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文档简介

芯片装架工(四级)考试复习题库(含理论、实操)

一、单选题

1.有锡球的产品封装形式是OO

A、BGA

B、QFN

C、QFP

D、LGA

答案:A

2.晶圆划片前进行晶圆贴膜,贴膜时需在晶圆外围加一个(),它起到支撑的作

用。

A、晶圆基底圆片

B、晶圆贴片环

C、引线框架

D、硅衬底

答案:B

3.在引线框架的长边弯曲程度称为()。

A、侧弯程度

B、卷弯程度

C、扭曲度

D、弓型程度

答案:B

4.下图进行的是。操作。

A、引线键合

B、芯片粘接

C、外观检查

D、晶圆清洗

答案:C

5.一般情况下,绝缘腔高温固化的温度为0o

A、145±10℃

B、175±10℃

C、225±10℃

D、280±10℃

答案:A

6.下列选项中,晶圆减薄精磨阶段更适合选择。的金刚石砂轮。

A、20#

B、80#

C、1000#

D、2500#

答案:D

7.封装工艺中,晶圆在划片机上被分割成单个的()。

A、硅片

B、框架

C、硅衬底

D、晶粒

答案:D

8.自旋式磨削使用的金刚石砂轮直径一般选择。。

Ax50mm~150mm

B、150mm~200mm

C、200mm~350mm

D、250mm~400mm

答案:C

9.银浆在使用前需要进行回温,回温时应采用()放置。

A、卧式

B、立式

C、任意

D、倒扣

答案:B

10.图示符号代表()。

A、固定电阻

B、电位器

C、可变电阻

D、热敏电阻

答案:C

11.引线框架基本尺寸量测时,其步距(UnitPitch)应测量()的长度。

A、两个相邻Lead中心点之间

B、从一个Unit的定位孔中心到相邻Unit定位孔中心

C、第一他Unit的完整定位孔中心到最后一个Unit的完整定位孔中心

D、芯片座相对于中心点偏移

答案:B

12.下图是()封装形式的引线框架。

A、S0P16

B、DIP20

C、TSOP44

D、T0-220

答案:A

13.一般情况下,导电胶的醒料时间为()。

A、0.5~1小时

B、3~4小时

C、6~8小时

D、10~12小时

答案:A

14.()是引线框架的主要材质。

Ax金

B、铝

C、铜

D、银

答案:C

15.关于芯片粘接对应关系,说法错误的是()o

A、共晶粘贴法-应力大、芯片易开裂、自动化程度低

B、焊接粘贴法-成本低、导热好,但略逊与共晶咕贴

C、导电胶粘贴法-常用于塑料封装

D、玻璃胶粘贴法-去除有机成分和溶剂需完全,否则易对封装结构及其可靠性有

损害

答案:B

16.一般情况下,装片后框架的固化温度为。。

A、140℃

B、175℃

C、200℃

D、300℃

答案:B

17.ICPacking是指(),

A、晶圆测试

B、集成电路封装

C、流片

D、成品芯片测试

答案:B

18.银浆回温次数应该不大于()次/管。

A、15

B、20

C、5

D、1

答案:C

19.每片晶圆上分布有成千上万颗芯片连在一起,它们之间都留有足够的间隙,

此间隙称为()。

A、Die

B、Chip

C、ScribeLine

D\BondingPAD

答案:C

20.窄间距小外形封装的英文简称为()o

A、SIP

B、DIP

C、SSOP

D、QFP

答案:C

21.电流的单位是()。

A、V

B、Q

C、A

D、S

答案:C

22.如图红框处的结构是()。

A、边导轨

B、定位孔

C、塑封线

D、锁定孔

答案:B

23.图示符号代表()。

A、电位器

B、固定电阻

C、可变电阻

D、热敏电阻

答案:A

24.自旋式磨削一般使用()金刚石砂轮。

A、柱形

B、圆型

C、锥形

D、杯型

答案:D

25.导电胶又称导电银胶,在芯片粘接工序中常称为银浆,其基体材料大多数是

环氧树脂,填充料一般是()。

A、金颗粒或金薄片

B、银颗粒或银薄片

C、钛颗粒或钛薄片

D、锡颗粒或锡薄片

答案:B

26.封装流程中,晶圆减薄是对()进行的操作。

A、晶圆背面

B、晶圆正面

C、晶圆边缘

D、晶圆上的晶粒

答案:A

27.以下减薄方式中,属于纯机械方式的是()。

A、电化学腐蚀

B、化学机械抛光

C、等离子增强化学腐蚀

D、磨削

答案:D

28.图不符号表示()。

G」

A、N沟道耗尽型MOS管

B、N沟道增强型MOS管

C、P沟道耗尽型MOS管

D、P沟道增强型MOS管

答案:A

29.图中的工具是()。

A、晶圆盒

B、高温花篮

C、顶针盒

D、引线框架盒

答案:D

30.“8s管理”制度中,整理的定义是()o

A、必要的物品按需要量、分门别类、依规定的位置放置,并摆放整齐,加以标

识。

B、清除工作场所的脏污,并防止脏污再发生,保持工作场所干净亮丽。

C、按照标准区分开必要和不必要的物品,并对其进行处理。

D、消除隐患,预防事故。

答案:C

31.装片机上芯区用于顶起蓝膜上的芯片的部件是()o

A、吸嘴

B、顶针

C、劈刀

D、点胶头

答案:B

32.通过()可以确定芯片的装架方向。

A、电路图

B、键合图

C、原理图

D、接线图

答案:B

33.装片机维护保养时,一般沾取()对机台结构进行清洗。

A、消毒后的自来水

B、盐酸溶液

C、氢氧化钠溶液

D、无水乙醇

答案:D

34.减薄后进行晶圆厚度测量时,需要扣除。的厚度。

A、有效电路层

B、蓝膜

C、损伤层

D、氧化层

答案:B

35.下列说法不属于陶姿封装优点的是()。

A、生产成本低

B、优良的可靠度

C、热、电、机械特性等稳定

D、散热性好

答案:A

36.若领取空引线框架中有变形弯曲的,可以如何处理?()

