晶体二极管及应用练习题

第一题晶体二极管及应用练习题填空题。1、物质按其导电性能分为、、。2、半导体具有、、。3、本征半导体是指的半导体。其内部自由电子数空穴数。4、自由电子带一个单位的电荷，空穴带一个单位的电荷，它们电性，电量。5、运载电荷，形成电流的微粒称为。6、半导体中的载流子有和两种。7、N型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种型半导体。其内部自由电子数空穴数。8、P型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种型半导体。其内部自由电子数空穴数。9、在一块本征半导体基片上，采用特殊方式，使一边形成P型半导体区域，另一边形成N型区域，在P区和N区交界面附近形成一个特殊薄层。这个薄层就是。10、PN结的内电场方向是。11、如果给PN结加上电压称为给PN结以。12、假设PN结的P区接电源的极，N区接电源极，称为正向偏置，简称；假设PN结的P区接电源的极，N区接电源极，称为反向偏置，简称。13、PN结的特性是。即。14、二极管的内部结构，究其本质而言，它就是一个。15、二极管的伏安特性是指：。16、在直角坐标系中，用横轴表示，纵轴表示。将流过二极管的电流随偏置电压变化而变化的关系特性，以曲线的形式描述出来，这个曲线称为。17、二极管的正向特性是指：在偏置电压作用下，流过二极管的电流随电压变化而变化的关系特性。其正向特性是：在正偏压较低〔即：低于〕时，正向电流，近似为，这个区域称为。在此区域内，正向电流正偏压变化而变化，其等效电阻；当正偏压大于后，流过二极管的正向电流随正偏电压变化而变化，此区域为，其等效电阻。在此区域，二极管两端的正偏电压变化不大，近似为一个固定值，硅管约为，鍺管约为。18、二极管的反向特性是指：在偏置电压的作用下，流过二极管的随电压的变化而变化的关系特性。其反向特性是指：在反偏压较低〔即低于〕时，流过二极管的反向电流，近似为，这个区域称为。在此区域内流过二极管的反向电流反偏压变化，其等效电阻。当反偏压大于后，流过二极管的反向电流，此区域称为。在此区域内，流过二极管的反向电流随反向偏压的变化而变化，其等效电阻。19、由上述17、18题分析可知，①、流过二极管的电流与二极管两端所加的偏置电压的变化关系是不成比例，在坐标系中描述的曲线，故二极管被称为元件。②、二极管正偏导通是有的，并不是只要加上正偏压就，而是加上正偏压且大于后导通。20、稳压二极管工作于状态；发光二极管工作于状态；光敏二极管工作于状态；变容二极管工作于状态，且等效电容量越小。21、用万用表判断半导体的电极，测试性能时，是用万用表的量程档，万用表在电阻档时，它相当于一个，且红表笔是极，黑表笔是极。22、二极管正负极的判断：将万用表置于量程档，注意，然后将红、黑表笔分别与二极管两电极相接：假设指针偏转角度较大〔大于表盘1/2〕，其等效电阻，说明二极管处于偏，那么与黑表笔相接的是极，与红表笔相接的是极；假设指针偏转较低〔小于表盘1/2〕，甚至不动，其等效电阻，说明二极管处于偏，那么与黑表笔相接的是极，与红表笔相接的是极。23、将转换为的电路称为电路，常见的整流电路有、、三种。24、整流电路的作用是。25、将中的成份滤掉的电路称为滤波电路，常见的滤波电路有、、。26、电容滤波是将滤波电容与负载联，这只电容是的电容。它是利用电容的特性来滤波的，它向提供电流，带负载能力。27、电感滤波是将滤波电感与负载联，它是利用电感的特性滤波的，它向负载提供的电流，带负载能力。28、用万用表R×100测得二极管的电阻为600Ω，那么与红表笔相接的电极为。