SJ∕T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数_第1页
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SJ/T2658.13—2015代替SJ/T2658.13—19862015-10-10发布2016-04-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布I——第3部分：反向电压和反向电流；——第5部分：串联电阻；——第8部分：辐射强度；——第9部分：辐射强度空间分布和半强度角；——第10部分调制带宽—第11部分：响应时间 ——第15部分：热阻；——第16部分；光电转换效率。本部分为SJ/T2658的第13部分。本部分按照GBT1—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草本部分代替SJN2638.13—1986《半导体红外发光二极管测试方法输出光功率温度系数的测量方法》,除编辑性修改外主要技术变化如下：——修改了辐射功率温度系数的定义(见3.1);——修改了辐射功率温度系数的测量原理图(见图1);——补充了辐射功率温度系数测量方法的规定条件(见5.3)1SJ/T2658.13—2015半导体红外发射二极管测量方法第13部分：辐射功率温度系数1范围本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射功率温度系数的测量原理图、测量步骤本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则SJ/T2658.6半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。在规定的正向工作电流和温度范围内，器件辐射功率的变化量与温度变化量的比值。辐射功率温度系数按公式(1)计算：ae=△Pe/△T………………(1)△T环境温度的变化量，单位为摄氏度(℃)。4一般要求测量辐射功率温度系数的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。5测量方法5.1测量原理图辐射功率温度系数的测量原理图见图1。2SJ/T2658.13—2015TCS控温装置产生的变化。3SJ/T2658.13—

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