A、进行补片

B、将芯片扶正

C、用镜子对变形部位整形,不能整形的则剔除

D、重新固化

答案:C

37.一般情况下,导电胶高温固化的温度为()。

A、145±10℃

B、175±10℃

C、225±10℃

D、280±10℃

答案:B

38.封装减薄前,8英寸晶圆的厚度一般为()左右。

A、50um

B、300pm

C、725nm

D、1500|_im

答案:C

39.如下ESD描述,错误的是O°

A、接触产品必须戴手指套或防静电手套

B、手指套被污染,若没有破损,可以不用更换

C、必须严格按照无尘室内穿着规范,需戴口罩,且口罩要完全遮住口和鼻

D、坐着作业时必须佩戴静电手环

答案:B

40.绝缘胶一般存放在()条件下。

Ax-40~-20℃

B、-5~0℃

C、0~5"C

D、15~25℃

答案:A

41.如图所示的引线框架,一条框架有()只产品。

A、10

B、20

C、30

D、40

答案:B

42.导电胶一般存放在()条件下。

A、-40~-20℃

B、-5~0tle

C、0~5℃

D、15~25℃

答案:C

43.划片机对刀时,基准线宽度设置主要与。有关。

A、Die的宽度

B、Wafer的尺寸

C、ScribeLine的宽度

D、PAD的大小

答案:C

44.图中展示的设备是()。

A、等离子清洗机

B、装片机

C、氮气柜

D、烘箱

答案:D

45.芯片粘接时,引线框架焊盘的尺寸要与芯片大小相匹配,若焊盘尺寸。,

则会导致在转移成型过程中会由于流动产生的应力而造成引线弯曲及芯片位移

等现象。

A、与芯片大小相同

B、合适

C、太大

D、太小

答案:C

46.若防静电点检未通过则需要()。

A、重新启动检测的仪器,再次检测

B、请其他员工检测,门开启后一同进入

C、找管理部门手动开门

D、检查着装并消除静电,重新检测

答案:D

47.在晶圆划片之前要在晶圆()进行贴膜。

A、正面

B、背面

C、边缘

D、中间

答案:B

48.12英寸晶圆的直径大小是()o

A、125mm

B、150mm

C、200mm

D、300mm

答案:D

49.图中展示的设备是()o

Ax晶圆划片机

B、晶圆减薄机

C、晶圆贴膜机

D、晶圆清洗机

答案:C

50.()和()都是利用合金反应进行芯片粘贴的方法。

A、焊接粘贴法;玻璃胶粘贴法

B、共晶粘贴法;玻璃胶粘贴法

C、共晶粘贴法;焊接粘贴法

D、导电胶粘贴法;玻璃胶粘贴法

答案:C

51.下列选项中,晶圆划片流程排序正确的是。。

①晶圆清洗

②晶圆贴膜

③划片生产

④划片设备准备

A、①②④③

B、②④③①

C、①②③④

D、②③④①

答案:B

52.拆装顶针时,最好用。来夹持,否则容易造成顶针伤及人身或顶针断裂。

A、镜子

B、手

C、真空吸笔

D、钳子

答案:A

53.如图为点胶头外观,其中④号点胶头的内径为。。

①②③④⑤⑥

A、0.06mm

0.16mm

C、0.34mm

Dx0.61mm

答案:D

54.划片机手动装片时,将晶圆放置到()并开启真空,即可固定晶圆。

A、划片刀架

B、贴膜盘

C、花篮

D、载片台

答案:D

55.芯片装架作业完成后,为检测其强度,需进行()。

A、推力测试

B、拉力测试

C、老化测试

D、功能测试

答案:A

56.通常,芯片粘接到框架上后,胶点铺开后的直径应为芯片长边的()倍,这

样就可以保证有充足的胶水来粘结芯片,同时又可以避免过多银浆的浪费。

A、0.6

B、1.1

C、2.0

D、2.5

答案:B

57.下列哪一项不属于晶圆划片前贴膜的目的()o

A、保护晶圆正面的电路

B、使操作过程中晶圆不脱落、飞散

C、保证能够准确切割晶圆正面

D、固定晶圆位置

答案:A

58.下列芯片封装形式与贴装形式的对应关系正确的是()o

A、QFP-直插式封装

B、QFN-直插式封装

C、SOP-贴片式封装

D、DIP-贴片式封装

答案:C

59.当温度升高时,半导体的导电能力()。

A、增强

B、减弱

C、不变

D、不确定

答案:A

60.进入车间前,如图所示是在进行()操作。

A、静电检测

B、启动检测仪器

C、指纹验证

D、录制语音信息

答案:A

61.图不符号表ZF()。

D

一B

S

A、N沟道耗尽型MOS管

B、N沟道增强型MOS管

C、P沟道耗尽型MOS管

D、P沟道增强型MOS管

答案:D

62.一般情况下,绝缘胶的醒料时间为()o

A、0.5~1小时

B、3~4小时

C、6~8小时

D、10~12小时

答案:B

63.LeadFrame是指()。

A、晶舟盒

B、划片刀

C、晶圆贴片环

D、引线框架

