静态工作点的近似估算第二章基本放大电路求静态工作点画直流通路IBQ

Rb

+

UBEQ+IEQ

Re

=

VCCICQ

Rc

+UCEQ

+IEQRe

=

VCC

第二章基本放大电路四、静态工作点的近似估算直流通路用图解法求放大电路的静态工作点？五、图解法——求静态工作点第二章基本放大电路（1）画直流通路（2）列输入回路的KVL方程（3）列输出回路的KVL方程五、图解法——求静态工作点第二章基本放大电路

首先，画出直流通路直流通路

列输入回路方程

列输出回路方程（直流负载线）

UCE=VCC－iCRc五、图解法——求静态工作点第二章基本放大电路

在输入特性曲线上，作出直线

，两线的交点即是Q点，得到IBQ。

在输出特性曲线上，作出直流负载线VCE=VCC－iCRc，与IBQ曲线的交点即为Q点，从而得到VCEQ

和ICQ。输入直流负载线输出直流负载线斜率为-1/RciB=80μА6040200试用图解法确定下图所示电路的静态工作点。1226QiC/mA0uCE/V4解：首先估算IBQ=40μAuCE

=

12-3

iCIBQ

=VCC-

UBEQRbIBQ输出回路方程IBQ

=

40μAICQ=2mAUCEQ=6V第二章基本放大电路VT+-ΔuCE+-ΔuCEMNΔiCΔiC

交流通路的输出回路RcRL第二章基本放大电路五、图解法——分析动态动态分析(估算动态技术指标)讨论对象是交流成分。交流负载线iB=80μA60402001226QiC/mA0uCE/V4直流负载线画法：过静态工作点Q

，作一条斜率为-1/（Rc//RL）的直线。ΔuCE=-Δic(RC//RL)交流负载线：描述放大电路的动态工作情况。T+-ΔuCE+-ΔuCEMNΔiCΔiC

交流通路的输出回路RcRL第二章基本放大电路五、图解法——分析动态QIBQ402060iB/μАuBE/V0iCOtiBOt0.7ΔuBEUBEQOtuBEOtuCEUCEQΔuCE0.720.68ΔiB放大电路动态工作情况交流负载线iB=80μА60402001226QiC/mA0uCE/V4直流负载线用图解法求放大电路的放大倍数假设IBQ附近有一个变化量ΔiB，在输入特性上找到相应的ΔuBE，在输出特性的交流负载线上找到相应的ΔiC和ΔuCE。则电压放大倍数：ΔuBEAu

=ΔuCE电流放大倍数：ΔiBΔiCAi

=第二章基本放大电路Au=ΔuBEΔuCE=4.5-7.50.72-0.68=-75负号表示uCE与uBE反相位7.54.5QIBQ402060iB/μАuBE/V0iCOtiBOt0.7ΔuBEUBEQOtuBEOtuCEUCEQΔuCE0.720.68ΔiB交流负载线iB=80μА60402001226QiC/mA0uCE/V4直流负载线第二章基本放大电路五、图解法——分析动态共射放大电路的波形如图，得出什么结论？第二章基本放大电路五、图解法——分析动态由右图可知：单管共射放大电路中，1.交、直流并存2.有电压放大作用3.有倒相作用第二章基本放大电路五、图解法——分析非线性失真什么是截止失真？如何消除？Q点过低对NPN管，截止失真波形uCE波形出现顶部失真提高Q点iCOuCEiCtOQuCEtOUCEQICQ截止失真uCE波形出现顶部失真。交流负载线iBQ点过低五、图解法——分析非线性失真提高Q点第二章基本放大电路五、图解法——分析非线性失真什么是饱和失真？如何消除？Q点过高降低Q点uCE波形出现底部失真对NPN管，饱和失真波形五、图解法——分析非线性失真饱和失真交流负载线iCOuCEQICQuCEtOUCEQuCE波形出现底部失真。iBQ点过高降低Q点第二章基本放大电路五、图解法放大电路的失真有哪些？如何消除失真？第二章基本放大电路五、图解法失真截止失真饱和失真为消除失真，必须保证使BJT工作在放大状态设置如图所示为放大电路及输出电压波形，由波形可知是（

