微电子工艺学A智慧树知到期末考试答案章节答案2024年上海大学

微电子工艺学A智慧树知到期末考试答案+章节答案2024年上海大学不同晶向的衬底外延生长速率也不相同，（100）面最快。（）

答案:对封装工艺不需要很高的洁净度。（）

答案:对分子束外延是一种化学沉积过程。()

答案:对Intel公司只设计芯片，不制造芯片。（）

答案:错硅的解理面为（111）面。（）

答案:对没有化学机械抛光就没有现代集成电路的发展。（）

答案:对将单个芯片从晶圆整体中分离出来后：（）

答案:作为多芯片模块的一部分###置入一个保护性的封装体中###直接安装在印制电路板上硅外延层的好处（）

答案:提高电路速度###完美的可控硅层###提高器件集成度###提高了少子寿命硅的解理面为（）

答案:（111）Al的电阻率为（）

答案:下面哪种材料属于下一代互连材料（）

答案:碳纳米管抛光垫的分类中不包括的是哪个？（）

答案:金属下面哪个工艺适合微米级器件的掺杂？（）

答案:扩散美国联邦标准209E规定中，空气级别数是指在一立方英尺中所含直径为（）微米或更大的颗粒总数。

答案:0.3微米分子束外延是一种物理沉积过程。()

答案:对离子注入工艺可以实现超浅结掺杂（）

答案:对封装工艺中引线框架的主要材料是铜。（）

答案:对离子注入是一个物理过程，不发生化学反应。（）

答案:对扩散工艺会对器件产生严重损伤。（）

答案:错反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。（）

答案:错中子嬗变掺杂方法的工业应用是硅中掺硼。()

答案:错引线焊接是封装工艺中最为关键的一部工艺。（）

答案:对离子注入提供了一种向硅中掺入具有精确剂量或能量的特定杂质原子的方法。()

答案:对热氧化过程中产生的界面电荷不影响器件的可靠性。（）

答案:错一级封装按材料分（）

答案:陶瓷封装###塑料封装###金属封装银浆在封装中的作用（）

答案:散热作用###导电作用###将裸片固定在电路板上化学气相沉积方法有（）

答案:常压化学气相沉积###低压化学气相沉积###等离子增强化学气相沉积光刻机工艺因子或分辨率常数为（）。

答案:0.5~0.7用于刻蚀的离子束能量范围是（）。

答案:E＜10KeV注入损伤与以下哪个参数无关（）？

答案:注入离子的温度浸没式光刻机中，第一代浸没液体为（）

答案:水投影光刻物镜的数值孔径为（）。

答案:0.28~0.82离子注入工艺所用的液态离子金属源是（）

答案:Ga化学气相沉积可制作金属，非金属及多成分合金薄膜。（）

答案:对反刻是一种传统的平坦化技术，但它不能够实现全局平坦化。（）

答案:对替位式扩散的速度比间隙式扩散的速度快得多。()

答案:错优质单晶材料的制备是第一个晶体管发明的基础。（）

答案:对扫描电镜测不准样品中氢元素的含量。（）

答案:对封装工艺中，去溢料的目的在于去除固化后在管体周围引线之间多余的溢料。（）

答案:对以降解反应为主的光刻胶称为负性光刻胶。（）

答案:错

答案:错二道光检主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。（）

答案:错摩尔定律是基于一定的物理理论提出的。()

答案:错集成电路制造工艺过程中，Cu的制备是采用溅射法。（）

答案:错芯片越厚，封装后越不容易碎裂。（）

答案:错目前应用较广泛的接触材料是硅化物。（）

答案:对离子注入工艺产生的横向扩散比较大。（）

答案:错主流工艺平台化工艺是化学机械抛光。()

答案:对离子注入后，大多数注入离子聚集在硅材料表面附近，可通过退火向下扩散。（）

答案:错

答案:物理测量###光学测量###电学测量IC互连金属化引入铜的优点有（）

答案:电阻率的减小###功耗的减少###更高的集成密度###更少的工艺步骤Al/Si接触的改进方法有：（）

答案:铝-掺杂多晶硅双层金属化结构###铝-阻挡层结构###铝-硅合金金属化引线离子注入改变材料的（）

答案:光学性质###化学性质###物理性质影响封装的芯片特性的有（）。

答案:物理的脆弱度###集成度###晶片厚度###尺寸直拉法生长单晶硅时，坩埚的要求（）

答案:高强度###不熔解或微熔###高物理稳定性，以下哪个公司是高端光刻机的主要供应商？（）

答案:ASML光刻机中承载掩模版运动的设备，运动控制精度是（）

答案:纳米级常用的MOSFET栅电极材料是（）

答案:重掺杂多晶硅1mil（密尔）等于（）

答案:0.0254毫米低压化学气相沉积方法的气压范围（）

答案:1torr＞P＞10mtorr；特种气体的纯度要求为（）。

答案:6个9以下关于离子注入临界计量的说法争确的是：（）

答案:注入离子的能量越大，则临界剂量越小下面哪个选项不是扩散的工艺参数？（）

答案:横向分布浓度下面缺陷类型中不属于面缺陷的是()

