材料物理知到智慧树期末考试答案题库2025年南开大学

材料物理知到智慧树期末考试答案题库2025年南开大学高温结构材料Al2O3可以用ZrO2来实现增韧，也可以用MgO来促进Al2O3的烧结，如加入0.3mol%ZrO2和0.3mol%MgO对Al2O3进行复合取代，固溶体分子式为：（）

答案:Zr0.003Mg0.003Al1.994O3高温结构材料Al2O3可以用ZrO2来实现增韧，也可以用MgO来促进Al2O3的烧结，如加入0.2mol%ZrO2，固溶体分子式为：（）

答案:Al1.998Zr0.002O3.001高温时固体热容服从德拜T3定律，低温时固体热容服从杜隆-珀替定律。（）

答案:错频率很高时，无松弛极化，只存在电子和离子位移极化。（）

答案:对面心立方格子的倒格子是体心立方，倒格矢的长度(基矢的长度)为（）

答案:面心立方格子的倒格子是体心立方，倒格矢的长度(基矢的长度)为（）非线性光学晶体的主要应用是激光频率转换。（）

答案:对霍尔系数只与金属中的（）有关。

答案:自由电子密度陶瓷介质由于介电系数大、表面吸湿等原因，引起离子式高压极化(空间电荷极化)，使表面电场畸变，提高表面击穿电压。（）

答案:错阳离子电荷高低对活化能也有影响。一价阳离子尺寸小，电荷少，活化能低，电导率大；相反，高价正离子，价键强，激活能高，故迁移率就低，电导率也低。（）

答案:对铁磁物质所表现的顺磁性和一般顺磁性在性质上是相同的，但在温度的起点上有所不同，铁磁性物质的顺磁性是以居里温度为起点，而顺磁性物质是以0K为起点。（）

答案:对铁磁性的本质是在外电场作用下的畴壁运动和磁筹内磁矩转向。（）

答案:对铁电性是由离子位移引起的，而铁磁性则是由原子取向引起的。（）

答案:对铁氧体是指含铁酸盐的陶瓷磁性材料，都存在自发磁化和磁畴，显亚铁磁性。（）

答案:对铁氧体包含：石榴石型，磁铅石型、钙铁矿型，钛铁矿型，乌青铜型等。（）

答案:对钾长石K[AlSi3O8]硅酸盐矿结构属何种结构类型？（）

答案:架状钛酸镁瓷是在正钛酸镁（2MgO·TiO2）中加入2%-3%的CaTiO3，正钛酸镁和CaTiO3粒度都非常小，分布又很均匀，已知纯的正2MgO·TiO2的ε=16，CaTiO3的ε=130，调制后的钛酸镁瓷的ε=（）

答案:16.68钛酸钡晶体的独立的压电常数为哪三个？（）

答案:d15、d31和d33金属的电导率随温度的升高而升高；无机非金属材料的电导率随温度的升高而降低。（）

答案:错金属氧化物MO中氧原子过剩时形成n型半导体，金属原子过剩时形成p型半导体。（）

答案:错金刚石是最理想的红外透过材料。（）

答案:对金刚石、硅和锗导热率的大小顺序为（）

答案:λ金刚石＞λ硅＞λ锗量子自由电子学说认为自由电子的行为服从（）

答案:Fermi-Dirac统计规律透辉石CaMg[Si2O6]硅酸盐矿结构属何种结构类型？（）

答案:链状,单链还原性气氛生成n型半导体，以下缺陷反应生成阴离子空位(MaXb-x)型非化学计量化合物Oo=Vo+2e’+1/2O2(g)（）

答案:对软磁材料具有μ、ρ、Bs高，Hc低、磁滞损耗低、稳定性好的特点。（）

答案:对费密能EF表示T＞0K时电子占有几率为（）的能级能量

答案:1/2设有某种多晶材料，内部含有大量的均匀晶粒，当材料内部的起始裂纹与晶粒的尺度相当，则当晶粒大小变为原来的2倍时，其断裂强度σf与σf0的关系是（）

答案:σf=2-0.5σf0设有某种多晶材料，内部含有大量的均匀晶粒，当材料内部的起始裂纹与晶粒的尺度相当，则当晶粒大小变为原来的0.5倍时，其断裂强度σf与σf0的关系是（）

答案:σf=0.5-0.5σf0设有无限大板A，含有边缘穿透裂纹，其中裂纹长度为2a，受拉应力作用，A板拉应力为σ，其裂纹尖端应力强度因子为多少（）

答案:设有无限大板A，含有边缘穿透裂纹，其中裂纹长度为2a，受拉应力作用，A板拉应力为σ，其裂纹尖端应力强度因子为多少（）设有无限大板A，含有贯穿性裂纹，其中裂纹长度为2a，受拉应力作用，A板拉应力为σ，其裂纹尖端应力强度因子为多少（）

答案:设有无限大板A，含有贯穿性裂纹，其中裂纹长度为2a，受拉应力作用，A板拉应力为σ，其裂纹尖端应力强度因子为多少（）设有一条内径为30mm的厚壁管道，被厚度为0.1mm的铁膜隔开，通过向管子一端向管内输入氮气，以保持膜片一侧氮气浓度为1200mol/m3，而另一侧的氮气浓度为100mol/m3。如在700℃下测得通过管道的氮气流量为2.8×10-4mol/s，求此时氮气在铁中的扩散系数。()

