光刻工艺概述

*1第8章光刻工艺概述8.1光刻技术的发展8.2光刻工艺流程8.3光刻技术

*28.1光刻技术的发展8.1.1集成电路制造工艺流程回顾2、将硅片进行抛光以除去硅片表面的划伤和其它杂质，制备成一片近乎完整的硅衬底片。

1、将一个纯度为99.9999%的硅单晶棒切成硅片。

*38.1光刻技术的发展3、将硅片进行化学处理以便制备可以控制晶体管电流的源区和漏区。在硅片上涂上一层称为感光胶的光敏性材料膜。

*48.1光刻技术的发展4、对涂有感光胶的硅片，用分步重复曝光机的设备，通过掩膜板进行重复曝光。它能将芯片图形分步重复的曝光在整个硅片上。这种重复曝光过程与复印负性照片的过程相似。在显影过程中曝过光的区域感光胶留了下来，未曝过光的胶层被清除掉了。

*58.1光刻技术的发展５、掺杂杂质的原子如硼、砷等可以用注入技术来掺杂入硅原子中去，然后用热退火的方法使注入离子“活化”。感光胶层能阻挡杂质离子的注入，离子注入后的胶层可以用移胶的办法把它去掉，当要在硅片的其它区域掺杂别的杂质时，可以重复使用离子注入工艺。在随后的几道工艺中，还会多次用图形制备工艺（光刻工艺），但感光胶层这时可用作腐蚀掩膜用。

*68.1光刻技术的发展6、下一步是制备晶体管的栅极、淀积SiO2层并使之图形化（形成栅氧化层）之后淀积多晶硅和重掺杂多晶硅层，形成多晶硅栅。多晶硅栅对源区和漏区之间流动的电流起到象水龙头那样的“开”和“关”的作用。

*78.1光刻技术的发展7、制备工艺的其它部分是将晶体管的栅极、源极、漏极之间和对其它元件、对外部的连线用金属膜作连线将它们连起来。二氧化硅层是一种介质层，也是一种绝缘层，是用化学汽淀积(CVD)方法形成的，在CVD方法中所含某种材料的原子与淀积的受热硅片的表面发生反应，形成某种材料的固体薄膜。PVD又称溅射技术，是气体离子受电场加速并轰击靶材，使它的原子脱离靶材并溅落和积累在硅片上。

*88.1光刻技术的发展8、第3、4和5步工艺会反复多次使用，使SiO2层、金属层和其它材料层形成图形，以往成完整的电路设计。金属层（通常是铝和铜）是用CVD或PVD方法淀积的，经曝光光刻、腐蚀等工艺后形成薄的金属连线。对于复杂的芯片有时还要求用多金属层和通常所称的通孔进行垂直连线来形成复杂的芯片连线。

*98.1光刻技术的发展9、对于图形矩阵的硅片进行适当的切割、压焊，即成了封装好的芯片。引出适合的电学外引线。

*108.1光刻技术的发展8.1.2光刻技术基本原理光刻是现代IC制造业的基石，它能在硅片衬底上印制出亚微米尺寸的图形。

基本原理：将对光敏感的光刻胶旋涂在晶圆上，在表面形成一层薄膜，同时使用光刻版，版上包含着所要制作的特定层的图形信息，光源透过光刻版照射到光刻胶上，使得光刻胶选择性的曝光；接着对光刻胶显影，于是就完成了从版到硅片的图形转移。另外，剩余的光刻胶可以在下面的过程中，刻蚀或离子技术中，充当掩蔽层。

*118.1光刻技术的发展超大规模集成电路及SoC对光刻技术的要求高分辨率

随着集成电路集成度的不断提高，加工的线条越来越精细。在保证一定成品率前提下刻蚀出的最细光刻线条称为特征尺寸，特征尺寸反映了光刻水平的高低，同时也是集成电路生产线水平的重要标志。

*128.1光刻技术的发展高灵敏度的光刻胶

光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。在集成电路工艺中，为了提高产品产量，希望曝光速度越快越好。

*138.1光刻技术的发展低缺陷

一般集成电路的加工需要几十步甚至上百步工序，而在其中光刻大概要占10~20次，每次光刻都要尽量避免缺陷。对大尺寸晶圆的加工

大尺寸的晶圆对光刻技术要求更为苛刻。

*148.1光刻技术的发展精密的套刻对准因为最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶圆表面一层一层叠加建立起来的。图形定位的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确对准。如果每一次的定位不准，将会导致整个电路失效。

*15PMOSFETNMOSFETCrosssectionofCMOSinverterTopviewofCMOSinverterThemaskinglayersdeterminetheaccuracybywhichsubsequentprocessescanbeperformed.Thephotoresistmaskpatternpreparesindividuallayersforproperplacement,orientation,andsizeofstructurestobeetchedorimplanted.Smallsizesandlowtolerancesdonotprovidemuchroomforerror.