答案:D

64.下面4张图中,图4的芯片的封装形式是()。

答案:D

65.如图为点胶头外观,其中②号点胶头的规格为Oo

①②③④⑤⑥

A、18G

B、20G

C、22G

D、24G

答案:C

66.利用()来实现IC芯片与封装基板之间的粘贴,在陶瓷封装中有广泛的应用。

A、共晶粘贴法

B、焊接粘贴法

C、导电胶粘贴法

D、玻璃胶粘贴法

答案:A

67.电流的符号是()。

A、A

B、I

C、V

D、R

答案:B

68.砂轮的“目”是根据磨料的()来划分的。

A、材料

B、硬度

C、颗粒度

D、结合牢固性

答案:C

69.如图为划片后的晶圆外观,该现象为()。

A、正常

B、崩边

C、划伤

D、碎角

答案:B

70.对于晶圆减薄,需在晶圆()贴膜。

A、正面

B、背面

C、边缘

D、中间

答案:A

71.如图为引线框架局部示意图,其打凹深度是指()o

B、A与C两点间的高度

C、B与C两点间的距离

D、B与C两点间的高度

答案:D

72.下列选项中的工序均属于封装前段工艺的是0o

A、晶圆划片、引线键合、塑封、激光打字

B、晶圆贴膜、芯片粘接、激光打标、去飞边

C、晶圆贴膜、晶圆划片、芯片粘接、引线键合

D、晶圆划片、芯片粘接、塑封、去飞边

答案:C

73.如图TO分立器件为()。

A、T03

B、T092

C、T0220

D、T0237

答案:C

74.给PN结加正向偏置电压会使PN结。。

A、变窄

B、变宽

C、不变

D、不确定

答案:A

75.下列选项中,晶圆减薄粗磨阶段更适合选择0的金刚石砂轮。

A、20#

B、80#

C、1000#

D、2500#

答案:B

76.封装按材料分一般可分为塑料封装、()和陶瓷封装等。

A、金属封装

B、橡胶封装

C、实木封装

D、DIP封装

答案:A

77.保护膜是晶圆贴膜工序重要的原材料,针对UV膜类型的保护膜,撕膜时,可

以照射适量(),能有效降低它的黏着力。

A、红外线

B、太阳光

C、激光

D、紫外线

答案:D

78.如图所示的芯片,其管脚外型是()。

A、翅型

B、直线型

C、J型

D、L型

答案:C

79.下列选项中,表示装片工序的是()。

A、WireBonding

B、Dicing

C、DieAttaching

D、Plating

答案:C

80.如图TO分立器件为()。

A、T03

B、T092

C、T0220

D、T0237

答案:B

81.如下所示4幅图中,()是引线框架盒。

A、图1

B、图2

C、图3

D、图4

答案:D

82.引线框架各部位中,外引线(ExternaHead)的功能是()。

A、作业时,起框架传递的作用

B、起到引导的作用(确保电镀及打凹切断的位置准确性)

C、直接和电路板连接

D、便于封装时剪切

答案:C

83.()这种粘接方式常用于塑料封装。

A、环氧树脂粘接法

B、绝缘胶粘接法

C、焊接粘接法

D、共晶粘接法

答案:A

84.等离子风扇的功能是。。

A、消除周围静电

B、消除灰尘

C、给作业人员降温

D、提供压力

答案:A

85.如图设备为()o

A、清洗机

B、贴膜机

C、UV解胶机

D、光刻机

答案:C

86.下列不属于银浆作用的是()。

A、美化

B、固定

C、散热

D、导电

答案:A

87.机械划片过程中使用划片刀进行,()与晶圆切割道相互作用实现材料去除

A、磨削环

B、刀刃磨粒

C、垫片

D、激光束

答案:B

88.如图为()的符号。

A、注意夹手

B、有电危险

C、自燃物品

D、ESD

答案:D

89.芯片粘接工艺中,安装银浆时没有锁紧针筒固定座螺丝会造成()o

A、胶点偏移

B、胶点开裂

C、胶点不固化

D、胶点大小不均匀

答案:D

90.银浆配置时,松香是作为()o

A、焊料

B、降低熔点的物质

C、还原剂

D、溶剂

答案:C

91.下列表述中,更换贴膜机蓝膜的流程正确的是()o

A、检查蓝膜余量-取下滚轴-取下蓝膜-更换新蓝膜-装滚轴-绕蓝膜-准备贴膜

B、检查蓝膜余量-取下蓝膜-取下滚轴-更换新蓝膜-绕蓝膜-装滚轴-准备贴膜

C、取下滚轴-取下蓝膜-更换新蓝膜-绕蓝膜-装滚轴-检查蓝膜余量-准备贴膜

D、取下滚轴-取下蓝膜-检查蓝膜余量-更换新蓝膜-装滚轴-绕蓝膜-准备贴膜

答案:A

92.陶瓷无引线式载体(LCCC)、陶瓷针栅阵列封装(CPGA)、有引线陶瓷片式

载体(LDCC)、陶瓷四边引线扁平封装(CQFP、CQFJ)等一般用于()封装。

A、集成电路

B、分立器件

C、光点器件

D、晶体管

答案:A

93.关于芯片粘接常见不良现象,下列哪一张图片显示的是芯片装歪的问题。()

