光刻与刻蚀工艺

2025/6/25光刻与刻蚀工艺(gōngyì)第一页，共118页。图形(túxíng)曝光与刻蚀图形曝光（lithography，又译光刻术）利用掩膜版（mask）上的几何图形，通过光化学反应(huàxuéfǎnyìng)，将图案转移到覆盖在半导体晶片上的感光薄膜层上（称为光致抗蚀剂、光刻胶或光阻，resist，简称抗蚀剂）的一种工艺步骤这些图案可用来定义集成电路中各种不同区域，如离子注入、接触窗（contactwindow）与压焊（bonding－pad）区。第二页，共118页。刻蚀由图形曝光所形成的抗蚀剂图案，并不是电路器件的最终部分，而只是电路图形的印模。为了产生电路图形，这些(zhèxiē)抗蚀剂图案必须再次转移至下层的器件层上。这种图案转移（patterntransfer）是利用腐蚀（etching）工艺，选择性地将未被抗蚀剂掩蔽的区域去除。图形(túxíng)曝光与刻蚀第三页，共118页。ULSI对光刻有哪些(nǎxiē)基本要求？高分辨率在集成电路工艺中，通常把线宽作为光刻水平的标志，一般也可以用加工图形线宽的能力来代表集成电路的工艺水平。高灵敏度的光刻胶光刻胶的灵敏度是指光刻胶的感光速度。产品的产量(chǎnliàng)曝光时间确保光刻胶各项属性均为优异的前提下，提高光刻胶的灵敏度第四页，共118页。ULSI对光刻有哪些基本(jīběn)要求？低缺陷缺陷关系成品率精密的套刻对准集成电路芯片的制作需要(xūyào)经过多次光刻，在各次曝光图形之间要相互套准。ULSI的图形线宽在1um以下，通常采用自对准技术。大尺寸硅片上的加工ULSI的芯片尺寸为1～2cm2提高经济效益和硅片利用率第五页，共118页。洁净室（1）第六页，共118页。洁净室（2）洁净室的等级定义方式：（1）英制系统：每立方英尺中直径大于或等于0.5um的尘埃粒子总数不准超过设计等级数值。（2）公制系统每立方米中直径大于或等于0.5um的尘埃粒子总数不准超过设计等级数值（以指数计算(jìsuàn)，底数为10）。第七页，共118页。洁净室（3）例子：（1）等级为100的洁净室（英制），直径大于或等于(děngyú)0.5um的尘埃粒子总数不超过100个/ft3（2）等级为M3.5的洁净室（公制），直径大于或等于(děngyú)0.5um的尘埃粒子总数不超过103.5（约3500个/m3)100个/ft3=3500个/m3一个英制等级100的洁净室相当于公制等级M3.5的洁净室。第八页，共118页。洁净室（4）对一般的IC制造区域，需要等级100的洁净室，约比一般室内空气低4个数量级。在图形(túxíng)曝光的工作区域，则需要等级10或1的洁净室。第九页，共118页。lithographyIntroduction光刻洁净室工艺流程(ɡōnɡyìliúchénɡ)光刻机光刻胶掩膜版第十页，共118页。光刻原理(yuánlǐ)（1）掩膜版图形转移到光刻胶在光刻过程中，光刻胶受到光辐射之后发生光化学反应，其内部分子结构发生变化，在显影液中光刻胶感光部分与未感光部分的溶解(róngjiě)速度相差非常大。利用光刻胶的这种特性，就可以在硅片的表面涂上光刻胶薄层，通过掩膜版对光刻胶辐照，从而使某些区域的光刻胶感光之后，再经过显影就可以在光刻胶上留下掩膜版的图形。第十一页，共118页。光刻胶图形转移到硅表面的薄膜在集成电路制作中，利用这层剩余的光刻胶图形作为保护膜，可以对硅表面没有被光刻胶覆盖的区域进行(jìnxíng)刻蚀，或者对这些区域进行(jìnxíng)离子注入，从而把光刻胶上的图形转移到硅表面的薄膜上去，由此形成各种器件和电路的结构，或者对未保护区进行(jìnxíng)掺杂。光刻原理(yuánlǐ)（2）第十二页，共118页。光刻原理(yuánlǐ)（3）光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变光刻过程的主要步骤(bùzhòu)：曝光、显影、刻蚀第十三页，共118页。Resistcoat(wafertrack)etch(ionimplantation)Develop(wafertrack)Expose(illuminationtool)resiststrippositivetonenegativetonemaskresistsubstrateProcessflowopticallitho第十四页，共118页。