1+X集成电路理论模拟习题及答案

1+X集成电路理论模拟习题及答案一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.晶圆进行扎针测试时，其操作步骤正确的是（）。A、输入晶圆信息→清零→测试→检查扎针情况（无异常）→继续测试→记录测试结果B、输入晶圆信息→检查扎针情况（无异常）→测试→清零→继续测试→记录测试结果C、输入晶圆信息→测试→检查扎针情况（有异常）→异常情况处理→清零→继续测试→记录测试结果D、输入晶圆信息→测试→清零→检查扎针情况（有异常）→异常情况处理→继续测试→记录测试结果正确答案：A2.分选机选择依据是（）。A、芯片的应用等级B、芯片的电气特性C、芯片的管脚数量D、芯片封装类型正确答案：D3.一般情况下，制造晶圆的原材料是()。A、硼B、锗C、硅D、硒正确答案：C答案解析：晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。4.晶圆检测工艺中，在进行打点之后，需要进行的操作是()。A、加温、扎针调试B、扎针测试C、烘烤D、外检正确答案：C答案解析：晶圆检测工艺流程：导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库。5.植球时，球和焊盘金属形成冶金结合，此时形成的焊点为（）。A、第一焊点B、第二焊点C、第三焊点D、芯片焊点正确答案：A答案解析：劈刀下降到芯片焊点表面，加大压力和功率，使球和焊盘金属形成冶金结合，形成第一焊点。6.下面选项中不属于镀锡工序中酸洗的目的是（）。A、中和碱性膜B、消毒C、增加表面活性D、增强镀层与框架结合度正确答案：B答案解析：酸洗的目的一般是为了中和碱性膜，并将引线金属表面的氧化膜清除，增加基层表面活性，使镀锡时镀层能与引线金属牢固结合。7.用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时，通过()可以得到高纯度的四氯化硅。A、高温还原炉B、精馏塔C、多晶沉积设备D、单晶炉正确答案：B答案解析：用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时，通常使用精馏法，精馏法是在精馏塔中实现的。8.以全自动探针台为例，上片过程中，当承重台下降到指定位置时，()。A、红色指示灯亮B、红色指示灯灭C、绿色指示灯亮D、绿色指示灯灭正确答案：B答案解析：以全自动探针台为例，承重台前的两个按钮指示灯：绿色表示上升，红色表示下降。承重台下降到指定位置后，下降指示灯灭，即红色指示灯灭。9.脱水烘烤是在（）的气氛中进行烘烤。A、真空B、干燥氮气C、真空或干燥氮气D、清洁的空气正确答案：C答案解析：脱水烘烤是在真空或干燥氮气的气氛中进行。10.下列说法错误的是（）。A、在cadence软件界面上，单击Tools菜单，选择LibraryManager命令，出现“库文件管理器”B、用户可以在库文件里新建单元，但不能在新建的单元下新建视图C、选择Tool选项中的Composer-Schematic选项，表示在单元下建立电路图视图D、在电路编辑窗口中，利用图标栏可以快速建立、编辑电路图正确答案：B11.使用测编一体的转塔式分选设备进行芯片测试时，如果遇到需要编带的芯片，在测试完成后的操作是（）。A、编带B、外观检查C、测试D、上料正确答案：A12.塑封一般采用（）为塑封料。A、热固性塑料B、人工催化塑料C、芳烃类塑料D、结晶性塑料E、热塑性塑料正确答案：A13.晶圆进行扎针测试时，测试机将测试结果通过（）传输给探针台。A、USDB、GPIBC、HDMID、VGA正确答案：B14.管装装内盒时，在内盒上贴有()种标签。A、1B、2C、3D、4正确答案：B答案解析：管装内盒上的标签有合格标签和含芯片信息的标签。15.封装工艺中，在完成芯片粘接后需要进行银浆固化，该环节在烘干箱中进行，一般在（）℃的环境下烘烤1小时。A、175B、200C、150D、225正确答案：A16.下面选项中不属于激光打字的优点的是（）。A、精度高B、塑封体上易反复进行C、不易擦除D、字迹清晰正确答案：B17.下列有关平移式分选机描述错误的是（）。A、平移式分选机是采用测压手臂下压的压测方式进行的B、通过入料梭移动将芯片从待测区“中转站”转移至测试区，等待测压手臂吸取芯片进行测试。