图3图4

A、图1

B、图2

C、图3

D、图4

答案:B

94.银浆需要安装在图中的哪个区域。

95.装片机运行时,操作员领取点胶头必须遵守。的原则,方便点胶头的管理。

A、每周一次

B、每月一次

C、以一换一

D、多设备共用一个

答案:C

96.下面4张图中,图1的芯片的封装形式是()o

图3

A、图1

B、图2

C、图3

D、图4

答案:C

98.尺寸参数换算:100miI=()mm。

A、2.54

B、3.81

C、4.82

D、5.00

答案:A

99.()主要用来实现信号的传递和处理,如扩音机和电视机电路等。

A、电力电路

B、信号电路

C、直流电路

D、交流电路

答案:B

100.引线框架规格UDIP20(150x190)n,其“20”表示()。

A、Type

B、Lead

C、PadSize

D、Length

答案:B

101.根据随件单,本次装片作业需要领取的晶圆物料是()。

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«拿xWttna.MX«»nc(tn>

ME-

A、74HC138-LT001

B、74HC138-LT004

C、FD152Y47-LT001

D、FD152Y47-LT004

答案:C

102.切割时一般将X方向称为CH1,Y方向称为CH2,按照晶圆为单位进行步进

设置时,步进的计算方式为(),单位:mm。

A、CH1步进二(CH1面芯片尺寸+切割道宽度)*(CH1面切割道数量7)

B、CH2步进二(CH1面芯片尺寸+切割道宽度)*(CH1面切割道数量7)

C、X步进二单颗芯片尺寸(X)+切割道宽度

D、X步进二单颗芯片尺寸(Y)+切割道宽度

答案:A

103.如o图为某划片机界面,从参数信息可知,本次作业晶圆厚度为()。

BWtOOUCDOR/WFOlS2YHF-1W<02

s同

A、250|1m

B、250mm

C、200um

D、200mm

答案:A

104.如图为某划片机界面,从参数信息可知,本次作业晶圆为()英寸。

A、4

B、6

C、8

D、12

答案:C

105.装片机的芯片编程过程中,点击右侧栏中的()键,芯片自动校正位置。

AvEpoxy

B、SrchDie

C、BondHead

D、Exit

答案:B

106.如图为某划片机界面,可通过()处的按键来放大图像。

A、①

B、②

C、③

D、④

答案:C

107.请从下列设备中选出装片机。()

A、①

B、②

C、③

D、④

E、⑤

F、⑥

答案:E

108.装片机调取引线框架与料盒程序时,选择文件后需要点击。按键,程序就

会自动加载。

AxCopyPackage

BvLoadPackage

C、SavePackage

D、DeletePackage

答案:B

109.某批次作业的晶圆切割道宽度为60um,更适合选择如下刀片厚度为()的

划片刀。

A、20Jim

B、50nm

C、60口m

D、100|Jm

答案:A

110.装片后进行外观检查时,图中箭头所指的不良现象是()o

A、支架生锈、沾污

B、缺(崩)角

C、碎片

D、银胶胶量不足

答案:B

111.进行芯片粘接工序的检验操作时,下列选项中不属于材料不符的是。。

A、芯片方向与键合图不一致

B、芯片型号与随件单不一致

C、引线框架与产品不一致

D、焊料与随件单不一致

答案:A

112.如图为某划片机显示界面,放置晶圆后应点击()键开启真空。

A、①

B、②

C、③

D、④

答案:B

113.装片机的焊接设置界面可以通过点击()按钮进入。

A、BondingProcess

B、WorkHolderPR

C、IndexingProcess

D、WaferPR

答案:A

114.划片机的载台进给速度是指。。

A、晶圆旋转的速度,也就是载台的转速

B、划片刀的刀刃厚度

C、晶圆切割时,水平方向上移动的速度

D、主轴旋转的速度

答案:C

115.粗磨去除量是指0o

A、原始厚度-粗磨目标厚度

B、粗磨目标厚度-精磨目标厚度

C、原始厚度-精磨目标厚度

D、精磨目标厚度-粗磨目标厚度

答案:A

116.如图为某封装工艺单的局部信息,该批产品使用的点胶头是。。

划片参考1266B点胶嘴:

.粘片注意:若来料有果点,点掉边缘不完(蓝/兰色)

特殊工艺10.42

整管芯及铝差芯片上芯:

要求

2.切筋注意:切筋用ESSOP10专用备件加_E,芯片尺寸:

并技术员确认,新站高,用5技mm白管子。1.42*1.07

(

)

A、①

B、②

C、③

D、④

E、⑤

答案:B

117.下列不属于装片机日常维护项的是()o

A、检查设备的各个运动部分的平滑程度,确认是否有异常

B、检查各路气管是否有松脱或破损,及时加固或更换

C、检查控制面板上的各操作按钮,如果出现故障要及时更换

D、检查刀架的紧固情况,若有松动需及时紧固处理

答案:D

118.请从下列设备中选出贴膜机。()

C、③

D、④

E、⑤

F、⑥

答案:D

119.减薄时出现如图现象,该异常为(),该晶圆()处理。

A、划伤,继续生产

B、划伤,剔除

C、裂片,继续生产

D、裂片,剔除

答案:D

120.划片作业完成后,晶圆放入(),即待装片的物料储存位。

图3图4

A、图1

B、图2

C、图3

D、图4

答案:B

121.如图为()界面。

A、减薄机生产界面

B、划片对刀界面

C、划片机生产界面

D、减薄机故障报警界面

答案:C

122.划片时出现图示现象,下列选项的原因中可能会导致该现象的是。。

A、对刀错误

B、划片刀磨损

C、载片台上有灰尘

D、未贴膜

答案:B

123.请从下列选项中,选择正确的装片机调取引线框架与料盒程序时的按键顺序。

()

