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芯片的减薄集成电路封装与测试目录/Contents01020304芯片的减薄工艺芯片减薄的目的常规的减薄工艺要求硅片背面减薄技术01芯片的减薄工艺芯片的减薄工艺在集成电路封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度，通过减薄或者研磨对芯片的衬底进行减薄。这一工艺过程称之为晶片背面减薄工艺，对应装备是晶片减薄机。不同尺寸晶片减薄机芯片减薄砂轮02芯片减薄的目的芯片减薄的目的通过减薄/研磨的方式对晶片衬底进行减薄，改善芯片散热效果。减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。TSOP的封装形式俯视图03常规的减薄工艺要求减薄工艺要求厚度要求通过减薄或者抛光硅片之后其厚度要达到80um-100um粗糙度粗糙度为：5-20nm平整度芯片表面平整度：±3um04硅片背面减薄技术主要技术

磨削、研磨化学机械抛光（CMP）干式抛光（DryPolishing）电化学腐蚀（ElectrochemicalEtching）湿法腐蚀（WetEtching）硅片背面减薄技术等离子辅助化学腐蚀（PACE）常压等离子腐蚀（ADPE）01硅片背面减薄技术是利用研磨膏以及水等介质在研磨轮的作用下，进行的一种减薄工艺，在这种工艺中硅片的减薄是一种物理处理的过程。磨削/研磨02硅片背面减薄技术化学和机械复合作用去除材料，硅片表面的损伤很小，缺点是材料去除率低、工作压力高。化学机械抛光（CMP）化学机械抛光原理化学机械抛光设备03硅片背面减薄技术干式抛光（DryPolishing）抛光机干式抛光研磨轮04硅片背面减薄技术湿法腐蚀（WetEtching）减薄技术中最为常用的有研磨/CMP/湿法腐蚀等。其中研磨的加工效率高

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