C、收料时，为了确保料盘能平稳地放入，需要将收料架上的料盘向下压紧D、测试机通过GPIB将测试结果反馈给分选机，在分选机的显示界面显示测试结果并记录正确答案：C18.扎针测试时，测试机将测试结果通过()传输给探针台。A、USBB、GPIBC、HDMID、VGA正确答案：B答案解析：扎针测试时，测试机将测试结果通过GPIB传输给探针台。19.在刻蚀工艺中，有几个非常重要的参数，其中（）定义为当刻蚀线条时，刻蚀的深度V与一边的横向增加量ΔX的比值V/ΔX，比值越大，说明横向刻蚀速率小，刻蚀图形的保真度好。A、刻蚀因子B、刻蚀速率C、选择比D、均匀性正确答案：A20.用比色法进行氧化层厚度的检测时，看到的色彩是（）色彩。A、衍射B、二氧化硅本身的C、反射D、干涉正确答案：D21.以下不属于模拟集成电路的是（）。A、稳压器B、功率放大器C、运算放大器D、锁相环正确答案：D22.平移式设备芯片检测工艺流程中，上料之后的环节是()。A、测试B、分选C、真空包装D、外观检查正确答案：A答案解析：平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料→测试→分选→外观检查→真空包装。23.转塔式分选机常见故障不包括（）。A、真空吸嘴无芯片B、测试卡与测试机调用的测试程序错误C、料轨堵塞D、IC定位错误正确答案：D24.重力式分选机进行芯片检测时，测试机对芯片测试完毕后，将检测结果通过()把结果传回分选机。A、GPIBB、数据线C、串口D、VGA正确答案：A答案解析：重力式分选机进行芯片检测时，测试机对芯片测试完毕后，将芯片检测结果通过GPIB传回分选机25.风淋室在运行时，风淋喷嘴可以喷出（）的洁净强风。A、高温烘烤B、车间内部C、低温处理D、高效过滤正确答案：D答案解析：风淋是为了吹出人体表面的灰尘，故其喷出的风必须是经过高效过滤，除掉掉微尘的洁净风。26.平移式分选机设备的上料步骤正确的是：()。A、待测芯片上料→吸嘴转移芯片→空料盘替换B、吸嘴转移芯片→待测芯片上料→空料盘替换C、空料盘替换→待测芯片上料→吸嘴转移芯片D、吸嘴转移芯片→空料盘替换→待测芯片上料正确答案：A答案解析：平移式分选机设备的上料步骤为：待测芯片上料→吸嘴转移芯片→空料盘替换。27.晶圆进行扎针测试时，完成晶圆信息的输入后，需要核对（）上的信息，确保三者的信息一致。A、MAP图、测试机操作界面、晶圆测试随件单B、MAP图、探针台界面、晶圆测试随件单C、MAP图、软件检测程序、晶圆测试随件单D、MAP图、软件版本、晶圆测试随件单正确答案：A28.添加连线时，在先的起点处（）鼠标，移动光标，在线的终点（）鼠标完成连线绘制。A、双击、双击B、单击、单击C、单击、双击D、双击、单击正确答案：C29.风淋的作用是（）。A、清除进入车间的人或物体表面的灰尘B、检测进入车间人员的体重与生态状况C、降低人体衣物表面的温度D、使衣物保持洁净、平整正确答案：A答案解析：风淋的操作是针对芯片处于裸露状态工艺的车间设计的，其目的是为了清除进入车间的人或物体表面的灰尘，保证车间内的无尘环境不被破坏。30.（）是芯片制造过程中在元器件表面上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以便形成互连线和集成电路填充塞的过程。A、刻蚀B、薄膜制备C、填充D、金属化正确答案：D答案解析：金属化是芯片制造过程中在元器件表面上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以便形成互连线和集成电路填充塞的过程。31.在淀积时，反应气体的多少会影响淀积的速率及均匀性，因此需严格控制气体流量，通常采用（）来实现精确控制。A、电磁流量计B、质量流量计C、气体流量计D、液体流量计正确答案：B32.点银浆时，银浆的覆盖范围需要（）。A、小于50%B、大于50%C、大于75%D、不小于90%正确答案：C答案解析：引线框架被推至点银浆指定位置后，点胶头在晶粒座预定粘着晶粒的位置点上定量的银浆（银浆覆盖范围>75%）。33.平移式分选机设备测试环节的流程是：()。