A、DataSetup->Setup-*PackageFiIe

B、PackageFiIe-*DataSetup->Setup

C、DataSetup->PackageFile->Setup

D、Setup->DataSetup->PackageFiIe

答案:D

124.划片刀一般采用目数为()。

A、46#200#

B、300#~600#

C、800^1500#

D、2000#~4000#

答案:D

125.芯片贴装时,切换至()界面可以控制设备的运行和暂停。

A、WaferPR

B、Setup

C、Bond

D、BondingProcess

答案:C

126.如图为()封装形式装架后的图像。

A、T0

B、SOP

C、DIP

D、QFN

答案:A

127.装片后进行外观检查时,如图视角中的不良现象是()o

A、支架生锈、沾污

B、缺(崩)角

C、碎片

D、银胶胶量不足

答案:A

128.芯片粘接的装料过程中,哪一步是需要参照键合图的。()

A、装引线框架

B、装引线框架盒

C、安装银浆

D、装晶圆花篮

答案:A

129.装片后进行外观检查时,如图不良现象为()。

A、芯片倾斜

B、框架变形

C、焊料氧化

D、框架镀银区域氧化

答案:D

130.装片后进行外观检查时,图中箭头所指的不良现象是。。

A、支架生锈、沾污

B、缺(崩)角

C、碎片

D、银胶胶量不足

答案:D

131.如图,进入的是0车间。

A、晶圆测试

B、封装前段

C、封装后段

D、成品测试

答案:B

132.减薄机的砂轮轴向进给速度是指()。

A、砂轮旋转的速度,一般以每分钟所转圈数表示

B、砂轮按旋转轴的方向,向下移动的速度

C、晶圆旋转的速度,也就是载台的转速

D、晶圆每转一圈去除的硅厚度

答案:B

133.装片机安装完银浆后,点击()可以确认完成,退回银浆模组。

A、Bond

Setup

C、Confirm

D、Autobond

答案:C

134.下图为某减薄机的操作盘(局部)示意图,若需要暂停运行中的减薄机应按

O按键。

①②③

._____________________1

A、①

B、②

C、③

D、④

答案:A

135.下列情况比较可能会导致晶圆减薄过程中碎片的是()o

A、磨头尺寸不对

B、磨头目数大

C、晶圆正面没有贴膜

D、作业参数设置不良

答案:D

多选题

1.在使用导电胶工艺过程中,由于芯片放置不当会导致()0

A、空洞造成高应力

B、环氧黏着在引脚上造成搭桥现象,引起内连接问题

C、在引线键合时造成框架翘曲

D、引线键合的生产率降低,成品率下降

答案:ABCD

2.下列说法中正确的有()。

A、作业人员作业前必须进行安全教育,防止其不清楚现场危险状况

B、要经常保持设备内部的清洁,不得一直敞开

C、洁净车间内可以携带餐巾纸和食物

D、戴发罩时,若女生头发较长,允许露出一部分头发在外部

答案:AB

3.常见的半导体材料有()

A、硅

B、碳

C、错

D、钱

答案:AC

4.晶圆减薄后,晶圆可能出现的质量问题有()。

A、厚度不均匀

B、厚度未达到要求

C、划痕

D、裂片

答案:ABCD

5.对于芯片外观,装架后要求()。

A、芯片电极清晰

B、表面无损伤

C、背部需有蓝膜残留

D、无斜片、倒片等现象

答案:ABD

6.合格的晶圆贴膜应满足以下要求()o

A、平整

B、无污点

C、无气泡

D、无毛边

答案:ABCD

7.从显微镜下观察,装架合格的芯片()。

A、电极清晰完整

B、芯片表面无损伤

C、芯片表面无粘胶

D、芯片背面无蓝膜残余

答案:ABCD

8.下列关于导电胶在使用过程中可能会产生的问题描述正确的是()。

A、高温存储时的短期降解

B、界面处形成空洞会引起芯片的开裂

C、空洞处的电阻会造成局部温度升高

D、吸潮性导致模块开裂

答案:BD

9.芯片粘接领取框架、吸嘴等物料后,需要确认的内容有()。

A、晶圆是否裂片

B、引线框架的表面质量

C、点胶头规格、质量

D、芯片吸嘴尺寸

答案:BCD

10.芯片粘接的晶圆在领料时应与随件单进行以下几方面的确认:()。

A、产品名称

B、数量

C、键合线材料

D、批号

答案:ABD

11.下列属于点胶头的计头形状的是()。

A、矩形:X型

B、矩形:双Y型

C、菱形

D、圆形

答案:ABD

12.集成电路芯片封装实现的主要功能有()。

A、电能传输

B、信号传输

C、散热

D、结构保护与支撑

答案:ABCD

13.封装工艺中,在塑封体上进行激光打字时,打标内容可以有。。

A\产品名称

B、产品使用说明

C、生产批次

D、商标

答案:ACD

14.在进行芯片的推力测试时,以下那种情况可以认定为质量不合格?()

A、芯片断裂,此时的推力值大于最小值

B、芯片被推起,此时的推力值小于最小值

C、芯片和银胶被推起,此时的推力值大于芯片被推起的最小值

D、芯片和银胶被推起,此时的推力值小于芯片被推起的最小值

答案:BCD

15.划片的方法常有下列几种()o

A、金刚刀

B、砂轮

C、激光

D、横向拉力

答案:ABC

16.如下选项中,属于银浆配置时所需的材料有0o

A、氧化物

B、氧化银

C、松香

D、松节油

答案:ABCD

17.本征半导体的导电性很差,只有在硅片中加入少量杂质,使其结构和电导率

发生改变,才能成为一个有用的半导体,这个过程叫做掺杂。掺杂通常有哪些掺

杂方式?()