答案:位错集成电路制造中所涉及的器件主要是（）。

答案:CMOS晶体管碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。（）

答案:对IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。

答案:特征线宽等有关尺寸缩小α倍,电路速度可增加α倍,###特征线宽等有关尺寸缩小α倍,单元电路的功耗下降α2倍,###特征线宽等有关尺寸缩小α倍,而单位芯片面积的功耗不变CE定律发展面临的问题（）。

答案:阈值电压不可能缩的太小###工艺实现存在问题###电源电压标准的改变会带来很大的不便###源漏耗尽区宽度不可能按比例缩小纳米器件的基本特征有（）。

答案:量子尺寸限域效应###量子遂穿效应###库伦阻塞效应下面哪个不是单电子晶体管的特点？（）

答案:制备工艺简单三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。（）

答案:对去溢料的方法主要有弱酸浸泡和高压水冲洗。（）

答案:对下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？()

答案:二光检查芯片粘接的工艺过程包括（）。

答案:银浆固化###点银浆###芯片粘接影响封装芯片特性的温度有（）。

答案:集成度###热敏感度###物理的脆弱度###热的产生封装工艺中，银浆固化的温度为()。

答案:175度金属化中可选用的金属材料有（）。

答案:铝###铜###银###金最早使用的金属化材料是（）。

答案:铝互连工艺中AL的制备可选用（）。

答案:PVD###CVD进行沟槽填充常用的金属材料是（）。

答案:钨互连工艺中铝和硅可以互溶。（）

答案:对CMP的设备构成包括（）。

答案:夹持设备###抛光液###抛光垫新的平坦化方法有哪几个？（）

答案:固结磨料CMP技术###无应力抛光技术###电化学机械平坦化技术###无磨粒CMP技术化学机械抛光是一种全局性的抛光技术。（）

答案:对没有化学机械抛光，就不可能生产甚大规模集成电路芯片。（）

答案:对化学机械抛光液的主要成分不包括的是哪个？（）

答案:还原剂光刻工艺对准误差包括：（）。

答案:转动###X或Y方向的平移光刻工艺的特点包括：（）

答案:决定特征尺寸的关键工艺###光刻与芯片的价格和性能密切相关###复印图像和化学作用相结合的综合性技术曝光波长越短约好。（）

答案:对进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

答案:HF结尾的清洗工艺光刻工艺的设备核心是（）。

答案:对准和曝光干法刻蚀工艺中不存在化学反应。()

答案:错刻蚀过程中聚合物形成的来源有：（）。

答案:光刻胶###刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物下列选项哪个不是干法刻蚀优点？（）

答案:设备便宜刻蚀参数有：（）。

答案:刻蚀速率###均匀性###刻蚀偏差###选择比刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移?()

答案:光刻化学气相沉积是在超高真空条件下进行反应。()

答案:错分子束外延制备薄膜主要是在衬底上发生化学反应。（）

答案:对蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖，但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。（）

答案:错常压的硅外延方法有（）：

答案:四氯化硅氢还原法###硅烷热分解法###二氯氢硅烷法###三氯氢硅氢还原法物理气相沉积方法有（）。

答案:磁控溅射###电子束蒸发###热蒸发低剂量离子注入不会产生损伤。（）

答案:错注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关?（）

答案:温度如果注入离子的半径较小，它沿着敞开的晶体方向注入时，沟道效应更加显著。（）

答案:对当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为（）。

答案:临界剂量掺杂后，退火的目的是（）。

答案:提高掺杂均匀性###实现电激活###修复损伤掺杂后退火时间一般在（）。

答案:30~60分钟下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）

答案:Ag###Au###Cu掺杂的浓度范围为（）。

答案:只有存在空位扩散时，才能发生推填隙扩散。（）

答案:对填隙扩散的特点有（）。

答案:对硅掺杂水平无直接贡献###填隙型杂质扩散很快空位扩散是替位型杂质的主要扩散机制之一。（）

答案:对扩散工艺用于形成（）。

答案:深结湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

答案:95度重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速度快。（）

答案:对晶向（111）硅单晶氧化速率将比（100）稍慢。（）

答案:错鸟嘴效应造成的不良影响有（）。

答案:有效栅宽变窄###电容增加消除鸟嘴效应的方法有（）。

答案:硅暴露在空气中，则在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）

答案:25nm下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）

答案:浓度美国用离子交换法制取95%纯水。（）

答案:对如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？()

答案:融解的氧气美国联邦标准209E按一立方英尺中存在的颗粒大小和密度定义空气净化标准。()

答案:对目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）

答案:注氧隔离法###智能剥离法###键合再减薄技术物理提纯法制备多晶硅过程中，硅参加了化学反应。（）

答案:对金刚石结构的立方晶胞空间利用率为74%。（）

答案:对硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）

答案:精馏金刚石结构的立方晶胞空间利用率为34%。（）

答案:错下列哪个杂质允许在硅中存在的？()

答案:Cu硅的四种掺杂方式有以下几种？（）

答案:离子注入###原位掺杂###扩散掺杂法###中子嬗变掺杂如下选项那个不是离子注入工艺过程中，减少沟道效应的措施（）