）失真，若要使输出电压u0

波形不失真，则应（

）。截止失真，增大RB饱和失真，增大RB饱和失真，减小RB截止失真，减小RBABCD提交多选题EF

OuCEiC用图解法估算最大输出幅度QiB=0μАCDEABQ点应尽量设在交流负载线上线段AB的中点。若CD=DE，则否则交流负载线直流负载线第二章基本放大电路第二章基本放大电路五、图解法电路如图（a）所示，该电路的交直流负载线绘于图（b）中，试求：（1）电源电压VCC，静态电流IBQ、ICQ和管压降UCEQ的值；（2）电阻Rb、Rc的值；（3）输出电压的最大不失真幅度；（a）（b）直流负载线的斜率？交流负载线的斜率？第二章基本放大电路五、图解法直流负载线交流负载线第二章基本放大电路五、图解法图解分析法的优缺点？第二章基本放大电路五、图解法优点：直观、形象。有助于建立和理解交、直流共存，静态和动态等重要概念；有助于理解正确选择电路参数、合理设置静态工作点的重要性。能全面地分析放大电路的静态、动态工作情况。缺点：不能分析工作频率较高时的电路工作状态，也不能用来分析放大电路的输入电阻、输出电阻等动态性能指标。第二章基本放大电路六、微变等效法画出BJT的H参数简化等效模型？+-bce+-ΔuBEΔuCEΔiBΔiC第二章基本放大电路六、微变等效法BJT的H参数简化等效模型+-bce+-ΔuBEΔuCEΔiBΔiC+-+-rbeΔuBEΔiCβΔiBΔuCEΔiBecb第二章基本放大电路六、微变等效法画出放大电路的微变等效电路？一、二、三组（a）图四、五、六组（b）图（b）（a）第二章基本放大电路五、图解法第二章基本放大电路六、微变等效法求放大电路的动态参数？一、二、三组（a）图四、五、六组（b）图（b）（a）第二章基本放大电路六、微变等效法

若没有接负载第二章基本放大电路六、微变等效法若没有接负载第二章基本放大电路

第二章基本放大电路图解法优点:1.既能分析静态,也能分析动态的工作情况；

2.直观形象；

3.适合分析具有特殊输入/输出特性的管子；

4.适合分析工作在大信号状态下的放大电路。缺点:1.特性曲线存在误差；

2.作图麻烦,易带来误差；

3.无法分析复杂电路和高频小工作信号。微变等效电路法优点:1.简单方便。

2.适用于分析任何基本工作在线性范围的简单或复杂的电路。缺点:1.只能解决交流分量的计算问题。

2.不能分析非线性失真。

3.不能分析最大输出幅度。《模拟电子技术》上讲知识点回顾基本共射放大电路的基本原理放大电路的分析方法回顾上节知识已知共射放大电路的（１）画出直流通路（２）求Ｑ点（３）画交流通路（４）画h参数模型要求：请第一、二、三组展示完成ABCD提交电路的电压放大倍数为（）。单选题10分ABCD提交电路的输入电阻为（）。单选题10分ABC提交电路的输出电阻为（）。单选题单选题10分AB提交电路的信号源电压为（）。单选题单选题10分目录123静态工作点的稳定共集放大电路共基放大电路三种基本放大电路的比较第二章基本放大电路4２.４放大电路静态工作点的稳定第二章基本放大电路请说出(a),(b)两图的耦合方式？并说出稳定Q点的原理。(a)(b)(c)直流通路２.４放大电路静态工作点的稳定第二章基本放大电路稳定Q点的原理。(a)直接耦合(b)阻容耦合(c)直流通路２.４放大电路静态工作点的稳定第二章基本放大电路Ｑ点计算(a)(b)(c)要求：请第四、五、六组展示完成２.４放大电路静态工作点的稳定第二章基本放大电路Ｑ点计算２.４放大电路静态工作点的稳定第二章基本放大电路动态参数计算（１）画出交流通路和h参数模型；（２）ＡU，Ri，Ro(a)(b)要求：第一、二、三组－－图（a）第四、五、六组－－图（b）２.４放大电路静态工作点的稳定第二章基本放大电路动态参数计算（１）画出交流通路和h参数模型；（２）ＡU，Ri，Ro(b)２.４放大电路静态工作点的稳定第二章基本放大电路动态参数计算（１）画出交流通路和h参数模型；（２）ＡU，Ri，Ro(a)２.４放大电路静态工作点的稳定第二章基本放大电路１、电路优点？缺点？改进措施？２、稳定Ｑ点的方法？２.４放大电路静态工作点的稳定第二章基本放大电路１、电路优点：电压放大倍数温度性好。电路缺点：电压放大倍数小