A、吸取、搬运芯片→入料梭转移芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片B、入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片C、入料梭转移芯片→搬运、吹放芯片→压测→记录测试结果→吸取、搬运芯片D、搬运、吹放芯片→入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果正确答案：B答案解析：平移式分选机设备测试环节的流程是：入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片。34.用重力式选机设备进行芯片检测的第二个环节是()。A、分选B、测试C、上料D、外观检查正确答案：B答案解析：重力式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料→测试→分选→编带（SOP）→外观检查→真空包装。35.电镀工序中完成前期清洗后，下一步操作是（）A、装料B、高温退火C、电镀D、后期清洗正确答案：C答案解析：电镀流程：装料→前期清洗→电镀槽电镀→后期清洗→高温退火。36.“6s”的管理方式相较于“5s”，多的一项内容是（）。A、整理B、整顿C、清洁D、安全正确答案：D答案解析：5S即整理、整顿、清扫、清洁、素养。6S管理是5S的升级，6S即整理、整顿、清扫、清洁、素养、安全(SECURITY)。37.料盘完成外观检查后,需要进入()环节。A、分选B、上料C、测试D、真空包装正确答案：D答案解析：平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为:上料→测试一分选一外观检查-真空包装。38.封装工艺中，在晶圆切割后的光检中环节发现的不良废品，需要做（）处理。A、修复B、剔除C、标记D、降档正确答案：B39.晶圆检测工艺中，进行晶圆烘烤时，温度一般设置在（）℃。A、120B、150C、130D、110正确答案：A二、多选题（共26题，每题1分，共26分）1.塑封工序需要的设备有（）。A、装片机B、转塔式分选机C、显微镜D、排片机E、高频预热机F、注塑机正确答案：DEF答案解析：装片机-芯片粘接工序；转塔式分选机-芯片检测工艺；显微镜-第二道光检和第三道光检；排片机、高频预热机、注塑机-塑封工艺。2.出现下列()的情况可能需要进行墨管更换。A、墨点大小点B、小而空心的墨点C、位置偏移且在晶粒上的偏移情况一致D、位置偏移且在晶粒上的偏移情况不一致正确答案：AB答案解析：出现墨点大小点、小而空心的墨点等情况需更换墨管。出现位置偏移且在晶粒上的偏移情况一致则需要调节打点器的旋钮，使墨点处于晶粒中央。出现位置偏移且在晶粒上的偏移情况不一致等情况需调节打点的步进。3.塑封时（）等现象统称为飞边毛刺现象。A、树脂溢料B、贴带毛边C、生长晶须D、引线毛刺正确答案：ABD答案解析：晶须是在电镀之后，高浓度的锡在潮湿或者温度变化的环境中易生长出晶须，不同于飞边毛刺，故C选项不选。4.抑制通道效应的方法有（）。A、破坏表面硅原子的排列（预先浅注入）B、将晶圆倾斜一定的角度C、表面铺一层非结晶材质SiO2D、进行快速热退火正确答案：ABC答案解析：快速热退火使为了消除晶格损伤。5.通常情况下，以下()封装形式的芯片采用重力式分选机设备进行测试。A、SOP封装B、QFN封装C、LGA封装D、DIP封装正确答案：AD答案解析：通常情况下，DIP封装和SOP封装采用重力式分选机进行测试，LGA封装采用转塔式分选机进行测试，QFN封装采用平移式分选机进行测试。6.测试机可以实现()等功能。A、电性的测试B、测试程序的下载C、施加电压电流D、采集测试数据正确答案：ABCD答案解析：测试机可以实现电性的测试、测试程序的下载、施加电压电流、采集测试数据等功能。7.封装工艺中，塑封时出现的（）等现象统称为飞边毛刺现象。A、树脂溢料B、贴带毛边C、引线毛刺D、生长晶须正确答案：ABC8.选择集成电路的关键因素主要包括（）。A、性能价格比B、性能指标C、工作条件D、芯片原料正确答案：ABC9.编带外观检查前需要准备的工具是()。A、保护带B、放大镜C、纸胶带D、防静电铝箔袋正确答案：ABC答案解析：在编带外观检查前，需要准备保护带、纸胶带、放大镜、周转盘等。防静电铝箔袋是抽真空环节会用到的材料。10.