SJ-T 11818.3-2022 半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范

半导体紫外发射二极管第3部分：器件规范I前言 引言 12规范性引用文件 11半导体紫外发射二极管第3部分：器件规范本文件规定了半导体紫外发射二极管(以下简称器件)的术语和定义、分类、技术要求、检验方法、检验规则，以及标志、包装、运输和储存要求。本文件适用于峰值波长范围在200nm～400nm器件的制造和使用，峰值波长400nm～420nm的器件可参照执行。2规范性引用文件仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T2423k-2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验低温GB/T|242%3+2016电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试恒定湿热试验GB/I2423.1b-2008电工电子产品环境试验_第2部分试验方法试验Fe振动(正弦)GB/2023.2-2012环境试验第2部分：试验方法验N:温度变化GB/20S23-2013环境试验第2部分：试验方法验Q:密封GB/I2423.28-2016电上电子产品环境试验第2部分，式验方法试验上锡焊GB/T242351-2012环境试验一第2部分：试验方法试验Ke:流动混合气体腐蚀试验GB/T28282012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T2000.52004电工术语照明GB31026-993光及有关电磁辐射的量和单位GB/T45891-2006GB/T4937.1-2018半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性GB/T15651—995,米导体器件分立器件和集成电路第5部分光电子器件GB/T37031—2018半导体照明术语SJ/T11394—2009半导体发光拿极管测试方法SJ/T11818.1—2022半导体紫外发射二极管第1部分：测试方法3术语和定义列术语和定义适用于本文件。紫外辐射ultravioletradiation波长小于可见辐射波长的光学辐射。按照紫外辐射波长，通常分为以下三类：b)UV-B:280nm<λ≤315nm;c)UV-C:200nm<λ≤280nm。2UVLEDIeλ光谱半宽spectrumwidthofhalfvalue半强度角half-intensityangle在辐射图中，辐射(或发光)强度等于或大于最大值的一半所对应的夹角(见图1)。3Te在器件温度基准点上所测得的温度值，诊基准点一般为器件管浇或引出端也可以是制造商专门设定的温度测量点标注见附录A。应充分评估所用封装材料的抗紫外辐射性能，材料选用见附录B。5.2外观b)金属表面无氧化、变色(适用时);f)胶体与支架无剥离(适用时)。4AV允许耗散功率或VT.或T℃℃2sX=串联芯片数。即，反向电压为串联芯片数的5倍。规定焊接温度、焊接时间和最多焊接次数，必要时用温度-时间曲线图表示。(按规格书要求)见6.2.1×××V见6.2.1VR=V一 ×××××××e×××%峰值波长×××光谱半宽×一半强度角×××oa)外观符合5.2的规定；5表3热阻要求结-管壳热阻AM:≤I/50,以器件导通且无明显自发热为Tnep:(Tmax-Tmn)/N,且N≥3.×5.5.3抗硫化性能(5.5.3抗硫化性能(适用时)按6.5进行腐独试验唇应衍合5.5.1规定。5.5.4密封(适用时)详细规范应从GB/T223.23-2013的表8中选取合适的等级，并规定全部有关式验参数。5.5.6可焊性符合C²4937.21-2018的相关规定6检验方法6.1检验条件除另有规定外，试标准大气条件如下：a)温度：20℃-30℃;c)气压：86kPa106kPa正向电压按SJT11394-2009方法1001进行测量；反向电流按SJT11394-2009方法1003进行辐射特性按SJ/T11818.1—2022规定的方法进行测量环境试验按表4规定进行。合格性判定按5.5.1要求。6引用标准1高温高湿工作TM=85℃;RH=85%:M按规格书要求或2高温工作345100个周期67200m/s²,100Hz～2000Hz～100Hz,X、Y、Z每85000m/s²,500gn,1ms,3轴6向b,每个方向3次18次TM=试验温度，RH=试验湿度，M=试验电3轴6向=3轴线X、Y、Z,每个轴线正负2个方向，共6个方c)温度(℃):40±1;d)相对湿度(%):75±3;按GB/T2423.23—2013第8章试验Qk进行。6.7静电放电敏感度6.9尺寸7在提交鉴定检验和质量一致性检验前，检验批的全部器件应按表5的规定进行100%测试筛选，筛表5筛选检验项目12反向电流I峰值波长λp注：所有试验是非破坏性的，见GB/T4589.1—2006的3.6.6。7.3.1鉴定检验项目1.5倍。鉴定检验项目按表6规定进行。除14组和15组用样品外，其他组用样品必须首先通过1组和2组的检验(14组和15组可用同一检验批中光电特性不合格品)。检验项目抽样数(不合格数)最小1组峰值波长λ(仅对空腔器件)辐射通量φ8表6(续)检验项目抽样数(不合格数)最小高温高湿工作高温工作311组抗硫化性能适用)密封(适用时)13组用时)13组用时)715组标明(D)的试验是破坏性试验，见GB/T4589.1-2006的3.6.6。bn为3组～15组样品数的总和。LSL为规范下限值，USL为规范上限值，97.4.2A组检验(逐批)表7A组检验(逐批)检验项目反向电流IR辐射通量Φe注1:所有试验是非破坏性的，见GB/T4589.1—20067.4.3B组检验(逐批)表8B组检验(逐批)检验项目样品数(不合格数)最小继之以：(仅对空腔器件)反向电流I辐射通量φ。峰值波长入注1:标明(D)的试验是破坏性试验，见GB/T4589.1-2006的3.6.注2:LSL为规范下限值，USL为规范上限值，IVD为初始值。7.4.4C组检验(周期)表9C组检验(周期)检验项目抽样数(不合格数)最小峰值波长λp9高温高湿工作高温工作D5 抗硫化性能(适用时)密封(适用时)表9(续)检验项目抽样数(不合格数)最小用时)注1:标明(D)的试验是破坏性试验，见GB/T4589.1-2006的3.6.6。注2:LSL为规范下限值，USL为规范上限值，IVD为初始值。的缺陷，则允许对该分组采用加严检验(按检验记录以及失效分析报告、不合格、重新提交及其他问题的处理记录至少保存6年。8.1标志除GB/T4589.1—2006中2.5的规定外，还应符合以下规定。8.2包装d)包装箱图形标志应符合GB/T191—28.2.2内附文件(适用时)公差1L长××2W宽×X3H高××公差长×2W宽×公差1L长XX2宽1××3宽2××4宽3××5××6宽5××(资料性)器件自身(特别是光学部分和散热通道)抗紫外性能，避免或降低紫外辐射对器件半导体紫外发射二极管封装形式。主要部件(透镜、支架)由无机材料(通常为金属、陶瓷、玻璃等)组成。图B.1为封装结构示意图。B.3.1概述半导体紫外发射二极管的紫外辐射(特别是UV-B、UV-C波段)相对于普通光辐射波长