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文档简介
杂质半导体中的载流子统计
杂质半导体中的载流子统计
杂质能级上的电子和空穴
n型半导体的载流子浓度
杂质半导体中的载流子统计
杂质半导体中的载流子统计
n型半导体的载流子浓度低温弱电离区：施主杂质只有少数部分电离，本征激发完全可忽略
杂质半导体中的载流子统计
n型半导体的载流子浓度低温弱电离区：施主杂质只有少数部分电离，本征激发完全可忽略
杂质半导体中的载流子统计
n型半导体的载流子浓度强电离区：施主杂质大部分电离，而本征激发仍可忽略在该区间内，载流子浓度与温度无关。载流子浓度等于杂质浓度的这一温度范围称为饱和区。绝大多数半导体器件都工作在该温度区间。
杂质半导体中的载流子统计
n型半导体的载流子浓度
杂质半导体中的载流子统计
n型半导体的载流子浓度过渡区：本征激发相对杂质电离所提供的电子不能再忽略
杂质半导体中的载流子统计
n型半导体的载流子浓度联立方程解得
杂质半导体中的载流子统计
n型半导体的载流子浓度高温本征区：本征激发产生的载流子数远高于杂质电离产生的载流子数注意：1.一旦达到本征激发区，载流子浓度则会随着温度的变化迅速变化，此时对于绝大数器件来说，将不能正常工作。2.达到本征激发区的温度与掺杂浓度紧密相关，杂质浓度越高，达到本征激发区的温度越高。
杂质半导体中的载流子统计
n型半导体的载流子浓度N型半导体费米能级与温度的关系
杂质半导体中的载流子统
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