答案:3.6×10-12m2/s计算能量为54eV电子的德布罗意波长以及它的波数（）

答案:1.67×10-10m，3.76×1010m-要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料。（）

答案:对裂纹扩展是能量不会以何种方式放出（）

答案:断裂面减少，降低系统的总能量裂纹扩展对应的弹性应变能的降低的过程中，裂纹扩展形成新的表面，部分弹性应变能转换为表面能。（）

答案:对融熔石英玻璃的性能参数为：E=73Gpa；γ=1.56J/m2；理论强度σth=28Gpa。如材料中存在最大长度为2μm的内裂，且此内裂垂直于作用力方向，计算由此导致的强度折减系数。()

答案:0.99若把温度T从超导转变温度下降,则超导体的临界磁场也随之增加。（）

答案:对若将氯化钠置于氯气中加热时，得到的是阳离子空位型非化学计量化合物，阳离子空位和束缚空穴，这类缺陷称为“F心”，这类阳离子空位缺陷也会使氯化钠带色。（）

答案:错自发磁化是指在外部交换场作用下，原子磁矩趋于同向排列，自生出磁化强度。（）

答案:错自发磁化是指在内部交换场作用下，原子磁矩趋于同向排列，自生出磁化强度。（）

答案:对能斯脱-爱因斯坦（Nernst-Einstein）方程表明离子的扩散系数大，离子电导率就高。（）

答案:对结晶各向异性随温度升高而降低，自发极化重新取向克服的应力阻抗较小;同时由于热运动，电畴运动能力加强，所以在极化电场和时间一定的条件下，极化温度高电畴取向排列较易，极化效果好。（）

答案:对结合电子位移极化率的公式判断，离子体积越大其电子位移极化率越大。（）

答案:对纯铜的刚性模量为39GPa，泊松比为0.35，它的弹性模量为（）

答案:105.3GPa粉末材料和纤维材料的热导率比烧结材料的热导率高得多。（）

答案:错粉末材料和纤维材料的热导率比烧结材料的热导率低得多。（）

答案:对简单立方格子的倒格子也是简立方，倒格矢的长度(基矢的长度)为（）

答案:2π/a空间电荷层形成耗尽层，材料表面电导率降低。（）

答案:对空间电荷层中多数载流子的浓度比内部小，称为积累层。（）

答案:错空间电荷层中多数载流子的浓度比内部大，称为耗尽层。（）

答案:错空位随温度升高而增加，在和之间，由于热膨胀bcc铁的晶格常数增加0.51%，而密度减少2.0%，假设在时，此金属中每1000个单位晶胞中有1个空位，试估计在时每1000个单位晶胞中有多少个空位？（bcc铁单位晶胞中有2个原子，假设晶格不变）（）

答案:11离子晶体中的离子电导常温下以本征电导为主，高温下以杂质电导为主。（）

答案:错离子位移极化和电子位移极化的表达式一样，都具有弹性偶极子的极化性质，由于离子质量远高于电子质量,因此极化建立的时间也较电子慢。（）

答案:对磁滞回线中饱和磁感应强度Bs（磁化强度Ms）是指在指定温度下，用足够大的磁场强度磁化物质时，磁化曲线接近水平时，不再随外磁场增大而明显增大。（）

答案:对磁滞回线中矫顽力Hc：铁磁物质磁化到饱和后，由于磁滞现象，要使磁介质中B为零，须施加一定的反向磁场强度-H，该磁场强度的绝对值为矫顽力Hc。（）

答案:对磁滞回线中对应的B值（M值），此时材料内部磁矩取向基本完全与外磁场反向相同，材料磁感应强度达到饱和。（）

答案:对碳钢的刚性模量为79GPa，泊松比为0.25，它的弹性模量为（）

答案:197.5GPa硬磁材料是指矫顽力Hc很高的磁性材料。（）

答案:对硫化铅晶体的禁带宽度为0.35eV，等效状态密度N=8.8×1018/cm3,计算300K时硫化铅价带空穴浓度和导带电子的浓度。（k=8.6×10-5eV/K）（）

答案:1×1014/cm3砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用；这样的砷化镓是n型半导体。（）

答案:对研究碱卤化合物的电导激活能发现，负离子半径增大，其正离子激活能显著降低，这样离子电导率便按NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI依次降低。（）

答案:错石英晶体有压电效应，但无自发极化，所以它是压电晶体，而不是铁电体。钛酸钡晶体具有自发极化，又有压电效应，所以钛酸钡晶体被称为铁电晶体。（）

答案:对矫顽场强和饱和场强随温度升高而降低。所以在一定条件下，极化温度较高,可以在较低的极化电压下达到同样的效果。()

答案:对矩磁材料常用作记忆元件、开关元件、逻辑元件等等。（）

答案:对矩磁材料具有高剩磁化比Br/Bs，Hc小，稳定损耗低，开关系数Sw小的特点。（）

答案:对相对于材料抗弯曲强度，材料的抗弯强度更大，因为它的应力分布不均匀，提高了断裂强度。（）

答案:对直径为10mm、厚度为1mm的介质电容器，其电容为2000pF，损耗角正切为0.02,计算电介质的相对介电系数。()

