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文档简介

1玻璃基底微热板激光加工规范——玻璃基底微热板基底材料的选择；——电极与绝缘层材料与制备方法的选择。ISO9013:2017热切割密度，足以使材料瞬间蒸发，从而实现精确的微纳切割、钻孔、挖槽23.2Lift-off工艺目标材料层，然后利用化学或机械手段去除光刻PECVD是一种在低气压环境下，使用低温等离子体来制备薄膜的技术。它结合了等离子体技术和化学气相沉积（CVD）技术，可以在较低的温度下实现高质量薄膜的沉积。用于绝缘利用反应离子气体束切断目标材料的化学键，使之产生低分子物质并挥发或游离。用于绝缘层玻璃基底微热板中覆盖于加热电极之上的功能层，以起到电绝缘玻璃基底微热板中在玻璃基底背面通过体刻蚀工艺形成3每立方英尺中大于0.5μm的粒子数目小于35200个。适用于玻璃基底微热板制造过程中所需的且兼容微电子工艺、MEMS（Micro-electromec超短脉冲激光加工设备的原理是将聚焦成高功率密度的激光束照射到目标材料表面，使目标材料4模版照射到基底表面。实现在玻璃基底上精确地转移掩膜上的电极图磁控溅射设备是一种用于镀膜的技术装备，它通过在真空中利用磁场和电场的交互作用来实现薄PVD（PhysicalVaporDeposition）沉积材料包括铂热稳定性，适用于制造MEMS微热板的电极。4.4.4PECVD设备PECVD利用等离子体来增强化学反应，从而在较低的温度下实现薄膜的沉积。这使得PECV气体前驱物分解并沉积在加热的基材上，形成所需的薄膜。PECVD工艺允许精确控制沉积的薄膜厚度和均匀性，通过调整PECVD工艺参数，可以制造出具有特定电学特性和应力水平的薄膜。4.5工艺参数选择335NR9–4.5.4PECVD参数4.5.5RIE参数6将玻璃基底固定在激光加工平台，调节激光器焦平面位置，激光加工设备参数可参考表1根据目标进行第一次光刻工艺。步骤如下：在玻璃基底正面涂覆NR9-3000PY光刻胶，工艺参数参照表2后通过曝光、显影工艺完成图形转移。光刻工艺完成后，通过磁控溅射法7操作激光器时应该戴上护目镜，不可直视激光源或任何表面反射的激装卸试样要注意试验所用样品座位置与挡板上溅射孔的对应，并记录样品座的编号及目前所对应6.3.3降落样品台时应注意样品台与溅射室的吻合，并对工业酒精擦洗干净样品台与溅射室6.4.2在离开之前，应确定拉闸断6.5.1紧急停电处理方法：立即切断电源，关闭6.5.2丙酮使用时发生头

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