29、用万用表测得二极管的正反向电阻均接近0，说明该二极管已，假设测得二极管的正反向电阻均为无穷大，说明该二极管已。30、复试滤波的滤波效果比单一的电容或电感的滤波效果好，其中的滤波效果最正确。二、选择题。1、以下哪个不是半导体的特性〔〕。A光敏性B热敏性C湿敏性D掺杂性2、半导体少数载流子产生的原因是〔〕。A外电场B内电场C外界激发D掺杂3、半导体多数载流子产生的原因是〔〕。A外电场B内电场C外界激发D掺杂4、半导体内部的载流子是〔〕。A空穴B自由电子C正负离子D空穴和自由电子5、以下几种类型的半导体，哪种不含杂质〔〕。A本征半导体BP型半导体CN型半导体DPN结6、自由电子数多于空穴数的半导体是〔〕。A本征半导体BP型半导体CN型半导体DPN结7、PN结特点是〔〕。A导电性B不导电性C单向导电性D双向导电性8、声控灯中使用的半导体器件是利用了半导体的〔〕。A光敏性B热敏性C掺杂性D压敏性9、小区住房楼梯的触摸开关控制楼道灯的亮暗是利用半导体的〔〕。A光敏性B热敏性C掺杂性D压敏性10、现有A、B、C、D四只二极管，他们的反向漏电流分别如下，那么哪只二极管的性能最好〔〕。AIA=6μABIB=9μACIC=12μADID=16μA11、在P型半导体中〔〕。A自由电子多于空穴B没有空穴C没有自由电子D自由电子少于空穴12、把电动势为1.5ⅴ的干电池以正向直接接到一个硅二极管的两端，那么该管〔〕。A电流为0B电流根本正常C击穿D电流过大而烧毁13、二极管的两端加上正向电压时〔〕。A一定导通B超过死区电压才能导通C超过0.7V才能导通D超过0.3V才能导通14、某二极管的反向击穿电压为150V，那么其最高反向工作电压为〔〕。A约小于150VB约大于150VC约等于150VD等于75V15、某型号二极管的最大整流IOM=500mA,那么该二极管的实际电流不能〔〕。A大于500mAB等于500mAC小于500mAD无法确定16、图一给出了硅二极管和锗二极管的典型伏安特性曲线，其中硅二极管的伏安特性曲线是〔〕。AAODBAOCCBODDBOCR(一)17、图二所示电路中，工作于正常导通状态的硅二极管是〔〕。R(一)10VVD7V10VVD7VDCBA-100VVD-50V5VVD4V10VVD9.8V(二)(二)A18、图三中三个二极管的正向压降均忽略不计，A三个灯的规格一样，那么最亮的灯是〔〕。AMBNCL〔三〕D无法确定〔三〕19、二极管的伏安特性曲线表示二极管〔〕之间的关系。A电流与电阻B电压与电阻C电流与电压D电压与时间20、当硅二极管加上0.3V的正向偏压时，该二极管相当于〔〕。A小阻值的电阻B大阻值的电阻C开关的断开D开关的接通21、用万用表测二极管的正反向电阻来判断二极管的性能好坏，性能优良的二极管应该是〔〕。A正反向电阻都等于0B正反向电阻都无穷大C正反向电阻悬殊不大D反向电阻远远大于正向电阻22、整流时，二极管承受反向电压出现在二极管〔〕。A截止时B导通时C由截止转导通时D由导通转截止时23、在单相桥式整流电容滤波电路中，变压器次级电压u2，当负载开路时，那么输出电压为〔〕。AUO=0.45U2BUO=0.9U2CUO=1.2U2DUO=1.4U224、在单向桥式整流电路中，假设其中任意一只二极管内部断路，〔或虚焊接触不良〕，产生的后果是〔〕。AUO不变BUO上升CUO下降D烧毁电源25、在单相桥式整流电路中，假设其中任意一只二极管内部短路，产生的结果是〔〕。AUO不变BUO上升CUO下降D烧毁电源26、在单向桥式整流电路中，假设输出电压为45V，那么此二极管承受的反向工作电压不小于〔〕。A100VB50VC100VC50V27、整流电路加电容滤波后，以下说法正确的选项是〔〕。