。改进措施：把Re分成两个电阻

。２、稳定Ｑ点的方法：（１）引入直流负反馈（２）采用温度补偿２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路１.共集放大电路２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路１.共集放大电路计算Ｑ点：（１）画出直流通路（２）列出输入、输出回路ＫＶＬ（３）计算Ｑ点要求：请第一、二、三组展示完成已知β＝120，UBE=0.7V。２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路１.共集放大电路２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路１.共集放大电路计算动态参数：（１）画出交流通路（２）画出h参数模型（３）计算动态参数（rbe=1.6kΩ）要求：请第四、五、六组展示完成２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路１.共集放大电路共集放大电路的特点？２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路２.共基放大电路２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路２.共基放大电路计算Ｑ点：（１）画出直流通路（２）计算Ｑ点要求：请第四、五、六组展示完成２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路２.共基放大电路２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路２.共基放大电路计算动态参数：（１）画出交流通路（２）画出h参数模型（３）计算动态参数（rbe=３kΩ）要求：请第一、二、三组展示完成２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路２.共基放大电路２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路２.共基放大电路共基放大电路的特点？２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路３.三种接法的比较接法共射（ＣＥ）共集（ＣＣ）共基（ＣＢ）输入输出相位２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路３.三种接法的比较接法共射（ＣＥ）共集（ＣＣ）共基（ＣＢ）输入bbe输出cec相位反相同相同相２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路３.三种接法的比较２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路３.三种接法的比较２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路３.三种接法的比较２.５晶体管放大电路的三种接法第二章基本放大电路３.三种接法的比较设置输入电阻最小的电路是（）。（均为直接耦合放大电路）共射电路共集电路共基电路ABC提交单选题设置ABC提交单选题输出电阻最小的电路是（）。（均为直接耦合放大电路）共射电路共集电路共基电路设置ABC提交单选题高频特性最好的电路是（）。（均为直接耦合放大电路）共射电路共集电路共基电路设置ABC提交单选题输出电压与输入电压反相的电路是（）。（均为直接耦合放大电路）共射电路共集电路共基电路设置ABC提交多选题输出电压与输入电压同相的电路是（）。（均为直接耦合放大电路）（多选题）共射电路共集电路共基电路设置ABC提交多选题有电压放大作用的电路是（）。（均为直接耦合放大电路）（多选题）共射电路共集电路设置ABC提交多选题有电流放大作用的电路是（）。（均为直接耦合放大电路）（多选题）共射电路共集电路共基电路《模拟电子技术》静态工作点的稳定共集放大电路共基放大电路三种基本放大电路的比较知识点回顾回顾上节知识已知UBEQ=-0.7V，β=50，RS=500Ω，Rb=260kΩ，Re=RL=5.1kΩ，VEE=12V。（１）估算电路的静态工作点（２）求电压放大倍数、输入电阻

和输出电阻（３）若uS=200mv时，求uo要求：请第一、二、三组展示完成回顾上节知识已知β＝100，UBE=0.7V，

，RS=0，RL=∞。（１）求电压放大倍数（２）求输入电阻和输出电阻

要求：请第四、五、六组展示完成ABCD提交单选题对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电路的电压放大倍数大，可选用

组态；若希望带负载能力强，应选用

组态；若希望从信号源索取的电流小，应选用

组态；若希望高频性能好，应选用

组态。共射；共集；共基共基；共射；共集共射；共集；共基共集；共射；共基三种组态交流指标比较三种组态交流指标比较目录123场效应管的工作原理场效应管的特性曲线及参数场效应管放大电路静态工作点的设置方法第二章基本放大电路重点难点重点1.４场效应管第二章基本放大电路控制类型，单双极性，输入电阻等电极对应，放大作用等温馨提示温馨提示第二章基本放大电路区别：

1、场效应管是单极性器件，三极管双极性器件；2、场效应管是电压控制器件，三极管是电流控制器件；3、场效应管的G、S间电阻很大，三极管的B、E间导通电阻较小。场效应管与三极管的区别与联系联系：