答案:2877电子很轻,它们对电场的反应很快,可以以光频跟随外电场变化。（）

答案:对电子导电材料中温度对载流子迁移率的影响为：低温下杂质离子对电子的散射起主要作用，高温下声子对电子的散射起主要作用。（）

答案:对电介质的相对介电常数(实部和虚部)随所加电场的频率而变化。在低频时,相对介电常数与频率无关。()

答案:对由理论结合强度是计算公式，可以看出材料的理论结合强度与材料的弹性模量、断裂表面能以及原子间距离的关系为：材料的理论结合强度与其弹性模量和断裂表面能成正相关，与原子间距成负相关。（）

答案:对由样品的电容充电所造成的电流，简称电容电流，引起的损耗称为电导损耗。（）

答案:错由弹性理论临界强度公式，下面各选项中不是提高材料强度的思路的是（）

答案:降低断裂表面能γ用同种材料制成的不同厚度的板材，如果厚度为2.0mm时其所能承受的最大降温速度为0.04K/s，厚度为4.0mm时所能承受的最大降温速度是多少？()

答案:0.01K/s物质磁性的来源是电子轨道磁矩和电子自旋磁矩，电子自旋磁矩为主。（）

答案:对灰铸铁弹性模量为111.8GPa，刚性模量为44GPa，它的泊松比为（）

答案:0.27滑石Mg[Si4O10](OH)2硅酸盐矿结构属何种结构类型？（）

答案:层状温度越高，材料的屈服强度越高，上下屈服强度的差值越大。（）

答案:错温度对致密的稳定氧化锆的热导率的影响最低。因此，致密稳定氧化锆是良好的高温耐火材料。（）

答案:对法向应力又叫正应力，使材料形状发生改变；剪应力又叫切应力，使材料尺寸发生改变。（）

答案:错求融熔石英的结合强度，设估计的表面能为1.75J/m2;Si-O的平衡原子间距为1.6*10-8cm;弹性模量从60到75Gpa。()

答案:25.62~28.64GPa氯化银晶体中缺陷的主要形式为Frenkel缺陷Agi·和VAg’，间隙银离子更容易迁移，可能迁移方式有间隙扩散和亚晶格间隙扩散。（）

答案:对氧化锆在1000℃附近发生晶型的转变，会造成4%左右的体积变化，使所组成的材料的热稳定性降低，加入MgO、CaO、Y2O3等氧化物作为稳定剂，与ZrO2形成立方晶型的固溶体，能做成稳定的氧化锆。（）

答案:对氧化铝晶体，硬质橡胶，硼硅酸盐玻璃三者弹性模量的大小关系为（）

答案:氧化铝晶体＞硼硅酸盐玻璃＞硬质橡胶氧化性气氛生成p型半导体，以下缺陷反应生成阴离子填隙（MaXb+y）型非化学计量化合物1/2O2(g)=Oi’’+2h•（）

答案:对氧化性气氛生成p型半导体，以下缺陷反应生成阳离子空位（Ma-yXb）型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h•+OO。（）

答案:对气孔率增大，材料的最大剪应力减小，蠕变速度减小。（）

答案:错气孔对固体的摩尔热容，体积热容有无影响？（）

答案:摩尔热容与气孔无关，体积热容须考虑气孔比较碱金属元素Li、Na、K、Rb、Cs的费密能大小（）

答案:Li＞Na＞K＞Rb＞Cs正应力的方向平行于作用面，剪应力的方向垂直于作用面。（）

答案:错正应力的方向____于作用面，剪应力的方向____于作用面（）

答案:垂直；平行橡胶，铁，氧化铝三者弹性模量的关系为E橡胶＜E铁＜E氧化铝。（）

答案:对根据本征击穿模型可知，击穿强度与试样形状无关,特别是击穿场强与试样厚度无关。（）

答案:对根据下图中金属的相图以及电阻率与状态关系示意图，表示形成连续固溶体电阻率变化情况的是（）。

答案:根据下图中金属的相图以及电阻率与状态关系示意图，表示形成连续固溶体电阻率变化情况的是（）。根据下图中金属的相图以及电阻率与状态关系示意图，表示形成正常价化合物电阻率变化情况的是（）。

答案:根据下图中金属的相图以及电阻率与状态关系示意图，表示形成正常价化合物电阻率变化情况的是（）。某种玻璃的折射率为1.5，若将其放入水中（水的折射率为1.33），求布儒斯特角。（）

