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文档简介

WordIGBT的结构及主要参数（IGBT）是InsulatedGateBipolarTransistor的缩写，翻译为绝缘栅双极（晶体管），是一种高性能功率（半导体）器件。它结合了（MOSFET）和双极晶体管的优点，具有MOSFET输入电阻低、双极晶体管输出（电流）大的特点，是目前常用的（高压）、大电流开关器件之一。

IGBT具有电压和电流能力强、开关速度快、（驱动电路）简单等优点，因此在（工业）、电力、交通等领域得到广泛应用。常见的应用包括电动汽车、（电力电子）设备、（电源）、（变频器）、UPS等。

IGBT的结构

左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极(即发射极E)。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极(即门极G)。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区(包括P+和P-区)(沟道在该区域形成)，称为亚沟道区(Subchannelregion)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Draininjector)，它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极(即集电极C)。

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴(少子)，对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

IGBT的主要参数

(1)集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压，一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。

(2)栅极-发射极额定电压UGE是IGBT栅极与发射极之间允许施加的最大电压，通常为20V。栅极的电压（信号）控制IGBT的导通和关断，其电压不可超过UGE。

(3)集电极额定电流IC是IGBT在饱和导通状态下，允许持续通过的最大电流。

(4)集电极-发射极饱和电压UCE是IGBT在饱和导通状态下，集电极与发射极之间的电压降。该值越小，则管子的功率损耗越小。

(5)开关频率在IGBT的使用说明书中，开关频率是以开通时间tON、下降时间t1和关断时间tOFF给出的，根据这些参数可估算出IGBT的开关频率，一般可达30～40kHz。在变频器中，实际使用的载波频

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