A、离子注入

B、热氧化

C、扩散

D、淀积

答案:AC

18.四边扁平封装引脚中心距有()等规格。

A、0.4

B、0.65

C、1.0

D、2.0

答案:ABC

19.自动装片机进行日常的维护保养时,以下选项中哪些部件需要清洗?。

A、胶盘

B、吸嘴

C、顶针

D、点胶头

答案:ABCD

20.芯片粘接作业时,以下哪些情况需要进行首检?()

A、更换品种或人员

B、开班前

C、停机超过规定时间

D、作业时的补料后

答案:ABC

21.下列属于表面贴装型芯片的有()o

A、PGA

B、S0P

C、QFP

D、DIP

答案:BC

22.下列属于封装后道工序的有()。

A、引线键合

B、电镀

C、芯片粘接

D、激光打标

答案:BD

23.晶圆背面减薄工艺对表面光洁度没有像正面抛光要求那么严格,它的技术难

点是精确地控制晶圆的()。

A、厚度

B、均匀度

C、洁净度

D、平行度

答案:ABD

24.以下属于装架时的异常情况的有()0

A、首检不合格

B、来料框架变形、发黄

C、芯片推力不合格

D、键合线拉力不合格

答案:ABC

25.银浆固化性能包括()o

A、点胶位置应在芯片座中央

B、获得固化所需的温度和时间

C、固化后需要一定粘结强度和仅可能小的收缩率,以减少应力产生

D、固化时不应有气体放出,避免产生针孔

答案:BCD

26.芯片粘接工序中涉及的工具或材料有。。

A、点胶头

B、空引线框架

C、银浆

D、引线框架盒

答案:ABCD

27.共晶粘贴法中的预型片为纯金材料时,优点包括()。

A、不发生氧化反应

B、减少了磨除氧化层的步骤

C、较低温度就能形成共晶粘贴

D、成本低

答案:AB

28.下列选项中,()属于“8S管理”的内容。

Av整顿

B、清洁

C、素养

D、安全

答案:ABCD

29.下列说法正确的有()o

A、操作人员无法处理的设备问题,需要请调机人员或设备维护人员处理

B、电源插座、电热源周边不可堆放易燃易爆品

C、银胶沾到皮肤无需清洗

D、框架送入高温烘箱时,需佩戴好防护手套,避免烫伤

答案:ABD

30.崩边晶圆划片时比较常见的异常现象,包括0等

A、正崩

B、背崩

C、掉角

D、裂痕

答案:ABCD

31.烘箱清洁时,需要清洗烘箱的()等部位。

A、内壁

B、支撑架

C、进/出气孔

D、图温手套

答案:ABC

32.下列关于划片的表述,正确的有0o

A、划片机运行过程中,切割路径和切割通道可以不重合

B、激光切割后,必须配合机械切割做进一步处理

C、机械划片常用的圆形砂轮刀,是一种很薄的、刃口有金刚石颗粒的砂轮刀片

D、划片机的对刀界面中,屏幕图像中间的绿线为法线(即基准线)

答案:CD

33.晶圆贴膜遇见哪些情况时需要重新贴膜,以保证贴膜正常。()

A、晶圆划伤

B、贴膜气泡

C、蓝膜起皱

D、蓝膜破损

答案:BCD

34.芯片粘接工序常见的芯片废弃情况有。。

A、污染

B、错位

C、缺失

D、堆叠

答案:ABCD

35.DIP封装的特点有()

A、合适在PCB上穿孔焊接,操作便利

B、适合高频运用

C、由于芯片面积与封装面积之间的比值较大,故体积也较大

D、芯片面积与封装面积非常相近

答案:AC

36.操作员在每批次装架作业前需检查投料芯片是否与领料信息一致,包括()