答案:48.4°某种材料在空气中的布儒斯特角为58°，求该材料的折射率（空气的折射率约为1）。（）

答案:1.60某种介质的吸收系数αa=0.32cm-1，透射光强为入射光强的10%时，该介质的厚度为（）cm。

答案:7.20某种介质的吸收系数α=0.62cm-1，要使入射光线能量的35%不能穿过它，该介质的厚度至少是（）cm。（）

答案:0.695某种介质的吸收系数α=0.51cm-1，透射光强为入射光强的1/4时，该介质的厚度为（）cm。

答案:2.72某种介质的吸收系数α=0.45cm-1，透射光强为入射光强的一半时，该介质的厚度为()cm。（）

答案:1.54某单晶硅本征半导体的电子迁移率为1600cm2/（s·v），空穴迁移率为400cm2/（s·v），空穴的电量与电子的电量相同，其电子迁移数为（）

答案:0.8极细的纤维或晶须等材料的强度可以接近其理论结合强度。（）

答案:对材料表面制造大量细小裂纹可以降低能量，减缓裂纹的扩展，从而使材料的强度增加。（）

答案:对材料的尺寸效应是指尺寸越大的材料包含的缺陷（危险裂纹）越多，因此同材质大试件的强度偏低。（）

答案:对本征硅在室温下可作为红外光导探测器材料，试确定探测器的最大波长。（本征硅的禁带宽度为1.12eV）（）

答案:1109nm本征半导体材料的霍尔系数RH为0（假定电子和空穴的迁移率相同）。（）

答案:对有一实际使用应力σ=6×108Pa的构件，使用两种钢材：A钢：σys=8.2×108Pa，KIC=4.5×107Pa·m1/2；B钢：σys=6.6×108Pa，KIC=7.5×107Pa·m1/2，断裂力学观点，两种钢材的临界应力分别是多少，应该选用哪一种钢材？（设最大裂纹尺寸为0.1mm，裂纹几何形状因子为1.3）（）

答案:3.46GPa/5.77GPaB有一厚度t=5mm，宽2b=340mm的平板，具有中心贯穿裂纹，裂纹长为2a=16mm，板端受拉力F=1.3MN。若材料σs=1210MPa,KIc=4030MPa(mm)0.5。板的应力强度因子为多少，能否正常工作。（）

答案:3833MPa(mm)0.5可以晶面指数较小的面，原子的面密度越大，面间距越大，原子间的作用力______，___产生相对滑动。（）

答案:越小；易晶体和非晶体材料的导热系数在高温时比较接近。（）

答案:对晶体产生Frenkel缺陷时，晶体体积变大，晶体密度变小。（）

答案:错晶体中的缺陷、杂质和晶粒界面都会引起格波的散射，等效于声子平均自由程的减少从而降低热导率。（）

答案:对无限大板A、B受拉力，已知板A含贯穿裂纹长度为2a=40.8mm，板B含边缘穿透裂纹长度为2a=37mm，外加应力均为250MPa，材料的断裂韧度KC=63.25MPam2，则板A、B是否会发生断裂。()

答案:A板断裂，B板断裂无限大板A、B受拉力，已知板A含贯穿裂纹长度为2a=40.8mm，板B含贯穿裂纹长度为2a=5.7mm，外加应力均为250MPa，材料的断裂韧度KC=63.25MPam2，则板A、B是否会发生断裂。()

答案:A板断裂，B板不会断裂无机材料的抗拉强度和抗压强度差异明显，抗拉强度约为抗压强度十倍。（）

答案:错无机（多晶）材料的强度与其晶粒大小有关：晶粒越小，强度越高。（）

答案:对方镁石（MgO）的密度是3.58g/cm3，其晶格常数是0.42nm，计算MgO中每个晶胞中肖特基缺陷的数目（MgO为立方晶系，1个MgO晶胞中有4个MgO分子，Mg原子量24.305，O原子量15.999）。（）

答案:0.04形变速度越慢，材料的屈服强度越大，上下屈服强度的差值越大。（）

答案:错形变速度越快，材料的脆性越差，塑性越强。（）

答案:错当表面能级低于半导体的费米能级，即为受主表面能能级时，从半导体内部俘获电子而带负电，内层带正电在表面附近形成表面空间电荷层。（）

答案:对当氯化钠在钠蒸气中加热再冷却后，就会带上黄色，生成阴离子空位型非化学计量化合物：(1-x)NaCl+xNa(g)=NaCl(1-x)，阴离子空位和束缚电子，被称为“V心”。（）

答案:错当正型尖晶石CdFe2O4掺入反型尖晶石如磁铁矿Fe3O4时，Cd离子仍保持正型分布。试计算当正型尖晶石CdFe2O4掺入反型尖晶石如磁铁矿Fe3O4时，Cd离子仍保持正型分布。试计算下列组成的磁矩：CdzFe2.9O4。（）

答案:z=0.1，μ=4.6μB当正型尖晶石CdFe2O4掺入反型尖晶石如磁铁矿Fe3O4时，Cd离子仍保持正型分布。试计算下列组成的磁矩：CdzFe3O4。（）

答案:z=0，μ=4μB当正型尖晶石CdFe2O4掺入反型尖晶石如磁铁矿Fe3O4时，Cd离子仍保持正型分布。试计算下列组成的磁矩：CdzFe2.5O4。（）

答案:z=0.5，μ=μB当某材料的气孔率为0.5时，材料的强度与理论强度的关系是（假设n为5）（）

答案:σf=0.0821σ0当某材料的气孔率为0.1时，材料的强度与理论强度的关系是（）

答案:σf=σ0exp(-0.1n)当外加电场频率ω很低,即ω→0,介质的各种极化机制都能跟上电场的变化,此时不存在极化损耗,相对介电常数最大。()