银浆固化在烘干箱中进行，在（）℃的环境下烘烤（）小时A、175B、100C、1D、8正确答案：AC答案解析：为了使芯片与引线框架之间焊接牢固，需要进行银浆固化处理。利用银浆在高温下能完全反应的特性，将贴装完成的芯片放于烘干箱中，在175℃的环境下高温烘烤1个小时。11.以下属于技术文件的是（）。A、各个层的定义B、符号化层的定义C、层、物理和电学规则等的定义D、版图转换成GDSII时所用到的层号和定义正确答案：ABCD12.扎针测试时，在MAP图上可能会看到()区域。A、沿边直接剔除区域B、故障区域C、待测区域D、测试合格区域正确答案：ABCD答案解析：扎针测试过程中，在MAP图上会出现不同的标记，含有沿边直接剔除区域、测试区域、待测扎针、故障区域、待测区域。13.电子产品组装工作是由多种基本技术构成的,如（）。A、焊接技术B、线材加工处理技术C、质量检验技术D、调试技术正确答案：ABC14.直径大于8英寸的单晶硅锭可以用()方法制备出来。A、FZ法B、CZ法C、直拉法D、悬浮区熔法正确答案：BC答案解析：只有直拉法能制造处直径大于200mm的单晶硅锭，直拉法又称CZ法，其中8英寸的晶圆直径为200mm。15.以下LED流水灯程序少了一部分代码，应增加那一部分的代码（）。A、在点亮LED后，增加一段延时时间B、使用PWM输出控制LED亮灭C、在点亮LED灯后用定时器控制LED灯点亮时间D、循环较短，再增加一个循环语句正确答案：AC16.用重力式设备进行芯片检测时，可用于并行测试的芯片有()。（多选题）A、DIPB、DIP24C、SOPD、DIP27正确答案：AC答案解析：并行测试一般是进行单项测试，适用于普通DIP/SOP封装的芯片；串行测试一般是要进行多项测试，适用于DIP24/DIP27等模块电路。17.下列平移式分选机的日常维护频率错判的是（）。A、电源供应：每周B、机械手臂：每日C、测试压座：每月D、高压空气：每日正确答案：ABC18.编带外观检查的内容有（）。A、盖带皱纹B、载带破损C、脱胶D、压痕正确答案：ABCD19.下列描述正确的是（）。A、静态电源电流越大越好B、共模抑制比越大越好C、输入失调电压越大越好D、开环增益越大越好正确答案：BD20.晶圆制造过程中，检测刻蚀质量的好坏，一般通过以下几个方面体现出来：（）。A、刻蚀均匀性B、图形保真度C、刻蚀选择比D、刻蚀的洁净度正确答案：ABCD21.晶圆检测工艺中，晶圆在烘烤过程所采用的设备称为（）。A、红外线加热器B、高温烘箱C、高温干燥箱D、加热平板正确答案：BC22.下列描述正确的是（）。A、表征差分电路抑制共模信号及对差模信号的放大能力B、共模抑制比越大越好C、共模抑制比定义为放大器对差模电压的放大倍数与对共模电压放大倍数之比D、共模抑制比越小越好正确答案：ABC23.在设计限流电阻版图时要考虑以下方面：（）。A、电阻尽量做的宽一些B、电阻尽量做的窄一些C、电阻两头的接触孔一定要离金属的边缘近一些D、电阻两头的接触孔一定要离金属的边缘远一些正确答案：AD24.OUTEN是单片机GPIO接口的输出使能寄存器，它的功能是（）。A、0：将GPIO引脚配置为输入B、1：将GPIO引脚配置为输出C、0：将GPIO引脚配置为输出D、1：将GPIO引脚配置为输入正确答案：AB25.平移式分选机芯片检测结束后，后续工作有()。A、核对测试后芯片数量和分选机显示屏上数量一致B、临时捆扎C、将测试结果记录在随件单上D、放到待检查品货架上正确答案：ABCD答案解析：平移式分选机在分选完成要进行清料。清料是为了确保芯片测试前后的总数一致、测试后芯片的不良品、合格品的数量和分选机显示屏上记录的数量一致，并将测试结果记录在随件单上；为便于核对实际芯片的数量，对料盘进行临时捆扎，核对无误后，将料盘和随件单放入对应的中转箱中，把中转箱放到“待检查品货架”等待外观检查。26.切割机显示区可以进行（）、（）等操作。A、给其他操作人员发送消息B、设置参数C、切割道对位D、操作过程中做笔记正确答案：BC三、判断题（共35题，每题1分，共35分）1.集成电路的品种很多，总的可分为模拟集成电路、数字集成电路两大类。A、正确B、错误正确答案：B2.刻蚀过程中有一项重要的参数是选择比。刻蚀选择比高表现为对作为掩模的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都比被刻蚀薄膜的刻蚀速率小得多。