等。

A、产品名称

B、产品批号

C、数量

D、作业时长

答案:ABC

37.焊接粘贴法所使用的材料可以区分为硬质焊料与软质焊料两大类,下列属于

硬质焊料的有()。

A、铅-锡

B、金-硅

C、金-锡

D、铅-银-锢

答案:BC

38.按照引脚分布形态区分,封装元器件有()。

A、单边引脚

B、双边引脚

G四边引脚

D、底部引脚

答案:ABCD

39.芯片粘接时,质量合格的点胶要求有()。

A、芯片表面洁净

B、芯片底部胶质地均匀

C、胶有明显颗粒

D、无胶高低不均现象

答案:ABD

40.在导电胶粘贴法中,使用自动装片机将芯片精准放置到焊盘的黏着剂上时,

对于大芯片,误差应小于0Um,角误差小于0度。

A、25

B、2

C、10

D、0.3

答案:AD

判断题

1.切割不同的晶圆时要根据实际情况更换不同型号的划片刀。

Av正确

B、错误

答案:A

2.芯片粘接时,芯片应位于粘结胶的中心位置,芯片必须四面包胶。

A、正确

B、错误

答案:A

3.引线框架未装料到设备上时,允许徒手接触其表面。

A、正确

B、错误

答案:B

4.擦拭设备时,应使用干净的餐巾纸。

A、正确

B、错误

答案:B

5.在电路中任意两点之间的电位差称为这两点的电压。

A、正确

B、错误

答案:A

6.划片作业结束后,晶圆表面的蓝膜或UV膜无需去除,结批后放到对应位置。

Av正确

B、错误

答案:A

7.装架后制品进行高温固化,烘烤结束需冷却一段时间,再取出制品。

A、正确

B、错误

答案:A

8.常规的晶圆花篮有25个晶圆槽,可以对应25片晶圆。

Av正确

B、错误

答案:A

9.导电胶领取后,需要在常温下行醒料后方可投入使用。

A^正确

B、错误

答案:A

10.芯片装架作业时,首检通过后方可继续批量生产。

A、正确

B、错误

答案:A

11.封装架使用的、未过期失效的导电胶,在不用时也应及时送入冰箱贮存。

A、正确

B、错误

答案:A

12.晶圆减薄后测量厚度,测量时通常会在晶圆上选取几个采样点。

Av正确

B、错误

答案:A

13.减薄过程中,磨削砂轮的转速越大越好,可以提高晶圆平整度和工作效率。

A、正确

B、错误

答案:B

14.减薄作业结束后,晶圆表面的蓝膜或UV膜无需去除,直接将物料回库后放至

待划片氮气柜中。

A、正确

B、错误

答案:B

15.UV照射机作业过程中,允许强行打开机顶盖。

A、正确

B、错误

答案:B

16.芯片粘接时,对于钻接胶同时使用了导电胶和绝缘胶的产品,必须先装架粘

接胶为绝缘胶的芯片,并在烘烤之后继续装架粘接胶为导电胶的芯片。

A、正确

B、错误

答案:B

解析:粘接胶同时使用了导电胶和绝缘胶的产品,必须先装架粘接胶为导电胶的

芯片,并在烘烤之后继续装架粘接胶为绝缘胶的芯片。

17.导电银膏价格低,常用于民用小功率的器件和电路中,它适用于不同的固化

温度和固化条件。

A、正确

B、错误

答案:A

18.装片机取芯过程中,会吸取每一颗芯片,对于不合格的芯片,会利用吸嘴放

置在不合格的相关区域。

A、正确

B、错误

答案:B

19.芯片粘接时,点胶头越大越好,可以使粘接牢固。

Ax正确

B、错误

答案:B

20.导电胶粘贴法去除有机成分和溶剂需要完全,否则易对封装结构及其可靠性

有损害。

A、正确

B、错误

答案:B

21.薄型四边扁平封装(TQFP)封装体厚度一般为2.0~3.6mm

A、正确

B、错误

答案:B

22.芯片粘接作业时,点胶头只要没有损坏,就可以一直使用。

A、正确

B、错误

答案:B

23.GaAs场效应晶体管的芯片烧结通常用金锡共晶焊料片,为防止金中锡的氧化,

必须在纯氮保护气氛下加热操作。

A、正确

B、错误

答案:A

24.晶圆贴膜是在晶圆表面贴上保护膜的过程,主要应用于固晶和键合环节。

Ax正确

B、错误

答案:B

25.生产时,一般先由设备人员改机并调试好设备,再交付给产线,有操作人员

进行批量生产。

A、正确

B、错误

答案:A

26.芯片的推力测试只需通过显微镜即可完成。

A、正确

B、错误

答案:B

27.绝缘胶的存放温度较低,其取出后需要在50℃条件下行醒料。

Av正确

B、错误

答案:B

解析:常温下醒料。

28.在点胶过程中,当引线框架的芯片座大小相差不大时,可选用相同点胶头。

A、正确

B、错误

答案:A

29.封装工艺中,电镀是为了防止晶圆生锈或受到其他污染。

Ax正确

B、错误

答案:B

30.芯片粘接生产时,刚开始作业操作员需要对装架后的制品进行检查,假设检

查了20颗,只有1颗装架不合格,则可以继续生产。

A、正确

B、错误

答案:B

解析:检查有问题时,需要反馈、确认,处理正常后方可继续生产。

31.使用显微镜时,应用小倍数镜头开始调整,然后换成大倍数镜头

Av正确

B、错误

答案:A

32.芯片不用时,应及时放入氮气柜内妥善保存。

A、正确

B、错误

答案:A

33.在恒温控制中,热偶短路,显示为超温。

A、正确

B、错误

答案:B

34.清理工作台面时,需要使用干净的无尘布擦拭。

Ax正确

B、错误

答案:A

35.工具、物品、及文件须放置规定区域,不可任意摆放。

A、正确

B、错误

答案:A

36.集成电路设计、制造、封装与测试都属于集成电路产业链中的环节。

A、正确

B、错误

答案:A

37.UV膜的粘性主要受温度的影响。

A、正确

B、错误

答案:B

38.当机台运行时,禁上身体的任何部位进入设备运行机构的活动区域以防止意

外的发生。

A、正确

B、错误

答案:A

39.氮气柜中通过氮气控制其氧含量,柜体内保持一定的温湿度,可以保护存储

在其中的晶圆。

Ax正确

B、错误

答案:A