答案:对弹性模量是材料正应力与正应变的比值，又叫剪切弹性模量；刚性模量是剪应力与剪应变的比值，又叫杨氏模量。（）

答案:错弹性材料的特点是具有极大的弹性形变，没有残余形变。（）

答案:对建筑材料、黏土质耐火砖、保温砖的热导率随温度的升高而线性降低。（）

答案:错平面应变断裂韧性即临界应力场强度因子。（）

答案:对平面应变断裂强度小于平面应力断裂强度。（）

答案:对平行于受拉应力方向上投影最长的裂纹是材料的最危险裂纹。（）

答案:错布儒斯特定律提供一种测定不透明电介质折射率的方法，今测得某一电介质的起偏角为57°，试求这一电介质的折射率（空气的折射率约为1）。（）

答案:1.54已知某离子晶体的晶格常数为5.0×10-8cm，固有振动频率为1012Hz，晶格势能垒为0.5eV，求300K时的离子迁移率为（）。

答案:6.19×10-11cm2/s·V已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5´1010cm-3，试求掺磷浓度为1.5´1013cm-3，掺硼浓度为1.0´1013cm-3的硅样品在室温热平衡状态下的电子密度n0、空穴密度p0和费米能级的位置（Ec-EF）。已知此时硅中杂质原子已全部电离，硅的导带底和价带顶有效态密度分别为2.8´1019cm-3和1.1´1019cm-3。()

答案:n0=5´1012cm-3,p0=4.5´107cm-3,Ec-EF=0.404eV已知NaI的A1=1.0×106s·m-1，W1=118kJ/mol，A2=6s·m-1，W2=59kJ/mol；计算在300K时的电导率。（）s·m-1

答案:3.27×10-10已知NaCl的A1=5.0×107s·m-1，W1=169kJ/mol，A2=50s·m-1，W2=82kJ/mol；计算在300K时的电导率。（）

答案:2.7×10-13s·m-1已知NaBr的A1=2.0×107s·m-1，W1=168kJ/mol，A2=20s·m-1，W2=77kJ/mol；计算在300K时的电导率（）s·m-1

答案:8.05×10-13已知CaO的肖特基缺陷生成能为6ev，欲使Ca2+在CaO中的扩散直至CaO的熔点（2600℃）都是非本征扩散，要求三价杂质离子的浓度是多少？（）

答案:1.1×10-5居里温度是指铁磁性和顺磁性的转变温度或者铁磁性体表现出铁磁性的最高温度。（）

答案:对导体从正常态转变为超导态的温度是超导体的临界温度Tc。（）

答案:对对于激光器，三能级系统比四能级系统工作效率更高。（）

答案:错对于二维正方格子，第一布里渊区角上π/a(1,1)的自由电子动能是区边中心点π/a(1,0)的几倍（）

答案:2安全系数是指屈服强度或断裂强度与允许应力的比值。（）

答案:对如电子占据某一能级的几率为1/4，另一能级被占据的几率为3/4，分别计算两个能级的能量比费密能高出多少kT（）

答案:1.099kT，-1.099kT如果输入电流所产生的磁场与外加磁场之和超过超导体的临界磁场Bc时,则超导态被破坏。（）

答案:对如果对某试样测得的霍尔系数RH为负值，则其电导载流子为空穴。（）

答案:错如果对某试样测得的霍尔系数RH为正值，则其电导载流子为电子。（）

答案:错如果二氧化钛多晶材料中含有7.00%体积的气孔，假定无气孔二氧化钛多晶在1000℃下的热导率为0.0400J/(s·cm·℃)，试计算这种材料的热导率大约是多少?()

答案:0.0372J/(s·cm·℃)如果二氧化钛多晶材料中含有5.00%体积的气孔，假定无气孔二氧化钛多晶在1000℃下的热导率为0.0400J/(s·cm·℃)，试计算这种材料的热导率大约是多少?()

答案:0.0380J/(s·cm·℃)如果CaF2晶体中，含有百万分之一的YF3杂质，则在1600℃时，CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF2晶体中弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV）？（）

答案:错如图所示，穿过偏振片B的偏振光强度为I0，偏振片B与N的夹角为30°，不计偏振片对光能量的吸收，则透过检偏器N的出射光强为（）

答案:如图所示，穿过偏振片B的偏振光强度为I0，偏振片B与N的夹角为30°，不计偏振片对光能量的吸收，则透过检偏器N的出射光强为（）如图所示，单色自然光（光强为I0）垂直入射于偏振片M，偏振片M与N的透振方向相互平行，并在M与N间平行地插入另一偏振片B，B与M透振方向夹角为60°，求透过检偏器N后的出射光强。（不计偏振片对光能量的吸收）（）

答案:如图所示，单色自然光（光强为I0）垂直入射于偏振片M，偏振片M与N的透振方向相互平行，并在M与N间平行地插入另一偏振片B，B与M透振方向夹角为60°，求透过检偏器N后的出射光强。（不计偏振片对光能量的吸收）（）多晶材料的晶粒越小，其蠕变速率越大。（）

