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磁阻效应一基础知识介绍1857年，英国物理学家威廉•汤姆逊（WilliamThomson）发现了磁阻效应（Magnetoresistanceeffect）。磁阻效应是指半导体在外加磁场作用下电阻率增大的现象。当半导体受到与电流方向垂直的磁场作用时，由于半导体中载流子的速度有一定的分布，某些速度的载流子，霍尔电场的作用与洛伦兹力的作用刚好抵消，这些载流子的运动方向不偏转，而大于或小于此速度的载流子，运动方向发生偏转，导致沿电流方向的速度分量减小，电流变弱，从而电阻率增加。本实验研究锑化铟片的电阻与磁感应强度变化的关系。二实验仪器锑化铟片、电磁铁（具体参数见仪器）、稳压电源（5V）、恒流源、滑线式电桥、检流计、滑动变阻器、电阻箱（0～100000Ω）、万用表、双刀开关、单刀开关以及导线若干。锑化铟样品示意图：（a）锑化铟片，为外加磁场的磁感应强度，IS为通过锑化铟片的工作电流（b）锑化铟片管脚图三实验内容：1）利用给定的实验仪器进行设计和实验。2）画出测量框图。3）线圈的励磁电流在0~0.800A之间，测量20组以上磁阻数据。4）在坐标纸上标出关系的实验数据点，根据实验数据点图，分析与的关系。其中是不加磁场时的电阻，是加磁场后的电阻与不加磁场时电阻的差值，B以特斯拉（T）为单位。5）当工作电流方向为1，3方向时，测量2，4方向的电阻。线圈的励磁电流在0~0.800A之间，在坐标纸上标出关系图。四．注意事项：锑化铟片的工

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