40.划片前贴膜时,覆膜完成,操作人员沿着晶圆边缘将蓝膜切断。

A、正确

B、错误

答案:B

41.芯片粘接作业时,每次更换粘接胶的种类或是型号,必须进行点胶头的清洗。

A、正确

B、错误

答案:A

42.QFP是一种无引脚封装,呈正方形或矩形,封装四周配有电极触点。

A、正确

B、错误

答案:B

43.使用显微镜时,直接用大倍数镜头观察

A、正确

B、错误

答案:B

44.激光划片属于非接触式切割,对晶圆表面的影响较小。

A、正确

B、错误

答案:A

45.在导电胶粘贴工艺中,银浆可以实现芯片在引线框架上的固定,使用之前需

要回温,除去气泡。

A、正确

B、错误

答案:A

46.集成电路是将一些常用的电子元器件,比如说电阻、电容、晶体管等,以及

它们之间的布线,通过半导体工艺集成在一起,形成的一个具有特定功能电珞的

微型电子器件。

A、正确

B、错误

答案:A

47.芯片粘接后检查,发现管芯的定向和定位不符合装配图时,判断该管芯的方

位不合格。

A、正确

B、错误

答案:A

48.利用静电测试仪进行防静电点检时,双脚需要站立在仪器指定的站立区域。

A、正确

B、错误

答案:A

49.光刻是指用化学或物理的方法,将晶圆表面上淀积的各种绝缘介质膜、金属

薄膜等按照掩膜版的图形结构选择性的去除,以便形成各种器件结构和电路互连。

A、正确

B、错误

答案:B

50.对于半自动贴膜机,在放置晶圆贴片环时,需要使其定位缺口与贴膜盘的定

位钉一致。

A、正确

B、错误

答案:A

51.根据芯片大小选择单PIN或多PIN顶针,单PIN顶针应用于较小的芯片尺寸;

多PIN顶针应用于较大的芯片尺寸。

A、正确

B、错误

答案:A

52.如图所示的磨轮,其磨削环包含了结合剂和磨料。

Ax正确

B、错误

答案:A

53.划片刀需要定期磨刀或换刀,保证划片质量。

A、正确

B、错误

答案:A

54.生产时,操作员从物料区随机领取物料进行作业即可。

A、正确

B、错误

答案:B

55.料盒在传送过程中要平拿平放,避免引线框架滑落或使芯片倾斜。

A、正确

B、错误

答案:A

56.银浆烧结是一种流传较广的方法,它适用于大功率晶体管。

A、正确

B、错误

答案:B

57.在恒温控制中,热偶断了,显示为超温。

A、正确

B、错误

答案:A

58.为了提高效率,可以一次性取出多个批次的框架。

A、正确

B、错误

答案:B

59.减薄作业过程中,当操作员发现减薄参数有问题时,可以直接通过显示界面

进行修改。

A、正确

B、错误

答案:B

60.对于窄切割道一般是尽可能选择最薄的刀片。

A、正确

B、错误

答案:A

61.为提高效率,磨削深度越大越好。

A、正确

B、错误

答案:B

62.芯片粘接工序时,核对物料和随件单信息一致需要通过显微镜检查。

A、正确

B、错误

答案:B

63.一般情况下,同一产品作业时不会更改划片刀型号,但如果更换了不同外径

的划片刀,必须保持原来的转速,以保证切割质量及稳定性。

A、正确

B、错误

答案:B

64.减薄机砂轮转速的单位一般为um/min

A、正确

B、错误

答案:B

65.如图为某装片机的界面局部视图,根据产品型号,装片位置原则上不能超出

红线区域(特殊工艺除外)。

A、正确

B、错误

答案:A

66,软刀是一种圆形薄片的砂轮刀。

A、正确

B、错误

答案:A

67.软刀安装时,无需刀盘即可直接安装在划片机上。

A、正确

B、错误

答案:B

68.切割道宽度是划片刀厚度选择依据之一。

A、正确

B、错误

答案:A

69.在相同转速下,划片刀外径不同,外圆线速度也是不同的。

A、正确

B、错误

答案:A

填空题

1.操作人员进入划片作业的车间,如下图是其换好衣服的状态,着装是否正确?

()(填写“正确”或“不正确”)

答案:正确

2.一般情况下,整个划片生产过程会用到以下哪些设备?()(填写大写英文字

母,如“ABC”)

答案:ACDFG

3.进行晶圆厚度测量时,测厚仪的显示数值如图,假设UV膜厚度为70um,则

此时的晶圆厚度为()limo

答案:250

4.识读流程卡,FD152Y47整批次中的物料数量有()只。

IC封爰工艺流程卡lllllllllllllllll

产B名徐,帽「;困匕费入时间・

力婪世号,折分K号,JJHJL分批片号,

客户代科,封袋形式,1'隘密卡■,R

*科是量,家科片嵌,批

&■«:

“黑工艺&■b「』'晶门,力用$彳?MMV■

•泉

2,M।咽X宝sor16《•脩)HWHK•

1.73tl.41BB

答案:69238

5.如图为某型号减薄机,欲使其上料区的花篮1、降应按红框中的。按键。

^iu9■

A■

二£O

■1.

紧急制动

答案:DOWN

6.如图为晶圆外观示意图,晶圆正面为()o(填写大写英文字母)

答案:A项

7.如图为贴膜不良,该不良现象是UV膜()。

答案:褶皱

8.减薄准备时,下列物料中需要在减薄机装料的是()o(填写大写英文字母,

答案:AE

9.本次作业键合图如下左图,检查右图装片情况,可知该装片是否合格。0(填

写“合格”或“不合格”)

答案:合格

10.操作人员更换着装后进行静电检测,如图为静电检测仪的界面显示,表示该

人员静电检测是否通过?()(填写“通过”或“不通过”)

山ID352104015

答案:通过

11.如图为贴膜不良,该不良现象是UV膜。。

答案:破损

12.核对下图中晶圆实物信息和随件单信息,判断信息是否一致。()(填写“一

致”或“不一致”)

答案:一致

13.如图所示为某产品封装时的工艺流程卡,根据该批次产品的数量和引线框架

规格可知,本次作业需使用(

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