答案:对多晶材料多是沿晶界断裂。（）

答案:对多晶体材料和相同组成的固溶体材料的热导率更大，在氧化镁中掺入氧化钙或氧化钡，造成的热导率的变化大。（）

答案:多晶体，氧化钡。多价阳离子固溶体中非金属原子过剩时形成n型半导体；金属原子过剩时形成p型半导体。（）

答案:错外磁场使物质中的磁矩有规则取向，使物质表现出宏观磁性。（）

答案:对处于超导态的超导体是一抗磁体，此时超导体具有屏蔽磁场和排除磁通的功能。（）

答案:对声子的频率和温度如何影响固体的热导率？（）

答案:频率ν为音频时，波长长，热导率大。温度升高，热导率降低。声子平均自由程越大，晶体热导率越小。（）

答案:错垂直于受拉应力方向上投影最长的裂纹是材料的最危险裂纹。（）

答案:对均匀的介质（折射率n处处相等）可以发生散射。（）

答案:错在高纯度BaTiO3原料中添加微量镧用普通陶瓷工艺烧成，得到的陶瓷具有p型半导体的性质。()

答案:错在金属中形成一个空位所需要的激活能为2.0eV（或0.32×10-18J）。在时，1×104个原子中有一个空位，问在何种温度下，1000个原子中含有1个空位？（）

答案:928℃在较高温度下，固溶体材料的热导率的杂质效应与温度无关。（）

答案:错在直流电下，介质损耗不仅与自由电荷的电导有关，还与松弛极化过程有关，所以它不仅决定于自由电荷电导，还与束缚电荷产生有关（与频率有关的量）。（）

答案:错在用MgCl2掺杂的NaCl晶体中，钠离子空位VNa’缺陷占优势（）

答案:对在氧化铝中掺杂摩尔百分数分别为0.5%的NiO和0.02%的Cr2O3,制成金黄色的人造黄玉，经分析是形成了置换型固溶体。写出人造黄玉的固溶分子式为（）

答案:Al1.9946Ni0.005Cr0.0004O2.9975在材料表面制造大量细小裂纹可以降低表面长裂纹出现的几率。（）

答案:对在外磁场存在下材料内磁化强度为负时，固体表现为抗磁性。（）

答案:对在单晶体、多晶体、多孔烧结体、纤维和粉末五种材料中，哪几种常用作隔热保温材料？（）

答案:多孔烧结体、纤维、粉末在半导体硅中杂质P起施主作用；Al起受主作用，同时含磷和铝，但铝浓度高的Si是p型半导体。（）

答案:对在元素周期表中，相应单质弹性模量的大小关系为：同一周期，弹性模量逐渐减小；同一主族，弹性模量逐渐增大。（）

答案:错在中低温下，传热以声子传导为主；在高温下，传导以光子传导为主。（）

答案:对在不改变材料结构的情况下，气孔率的增大总是使材料的热导率降低。（）

答案:对在不改变材料结构的情况下，气孔率的增大总是使材料的热导率升高。（）

答案:错在一种还原性气氛中加热的WO3晶体中，氧空位VO..和W(V)缺陷占优势。（）

答案:对在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。P区接负极，n区接正极，形成负偏压。（）

答案:对在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。P区接负极，n区接正极，形成正偏压。（）

答案:错在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。p区接电压正极，n区接电压负极，形成负偏压。（）

答案:错在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。p区接电压正极，n区接电压负极，形成正偏压。（）

答案:对在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在25℃时热缺陷的浓度？（）

答案:2.21×10-24在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在1600℃时热缺陷的浓度？（）

答案:1.72×10-4在800℃时1010个原子中有1个原子具有足够能量可在固体内移动；而在900℃时，109个原子中就有1个原子实现上述情况，试求其激活能（J/原子）。（）

答案:4.0×10-19J/原子在（773K）所做扩散实验指出，在金属1010个原子中有一个原子具有足够的激活能可以跳出其平衡位置而进入间隙位置，在时，此比例会增加到109，问：（1）此跳跃所需要的激活能？（2）在（973K）具有足够能量的原子所占的比例为多少？()

答案:①2.14×10-19J/atom②6.2×10-9因为金属中自由电子浓度很大，远远超过半导体的载流子密度，故半导体的霍尔系数小于金属。（）

答案:错因为金属中自由电子浓度很大，远远超过半导体的载流子密度，故半导体的霍尔系数大于金属。（）

答案:对含玻璃相的多晶多相材料的电导率主要取决于其玻璃相。（）

答案:对同种物质的单晶体与多晶体相比，单晶体的热导率低。（）

答案:错同种物质，单晶材料强度小于多晶材料。（）

答案:错同种物质，单晶材料强度大于多晶材料。（）

答案:对同一种材料的薄板和厚版相比，断裂韧性更大。（）

答案:对同一种晶体中电子的迁移率μe小于空穴的迁移率μh。（）

答案:错同一种晶体中电子的迁移率μe大于空穴的迁移率μh。（）

答案:错只要有被未充满的电子的原子就一定显示出磁性。（）

答案:错发磷光的材料往往含有杂质并在能隙附近建立了施主能级。（）

答案:对反铁磁性物质在奈尔点以下磁化率随温度增加而增加，在奈尔点以上随温度增加而减小，抗磁性物质磁化率为负值，顺磁性物质随温度增加磁化率减小。（）

答案:对反型尖晶石结构Zn0.2Mn0.8Fe2O4的单位体积饱和磁矩为（）

答案:4μB反型尖晶石结构MgFe2O4的单位体积饱和磁矩为()

