GB/T 41652-2022 刻蚀机用硅电极及硅环（正式版）

ICS29.045国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会IGB/T41652—2022本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、新美光(苏州)半导体科技有限公司、浙江海纳半导体有限公司。1GB/T41652—2022刻蚀机用硅电极及硅环1范围行文件以及订货单内容。本文件适用于p<100>直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200mm～450mm的硅电极及硅环。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文本文件。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1551硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555半导体单晶晶向测定方法GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T14264半导体材料术语GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法3术语和定义GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1平面度flatness硅电极或硅环厚度的最大值与最小值之间的差值。4技术要求硅电极及硅环的电学参数应符合表1的规定。2GB/T41652—2022导电类型(掺杂剂)电阻率径向电阻率变化p(B)65～854.2几何尺寸硅电极及硅环的几何尺寸应符合表2的规定，如有特殊要求由供需双方协商确定。表2几何尺寸几何尺寸硅电极硅环直径”及允许偏差(200mm～450mm)±0.2mm,具体直径根据刻蚀机型号确定厚度允许偏差士0.1mm平面度定位孔直径允许偏差士0.1mm倒角b硅电极的直径倒角和硅环的内外径倒角通常为R型，长度及允许偏差为0.3mm±0.1mm微孔倒角形状及长度由供需双方协商确定微孔直径及允许偏差0.5mm±0.1mm—内径允许偏差—+8.2mm同心度—垂直度硅环的直径指外径。定位孔的倒角为保护性倒角，其倒角形状、长度无具体要求。4.3晶向及晶向偏离度硅电极及硅环的晶向为<100>,晶向偏离度应不大于1°。硅电极及硅环的间隙氧含量应不大于1.2×10¹⁸cm-³(以原子数计，即24ppma),或由供需双方协商确定。4.5碳含量硅电极及硅环的代位碳含量应不大于5×10¹⁶cm-³(以原子数计，即1ppma),或由供需双方协商3GB/T41652—2022确定。油污。5试验方法5.1.1硅电极及硅环导电类型的测试按GB/T1550的规定进行。5.1.2硅电极及硅环电阻率的测试按GB/T1551中直排四探针法的规定进行。5.1.3硅电极及硅环径向电阻率变化的测试按GB/T11073的规定进行，也可按供需双方协商确定的度测量还可用带刻度的放大镜进行。硅电极及硅环晶向及晶向偏离度的测试按GB/T1555的规定进行。硅电极及硅环间隙氧含量的测试按GB/T1557的规定进行。硅电极及硅环代位碳含量的测试按GB/T1558的规定进行。硅电极及硅环晶体缺陷的测试按GB/T1554的规定进行。硅电极及硅环表面粗糙度的测试按GB/T29505的规定进行。硅电极及硅环表面质量的测试按GB/T6624的规定在强光灯下目视进行。4GB/T41652—20226检验规则6.1检查和验收6.1.2需方可对收到的产品按本文件的规定进行检验，若检验结果与本文件或订货单的规定不符表3取样检验项目取样/测试位置取样数量技术要求的章条号试验方法的章条号导电类型供需双方协商确定每批产品随机抽取5%,且不少于1个试样4.15.1.1电阻率在产品的表面每批产品随机抽取5%,且不少于1个试样4.15.1.2径向电阻率变化在产品的表面每批产品随机抽取5%.且不少于1个试样4.15.1.3几何尺寸—供需双方协商确定4.2晶向及晶向偏离度在产品的表面每批产品随机抽取1个试样4.3氧含量在硅单晶的头部切取1个试样，当不能区分头尾时，在硅单晶的两端各取1个试样4.4碳含量在硅单晶的尾部切取1个试样，当不能区分头尾时，在硅单晶的两端各取1个试样4.5晶体缺陷在硅单晶的尾部切取1个试样，当不能区分头尾时，在硅单晶的两端各取1个试样4.6表面粗糙度供需双方协商确定每批产品随机抽取1个试样4.7表面质量供需双方协商确定4.85GB/T41652—20226.5检验结果的判定6.5.1导电类型、晶向及晶向偏离度的检验结果中如有任一试样的任一检验项目不合格时，判该批产不合格时，则对不合格的项目按照表3中对应的规定进行重复试验，重复试验结果仍有不合格者，判