1、场效应管也有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），可以对应于晶体管的e、b、c；2、场效应管也有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，可对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。3、都可作为放大器件，放大时场效应管应工作于恒流区，三极管应工作于放大区。。场效应管如何分类？场效应管分类第二章基本放大电路要求：请第一、二、三组展示完成第二章基本放大电路箭头的方向指向沟道则为N型，箭头的方向背向沟道则为P型；结型的栅极G与沟道间无绝缘隔离，MOS的栅极G与沟道间是隔离绝缘的；耗尽型的沟道是实线，增强型的沟道是虚线。第二章基本放大电路要求：请第四组回答栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用沟道最宽 沟道变窄沟道消失称为夹断uGS使G、S间PN结反偏，uGS变化可以控制导电沟道的宽度。UGS（off）239漏-源电压对漏极电流的影响uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大预夹断uGD＝UGS（off）VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。240uGD>UGS（off）uGD<UGS（off）用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。结型场效应管工作在恒流区的条件是什么？第二章基本放大电路要求：请第五组回答第二章基本放大电路结型场效应管工作在恒流区的条件是：uGS＞UGS（off）uGD<UGS（off）S端沟道未夹断D端沟道预夹断第二章基本放大电路要求：请第六组回答uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当uGS>uGS（th）时反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。SiO2绝缘层衬底耗尽层空穴高掺杂反型层大到一定值才开启244增强型MOS管uDS对iD的影响用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？iD随uDS的增大而增大，可变电阻区uGD＝UGS（th）,预夹断iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区刚出现夹断uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻245uGS＞UGS（th）第二章基本放大电路要求：请第一组回答第二章基本放大电路增强型MOS管工作在恒流区的条件是：uGS＞UGS（th）uGD<UGS（th）沟道已形成D端沟道预夹断第二章基本放大电路耗尽型MOS管耗尽型MOS管在uGS＞0、uGS＜0、uGS＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。加正离子小到一定值才夹断uGS=0时就存在导电沟道249第二章基本放大电路要求：请第二组回答第二章基本放大电路耗尽型MOS管工作在恒流区的条件是：小到一定值才夹断uGS＞UGS（off）uGD<UGS（off）S端沟道未夹断D端沟道预夹断各种场效应管各电极电压极性如何？场效应管分类第二章基本放大电路请各小组讨论总结uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？uGS＞0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？uGS＜0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？第二章基本放大电路N型uDS＞0，P型uDS＜0；结型的G、S间加反偏或零偏电压：N沟道uGS≤0，P沟道uGS≥0增强型的G、S间加正（或负）的电压：N沟道uGS＞0，P沟道uGS＜0耗尽型的G、S间可加正、负、零电压：

uGS极性任意3. 场效应管的分类

工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性

254

DSGS

增强型

绝缘栅型

结型

场效应管

耗尽型

P沟道(u 极性任意，u ＜0)

N沟道(uGS极性任意，uDS＞0)

P沟道(uGS＜0，uDS＜0)

N沟道(uGS＞0，uDS＞0)

P沟道（uGS≥0，uDS＜0)

N沟道(uGS

≤

0，uDS

＞0)uGS=0可工作在恒流区的场效应管有：结型、耗尽型uGS＞0才可工作在恒流区的场效应管有：

N沟道增强型uGS＜0才工作在恒流区的场效应管有：P沟道增强型转移特性要求：请第三组回答

常量DSiD

f(uGS)

U夹断电压漏极饱和电流转移特性GS(off))2UuGSiD

IDSS

(1

256场效应管工作在恒流区，iD几乎仅随uGS变化。N沟道结型场效应管转移特性第二章基本放大电路GS(off))2UuGSiD

IDSS

(1

结型、耗尽型转移特性表达式增强型转移特性表达式要求：请第四、五、六组做（a），第一、二、三组做（b）第二章基本放大电路如何由转移特性曲线分辨场效应管？请各小组讨论总结第二章基本放大电路由转移特性曲线分辨场效应管的方法是：第二章基本放大电路要求：请第一、二、三组展示完成第二章基本放大电路第二章基本放大电路要求：请第四、五、六组分别回答a、b、c第二章基本放大电路请各小组讨论总结输出特性267要求：请五、六组分别回答a、b漏-源电压对漏极电流的影响uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大预夹断uGD＝UGS（off）VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。268uGD>UGS（off）uGD<UGS（off）用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。结型场效应管工作在恒流区的条件是什么？

常量GSiD

f(uDS)

Ug-s电压控制d-s的等效电阻输出特性GSmUDS

常量

u

iDg

预夹断轨迹，uGD＝UGS（off）可变电阻区恒流区iD几乎仅决定于uGS击穿区夹断区（截止区）夹断电压IDSSΔi269D不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。低频跨导：输出特性270要求：请第四、五、六组做（a），第一、二、三组做（b）g-s电压控制d-s的等效电阻可变电阻区可变电阻区恒流区击穿区夹断区（截止区）IDSSΔi271D预夹断轨迹，uGD＝UGS（off）uGS＞UGS（off），G、S间未夹断uGD>UGS（off）），G、D间未夹断iD随VDD增大而增大，曲线斜率随uGS增大而增大恒流区可变电阻区恒流区iD几乎仅决定于uGS夹断区（截止区）IDSSΔi272D预夹断轨迹，uGD＝UGS（off）D端预夹断uGD＝UGS（off）uGD

≤

UGS（off）VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。D端预夹断以后uGS＞UGS（off）G、S间未夹断截止区可变电阻区恒流区击穿区夹断区（截止区）夹断电压IDSSΔi273DG、S间夹断