答案:0反型尖晶石结构CoFe2O4的单位体积饱和磁矩为（）

答案:3μB原子间结合力越大，弹性模量E越小。（）

答案:错压敏效应为对电压变化敏感的非线性电阻效应，即在某一临界电压下，电阻值非常高，几乎无电流通过，超过该临界电压，电阻迅速降低，让电流通过。（）

答案:对单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV，等效状态密度N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（）。

答案:6.7×108/cm3单晶氧化铝、致密多晶氧化铝、多孔烧结氧化铝、粉体氧化铝的热导率从大到小的顺序依次为（）

答案:单晶氧化铝、致密多晶氧化铝、多孔烧结氧化铝、粉体氧化铝半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动，随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。（）

答案:对化合物半导体的禁带宽度一般随平均原子系数的增加而变窄，如GaN＞GaP。（）

答案:对决定裂纹快速扩展的条件是应力大于临界应力或裂纹超过临界尺寸。（）

答案:对具有对称中心或结构任意混乱的介质，既具有一次电光效应，又具有二次电光效应。（）

答案:错具有对称中心或结构任意混乱的介质，不具有一次电光效应，只具有二次电光效应。（）

答案:对关于应变蠕变和应力弛豫，以下说法正确的是（）

答案:应变蠕变指对黏弹性体施加恒定应力，应变随时间而增加的现象关于剪应力与粘度的关系，正确的说法是（）

答案:当剪应力小时，粘度和应力无关；当剪应力大时，随温度升高，粘度下降关于不同因素对蠕变的影响，错误的是（）

答案:玻璃相粘度越小，蠕变率越小。光子热传导的表示方法正确的是（）

答案:光子热传导的表示方法正确的是（）假定无气孔二氧化钛多晶在1000℃下的热导率为0.0400J/(s·cm·℃)，若某含有气孔的二氧化钛多晶材料的热导率为0.0380J/(s·cm·℃)，试计算这种材料的气孔率大约是多少?（）

答案:5.00%俘获了空穴的阳离子空位为F心。（）

答案:错作为红外透过材料使用时，晶体的透过长波限较大。（）

答案:对体心立方格子的倒格子是面心立方，倒格矢的长度(基矢的长度)为（）

答案:体心立方格子的倒格子是面心立方，倒格矢的长度(基矢的长度)为（）低温时有较高热导率的材料的热导率随温度的升高而降低，低温时有较低热导率的材料的热导率随温度的升高而升高。（）

答案:对低温时有较高热导率的材料的热导率随温度的升高而升高，低温时有较低热导率的材料的热导率随温度的升高而降低。（）

答案:错以四价原子、二维正方空晶格为例计算自由电子的费密波矢为（）

答案:以四价原子、二维正方空晶格为例计算自由电子的费密波矢为（）以下哪种材料的折射率最大？（）

答案:PbS以下哪一项时用矩阵表示的钛酸钡晶体压电常数。（）

答案:以下哪一项时用矩阵表示的钛酸钡晶体压电常数。（）以下关于应力与应变的说法中，错误的是（）

答案:对于剪应力，如果体积元任一面上的法向应力与坐标轴的正方向相同，则该面上的剪应力指向坐标轴的负方向者为正，反之则为负。以下不属于非金属产生滑移条件的是（）

答案:柏格斯矢量大以下不属于容易引起滑移面增多的条件是（）

答案:材料塑性较差从磁畴的角度解释磁化的原理：由于各个磁畴之间彼此取向不同，无外磁场条件下首尾相连，形成闭合磁路，磁性材料在空气中的自由静磁能为0，对外不显磁性，只有通过充分磁化，使材料各磁畴的空间取向趋于一致，才能使材料呈现出很大的磁化强度，从而得到应用。（）

答案:对从对磁畴组织的观察中，可以看到有的磁畴大而长，称为主畴，其自发磁化方向必定沿晶体的易磁化方向。（）

答案:对什么材料更容易发生脆性断裂。()

答案:无机非金属材料亚间隙机构与空位机构相比，造成的晶格变形大；与间隙机构相比，晶格变形小。AgBr晶体中的间隙Ag+的扩散，萤石型结构UO2+x晶体中间隙O2-的扩散属于亚间隙扩散机构。（）