A二极管的导通时间变长B二极管导通时间变短C二极管导通时间不变D无法判断2８、整流电路加电容滤波后，以下说法正确的选项是〔〕。Ａ输出电压提高B输出电压降低C输出电压不变D无法确定２９、图四中的滤波电路正确的选项是〔〕。CDBACDBA(四)(四)三、判断题〔正确的打√，错的打×并改正〕。1、半导体的导电性能随外界温度、光照或掺杂不同而发生变化。〔〕2、绝缘体是绝对不导电的物体。〔〕3、掺杂特性是半导体区别于导体的一个重要特征。〔〕4、P型半导体是在本征半导体中掺入6价元素，而形成的一种杂质型半导体。〔〕5、N型半导体是在本征半导体中掺入2价元素，而形成的一种杂质型半导体。〔〕6、P型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。〔〕7、N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。〔〕8、PN结内电场的方向是由P区指向N区。〔〕9、在半导体内部，只有电子参与导电。〔〕10、二极管只要加上正偏电压一定导通。〔〕11、硅二极管加上正偏压0.4V就能导通。〔〕12、二极管正向导通后，其正向管压降约为0.7V。〔〕13、用万用表测二极管反向电阻时，插在标有“+”号插孔中的红表笔应接二极管的正极。〔〕14、用万用表的不同电阻档测量二极管的正向电阻，读数都一样。〔〕15、通常硅二极管的正向电压降比锗二极管大，反向饱和电流比锗管小。〔〕16、发光二极管正偏导通后能发光。〔〕17、任何类型二极管均可工作在反向的击穿区。〔〕18、变容二极管工作在反偏状态，且反偏压越大等效电容的容量越大。〔〕19、单相桥式整流电路中流过二极管的电流和流过负载的电流相等。〔〕20、在相同的输入电压条件下，单相桥式整流电路输出的直流电压是半波整流输出电压的2倍。〔〕21、在输出直流电压相等的条件下，单相桥式整流和半波整流中二极管承受的反偏压相同。〔〕22、在单相半波整流电路中，将二极管正、负对调，就能使输出直流电压的极性改变。〔〕23、电容滤波电路中C越大，滤波效果越好。〔〕24、电容滤波电路，在开始通电的瞬间，有较大的充电电流冲击整流二极管，容易造成整流二极管损坏。〔〕25、电容滤波电路RL越小，滤波效果越差，所以电容滤波电路带负载能力差。〔〕26、电感滤波电路中，L越大滤波效果越好，但L越大会使电路体积大、笨重、本钱变高。〔〕27、复式滤波比任何一个单一的滤波电路的滤波效果好。〔〕四、作图题。1、画出普通二极管、发光二极管、光敏二极管、稳压二极管、变容二极管的电路符号并标出正负极。2、画出二极管的伏安特性曲线，并标出各区域，简述各区域特性。3、画出硅稳压二极管构成的单向稳压电路，并简述稳压原理。4、画出单相半波整流、单相桥式整流电路图，简述其工作原理，画出输入、出波形图。5、画出单相半波整流电容滤波电路图，并简述电容滤波原理，画出输入、出电压波形图。6、画出单相桥式整流电感滤波电路，并简述电感滤波原理。7、画出电源组成框图与各局部电压波形图，并简述各局部作用。五、名词解释。1、导体2、绝缘体3、半导体4、本征半导体5、N型半导体6、P型半导体7、PN结8、扩散运动9、漂移运动10、偏置11、正偏12、反偏3、二极管的伏安特性14、二极管的伏安特性曲线15、死区电压16、饱和电流17、反向击穿18、击穿电压19、电击穿20热击穿21、最大整流电流IOM22、最高反向工作电压URM23、整流24、整流电路25、滤波26、滤波电路27、光电流28、暗电流六、简答题。1、半导体有哪些特性，各特性的含义？2、N型半导体为什么称为电子型半导体？3、P型半导体为什么称为空穴型半导体？4、二极管为什么是非线性元件？七、分析题。1、试分析PN结的单向导电性。2、假