*168.2基本光刻工艺流程图形转移通过两步完成。首先，图形被转移到光刻胶层。光刻胶经过曝光后自身性质和结构发生变化（由原来的可溶性物质变为非可溶性物质，或者相反）。再通过化学溶剂（显影剂）把可以溶解的部分去掉，在光刻层下就会留下一个孔，而这个孔就是和掩膜版不透光的部分相对应

*178.2基本光刻工艺流程

其次，把图形从光刻胶层转移到晶圆上。这一步是通过不同的刻蚀方法把晶圆上没有被光刻胶保护的部分的薄膜层去掉。这时图形转移就彻底完成了。如图所示。

*184:1Reticle1:1Mask投影掩模版(Reticle):石英板，包含了在晶圆上重复生成的图形。由一个晶体管或多个晶体管组成。光掩模版（Mask），也是石英板，包含了对于整块硅片某一工艺层上所有晶体管加工信息。

*19LinewidthSpaceThicknessSubstratePhotoresist

*208.2基本光刻工艺流程

如果掩膜版的图形是由不透光的区域决定的，称其为亮场掩膜版；而在一个暗场掩膜版中，掩膜版上的图形是用相反的方式编码的，如果按照同样的步骤，就会在晶圆表面留下凸起的图形（？）。暗场掩膜版主要用来制作反刻金属互联线。

*21亮场掩模版和暗场掩模版Simulationofcontactholes(positiveresistlithography)Simulationofmetalinterconnectlines(positiveresistlithography)ClearFieldMaskDarkFieldMask

*228.2基本光刻工艺流程

刚才介绍了对光有负效应的光刻胶，称为负胶。同样还有对光有正效应的光刻胶，称为正胶。用正胶和亮场掩膜版在晶圆表面建立凸起图形的情况如图所示。

右图显示了用不同极性的掩膜版和不同极性的光刻胶相结合而产生的结果。通常是根据尺寸控制的要求和缺陷保护的要求来选择光刻胶和掩膜版极性的。

*23UltravioletlightIslandAreasexposedtolightbecomecrosslinkedandresistthedeveloperchemical.Resultingpatternaftertheresistisdeveloped.WindowExposedareaofphotoresistShadowonphotoresistChromeislandonglassmaskSiliconsubstratePhotoresistOxidePhotoresistOxideSiliconsubstrate负性光刻

*24正性光刻photoresistsiliconsubstrateoxideoxidesiliconsubstratephotoresistUltravioletlightIslandAreasexposedtolightaredissolved.Resultingpatternaftertheresistisdeveloped.ShadowonphotoresistExposedareaofphotoresistChromeislandonglassmaskWindowSiliconsubstratePhotoresistOxidePhotoresistOxideSiliconsubstrate

*25正性光刻和负性光刻的区别负性光刻：产生和掩模版相反的图形正性光刻：产生和掩模版相同的图形DesiredphotoresiststructuretobeprintedonwaferWindowSubstrateIslandofphotoresistQuartzChromeIslandMaskpatternrequiredwhenusingnegativephotoresist(oppositeofintendedstructure)Maskpatternrequiredwhenusingpositivephotoresist(sameasintendedstructure)

*268.2基本光刻工艺流程八步基本的光刻工艺

*278)Developinspect5)Post-exposurebake6)Develop7)HardbakeUVLightMask

4)AlignmentandExposureResist2)Spincoat3)Softbake1)VaporprimeHMDS

*28光刻轨道系统

*298.3光刻技术8.3.1表面准备为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘结，必须进行表面处理，包括三个阶段：微粒清除、脱水和涂底胶。

*308.3光刻技术微粒清除

虽然光刻前的每一步工艺（氧化、掺杂等）都是在清洁区域完成的，但晶圆表面有可能吸附一些颗粒状的污染物，所以必须给以清除。微粒清除方法见下图

*31Resistliftoff

*328.3光刻技术脱水烘焙

经过清洁处理后的晶圆表面可能会含有一定的水分（亲水性表面），所以必须脱水烘焙使其达到清洁干燥（憎水性表面），以便增加光刻胶和晶圆表面的黏附能力。

*338.3光刻技术保持憎水性表面通常通过下面两种方法：

一是保持室内温度在50℃以下，并且在晶圆完成前一步工艺之后尽可能快的进行涂胶。另一种方法是把晶圆存储在用干燥并且干净的氮气净化过的干燥器中。

*348.3光刻技术

除此之外，通过加热也可以使晶圆表面恢复到憎水表面。有三种温度范围：

150～200℃（低温），此时晶圆表面会被蒸发。到了400℃（中温）时，与晶圆表面结合较松的水分子会离开。当超过750℃（高温）时，晶圆表面从化学性质上讲恢复到了憎水性条件。通常采用低温烘焙，原因是操作简单。

*358.3光刻技术涂底胶

涂底胶的目的是进一步保证光刻胶和晶圆表面的粘结能力。底胶的选择必须保证一个很好的黏附和平滑的表面。

底胶的作用是从化学上把晶圆表面的水分子系在一起，因此增加了表面的黏附能力。方法有：沉浸式旋转式蒸汽式

各有优缺点，使用时根据具体情况选择。

*368.3光刻技术一般的材料：六甲基乙硅氮烷（hexa-methyl-disila