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低维体系中的电子-低维体系中的电子-量子受限效低维体系中的弹道输-Landauer-Büticker理Length宏观(毫米)介观(微米）：Length宏观(毫米)介观(微米）：无限无限深量子准二维，近自由电子V(r)(r)E2*)(r)准二维，近自由电子V(r)(r)E2*)(r)eik//r//(z)2kE(z)eikik2V(z) // zz2k V(z)(z)(E //)(z)2z准二维，近自由电子2kV(z)(z)(E 准二维，近自由电子2kV(z)(z)(E //)(z)2z2k //2L(r)L准二维，近自由电子2k // EED(E)E准二维，近自由电子2k // EED(E)E2dkk22kEkdkA EkA2 E准一维，近自由电子V(r)(r)E2*z(r)eikzz(x,准一维，近自由电子V(r)(r)E2*z(r)eikzz(x,2k zz22L(r)ik LzLLLD(E)m,n–channel量子点接量子点接__二维二维和一维C材低维体系中的电子-低维体系中的电子-量子受限效低维体系中的弹道输-Landauer-Büttiker理弹道输运下电子分布函弹道输运下电子分布函f(z,k,t)vkf(k0)f(k0)准一维体系的电2e(n,k,r)(n,kILLL2e(n,k,r)(n,kfII准一维体系的电2e(n,k,r)(n,kILLL2e(n,k,r)(n,kfIILLLRn2e(n,k,r)fLLn2ef(E) f(E(n,LEne2eMIf(E(n,GRRVhn半导体量子点接Conductance半导体量子点接ConductanceB.J.vanWeesetal,PRL,60,848–850(1988)DAWharametal,J.Phys.C:SolidStatePhys.21L209MetalPointJ.M.vanRuitenbeekgroup,Nature,395,783HideakiOhnishiMetalPointJ.M.vanRuitenbeekgroup,Nature,395,783HideakiOhnishietal,Nature,395,780注意结构尺度：半导~微米金~纳米2k zzLandauer公假设Landauer公假设lowballisticResistance=Contact存在散射的情存在散射的情有限偏压有限偏压，非零总电流Buttiker公多个电极这里当所有电极电压相同时电流为零Buttiker公多个电极这里当所有电极电压相同时电流为零电导矩阵散射矩散射矩散射矩阵的维度:每个leada,b幺正电荷守恒幺正电荷守恒根据薛定谔方程我们有所以根据薛定谔方程我们有所以举例：举例：δ势举例：δ势举例：δ势举例：δ双势举例：δ双势散射矩阵散射矩阵的组路径的路径的叠电阻的定电阻的定相干叠相干叠电阻随样品长度的变电阻随样品长度的变样品电阻随长度增加以指数增加非相干叠T1 2 T非相干叠T1 2 T R 样品电阻随长度增加线性增加！相

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