答案:对下图属于四价原子二维正方格子的近自由电子费密面的是（）

答案:下图属于四价原子二维正方格子的近自由电子费密面的是（）下图属于三价原子二维正方格子的自由电子费密面的是（）

答案:下图属于三价原子二维正方格子的自由电子费密面的是（）下图中二维正方格子的第二布里渊区的形状为（）

答案:下图中二维正方格子的第二布里渊区的形状为（）下列的磁性中属于强磁性的是（）

答案:亚铁磁性下列四种物质，导热率最小的是（）

答案:ZrO下列四种物质，导热率最大的是（）

答案:CaO下列关于激光的说法中错误的是（）。

答案:半导体激光器的特点是体积小,效率较高,运行简单，单色性好。三维晶体的布里渊区的界面构成一多面体，下图中为体心立方晶格第一布里渊区的为（）

答案:三维晶体的布里渊区的界面构成一多面体，下图中为体心立方晶格第一布里渊区的为（）一陶瓷材料的断裂韧性为1.62MPa.m2，该材料制成的零件上有一垂直于拉应力的边裂，如边裂长度为2mm，求零件的临界应力。()

答案:18.25MPa一陶瓷材料的断裂韧性为1.62MPa.m2，该材料制成的零件上有一垂直于拉应力的边裂，如边裂长度为2um，求零件的临界应力。()

答案:577.04MPa一陶瓷含体积百分比为95%的氧化铝（E=380GPa）和5%的玻璃相（E=84GPa），则其上限及下限弹性模量分别为（）

答案:365.2GPa，323.1GPa一陶瓷含体积百分比为95%的TiC（E=310GPa）和5%的玻璃相（E=74GPa），则其上限及下限弹性模量分别为（）

答案:298.2GPa，267.4GPa一陶瓷含体积百分比为95%的MoSi2（E=407GPa）和5%的玻璃相（E=61GPa），则其上限及下限弹性模量分别为（）

答案:389.7GPa，317.1GPa一陶瓷三点弯曲试件，在受拉面上于跨度中间有一竖向切口如图。如果E=380Gpa，μ=0.24，求KIc值，设极限荷载达50Kg。计算此材料的断裂表面能。()

答案:3.28J/m2一般材料,在高温、低频下,主要为电离损耗,在常温、高频下,主要为松驰极化损耗,在高频、低温下主要为结构损耗。（）

答案:错一般折射率小、结构松散的电介质，如硅酸盐玻璃、绿宝石、堇青石等矿物，主要表现为空间电荷极化。（）

答案:错一般折射率小、结构松散的电介质，如硅酸盐玻璃、绿宝石、堇青石等矿物，主要表现为离子松弛极化。（）

答案:对一般折射率大、结构紧密、内电场大、电子电导大的电介质，如含钛瓷，主要表现为空间电荷极化。（）

答案:错一般在外电场用下(人工极化)，90°电畴转向比较充分，同时由于“转向”时结构畸变小，内应力小，因而这种转向比较稳定，而180°电畴的转向是不充分的。（）

答案:错一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量小于空穴有效质量，其电子迁移率大于空穴迁移率。（）

答案:对一热机部件由反应烧结氮化硅（第一热应力因子R=547℃）制成，一些基本性能参数如下：热导率λ=0.184J/(cm·s·℃)，α=2.5×10-6/℃;σf=310MPa.E=172GPa,μ=0.24.则其第一及第二热冲击断裂抵抗因子的值分别为（）

答案:547℃，100.65J/(cm·s)判断题一块1cm×4cm×0.5cm的陶瓷介质，其电容为2.4*10-6μF，损耗因子tgδ为0.02。求相对介电常数（）

答案:3.39一个波尔磁子的大小为（）

答案:一个波尔磁子的大小为（）一CaF2（E=160GPa）陶瓷材料的气孔率为5%，根据公式计算其弹性模量约为（）

答案:145GPa一BaTiO3（E=123GPa）陶瓷材料的气孔率为5%，根据公式计算其弹性模量约为（）

答案:112GPaZnS禁带宽度为3.6eV，ZnS中杂质形成的陷阱能级为导带下的1.38eV，试计算发光波长并确定发光类型。（）

答案:560nm，磷光ZnO属六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每个晶胞中含有2个ZnO分子，测得晶体密度为5.74g/cm3，这种情况下产生置换型固溶体。（）

答案:错ZnO属六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每个晶胞中含有2个ZnO分子，测得晶体密度为5.606g/cm3，这种情况下产生间隙型固溶体。（）

答案:错TiO2等金属氧化物，在还原气体中焙烧时，还原气氛夺取了TiO2中的部分氧在晶格中产生氧空位。每个氧离子在离开晶格时要交出两个电子。这两个电子可将两个Ti4+还原成Ti3+，但三价Ti3+离子不稳定，会恢复四价放出两个电子，由于氧离子缺位，分子表达式为TiO2-x。此时电子浓度、氧空位浓度和氧分压的关系为：（）

答案:TiO2等金属氧化物，在还原气体中焙烧时，还原气氛夺取了TiO2中的部分氧在晶格中产生氧空位。每个氧离子在离开晶格时要交出两个电子。这两个电子可将两个Ti4+还原成Ti3+，但三价Ti3+离子不稳定，会恢复四价放出两个电子，由于氧离子缺位，分子表达式为TiO2-x。此时电子浓度、氧空位浓度和氧分压的关系为：（）SiC的一些基本性能参数为：α=3.8×10-6/℃;σf=414MPa.E=400GPa,μ=0.17.则其第一及热冲击断裂抵抗因子R的值为（）℃