《模拟电子技术与应用》课件二极管的伏安特性-优化

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学习目标了解1、湿度对二极管伏安特性的影响1、二极管的伏安特性掌握一、二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性方程当T=300(27C)：二极管的伏安特性温度的电压当量反向饱和电流UT

=26mV玻尔兹曼常数电子电量1.正向特性二极管的伏安特性iD

=0Uth=

0.5V

0.1V(硅管)(锗管)uD

UthiD急剧上升0uD

Uth

UD(on)

=(0.6

0.8)V硅管0.7V2.反向特性-U(BR)

0iD=IS<0.1

A(硅)

几十

(锗)3.反向击穿特性uD

<-U(BR)反向电流急剧增大(反向击穿)OuD/ViD/mA正向特性Uth反向特性IS-U(BR)反向击穿死区电压二极管的伏安特性反向击穿类型：电击穿—PN结未损坏，断电即恢复热击穿—PN结烧毁反向击穿原因：齐纳击穿：反向电场太强，将电子强行拉出共价键。

(击穿电压<6V，负温度系数)雪崩击穿：反向电场使电子加速，动能增大，撞击使自由

电子数突增。(击穿电压>6V，正温度系数)击穿电压在6V左右时，温度系数趋近零。4、硅管与锗管特性比较：二极管的伏安特性死区电压和导通电压大，反向电流小，单向导电性和温度稳定性好硅管的伏安特性锗管的伏安特性604020–0.02–0.0400.40.8–25–50iD

/mAuD/VUthIsiD

/mAuD

/V0.20.4–25–5051015–0.01–0.020UthIs死区电压和导通电压小，反向电流大，单向导电性和温度稳定性较差。二、温度对二极管伏安特性的影响当环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反向特性将下移。二极管的伏安特性–50I/mAU

/V0.20.4–2551015–0.01–0.020温度增加二极管的

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