A、正确B、错误正确答案：A3.在管装外观检查中，如果发现芯片的方向不一致，要用零头盒中合格的芯片进行替换。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：芯片方向不一致时，可以将芯片方向进行调整，不需要替换芯片。4.使用J-link烧入程序时，在魔法棒按钮的output的选项设置地址范围，选择的地址范围应与所使用单片机的地址范围对应。A、正确B、错误正确答案：B5.完成了相关信号的添加以后，还需要进入ADE运行仿真，并对运行仿真的一些参数进行设置。A、正确B、错误正确答案：A6.将花篮放在承重台上后，可以直接按确认键开始下降。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：将花篮放在承重台上后，需要前后移动花篮，确保花篮卡槽与承重台密贴，然后再按下确认键使花篮和承重台下降到指定位置。7.PB->OUTEN=0x00ff;中I/O设置为0表示输出；1表示输入。A、正确B、错误正确答案：B8.编带盘真空包装时会放干燥剂。A、正确B、错误正确答案：A9.经转塔式分选机测试的芯片都需要进行编带。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：TO封装的芯片不需要进行编带。10.开短路测试通常被称为continuitytest或者open/shorttest，是对芯片管脚内部对地或对VCC是否出现开路或短路的一种测试方法。（）A、正确B、错误正确答案：A11.集成电路测试包括逻辑功能测试和交/直流参数测试。A、正确B、错误正确答案：A12.使用并行测试的重力式分选设备进行芯片测试时，只能选择2sites进行测试。A、正确B、错误正确答案：B13.若遇到需要高温加热的晶圆，需要根据晶圆测试随件单上的加温条件进行加温后再调整打点器墨点的位置。A、正确B、错误正确答案：A14.利用平移式分选机进行芯片测试时是采用压测的方式，压测可以同时完成多个芯片的测试，并且各个芯片能够均匀受力，确保各个工位的芯片引脚和测试座稳定接触。A、正确B、错误正确答案：A15.PCB文件是所有电路设计软件都可以产生的一种文件格式，在电子组装行业又称为模版文件（stencil.data）,在PCB制造业又称为光绘文件。A、正确B、错误正确答案：B16.标准单元版图其主要是用于大规模数字集成电路版图的自动布局布线。A、正确B、错误正确答案：A17.防静电铝箔袋中，干燥剂、湿度卡要随料管一起放入。A、正确B、错误正确答案：A18.编带外观检查的主要内容有：载带是否有破裂、沾污、破损；盖带是否有压定位孔或露出底边、起皱、压痕、气泡、脱胶；编带中有无不良品或放反芯片等不合格情况。（）A、正确B、错误正确答案：A19.在使用串口助手烧入程序时会用到Hex文件，keil中的hex不需要设置，程序编译完成后自动生成。A、正确B、错误正确答案：B20.芯片粘接中的“芯片”就是晶粒。A、正确B、错误正确答案：A21.芯片检测工艺中，对料盘进行外观检查是采用全检的方式。A、正确B、错误正确答案：A22.WM板函数：_set_hmeasure()函数原形：void_set_hmeasure(unsignedintchannel，unsignedintcouple，unsignedIntvrange，unsignedintsamplenum)；函数功能：设置交流表低速测量模式；参数说明：channel——波形测量通道（1，2，3，4）、Couple——交直流耦合（1，2）、1：直流耦合；2：交流耦合；Vrange——量程选择（1，2，3，4，5）、1：1V；2：2V；3：4V；4：10V；Samplenum——设置采样点数，范围10~1024；应用实例：_set_hmeasure(1，2，2，256)；//设置测量通道1为高速测量模式，输入为交流耦合，量程选择2V，采样256个数据。（）A、正确B、错误正确答案：A23.利用转塔式分选设备进行测前光检时，会在光检显示区显示光检结果，其中进行芯片方向判断时，会在界面上显示的角度有360度。A、正确B、错误正确答案：B24.封装工艺中，激光打标可以留下永久性标记。A、正确B、错误正确