光刻工艺(gōngyì)过程涂胶coating前烘prebaking曝光(bàoguāng)exposure显影development坚膜postbake刻蚀etch去胶strip检验inspection第十五页，共118页。1、涂胶第十六页，共118页。1、涂胶涂胶目的在硅片表面形成厚度均匀、附着性强、并且没有(méiyǒu)缺陷的光刻胶薄膜。怎样才能让光刻胶粘的牢一些？第十七页，共118页。可以(kěyǐ)开始涂胶了……怎么涂？旋转涂胶法：把胶滴在硅片，然后使硅片高速旋转，液态胶在旋转中因离心力作用(zuòyòng)由轴心沿径向（移动）飞溅出去，但粘附在硅表面的胶受粘附力的作用(zuòyòng)而留下。在旋转过程中胶所含的溶剂不断挥发，故可得到一层均匀的胶膜怎样才算涂的好？膜厚均匀，正胶<2%，负胶<5%第十八页，共118页。涂胶-----转速(zhuànsù)Vs膜厚转速Vs膜厚其中(qízhōng)：T表示膜厚，S表示转速；从上式可以看出，光刻胶的膜厚与旋转速度的平方根成反比。第十九页，共118页。2、前烘（softbake）－－再次(zàicì)改善光刻胶粘附性目的去除胶内的溶剂，提高(tígāo)胶的粘附力提高(tígāo)胶的抗机械摩擦的能力减小高速旋转形成的薄膜应力条件:温度：90to120℃时间：60sto120s第二十页，共118页。2、前烘（softbake）－－再次改善(gǎishàn)光刻胶粘附性前烘不足光刻胶与硅片黏附性变差因光刻胶中溶剂含量过高致使曝光(bàoguāng)的精确度下降前烘过量延长时间，产量降低过高的温度使光刻胶层的粘附性会因光刻胶变脆而降低过高的温度会使光刻胶中的感光剂发生反应，使光刻胶在曝光(bàoguāng)时的敏感度变差第二十一页，共118页。3、曝光(bàoguāng)（Exposure）第二十二页，共118页。3、曝光(bàoguāng)（Exposure）曝光光通过掩模版照射，使照射到的光刻胶起光化学反应感光与未感光的光刻胶对碱性溶液的溶解度不同(bùtónɡ)掩模版上的图案，完整地传递(Transfer)到晶片表面的光阻上目的：确定图案的精确形状和尺寸完成顺序两次光刻图案的准确套制第二十三页，共118页。曝光(bàoguāng)后烘焙（PEB）驻波效应定义(dìngyì)：入射光与反射光间的相长和相消干涉造成的效应影响：曝光过程中，在曝光区与非曝光区边界将会出现驻波效应，影响显影后所形成的图形尺寸和分辨率改善措施：曝光后烘焙第二十四页，共118页。4、显影(xiǎnyǐng)（Development）第二十五页，共118页。4、显影(xiǎnyǐng)（Development）原理显影(xiǎnyǐng)时曝光区与非曝光区的光刻胶不同程度的溶解显影(xiǎnyǐng)过程把已曝光的硅晶片浸入显影(xiǎnyǐng)液中，通过溶解部分光刻胶的方法使胶膜中的潜影显现出来的过程显影(xiǎnyǐng)留下的光刻胶图形将在后续的刻蚀和离子注入工艺中作为掩膜第二十六页，共118页。4、显影(xiǎnyǐng)（Development）显影(xiǎnyǐng)方式：浸渍显影(xiǎnyǐng)；旋转喷雾显影(xiǎnyǐng)影响显影(xiǎnyǐng)效果的因素：a.曝光时间；b.前烘的温度和时间；c.光刻胶的厚度；d.显影(xiǎnyǐng)液的浓度；e.显影(xiǎnyǐng)液的温度；f.显影(xiǎnyǐng)液的搅拌情况第二十七页，共118页。4、显影(xiǎnyǐng)（Development）第二十八页，共118页。4、显影(xiǎnyǐng)（Development）显影之后的检查掩膜版选用是否正确光刻胶的质量是否满足要求（污染、划痕、气泡和条纹）图形的质量（有好的边界，图形尺寸和线宽满足要求）套准精度是否满足要求光刻是唯一(wéiyī)可以返工的工艺步骤第二十九页，共118页。5、坚膜

—显影后必须进一步增强(zēngqiáng)光刻胶粘附力坚膜在光刻显影后，再经过(jīngguò)一次烘烤，进一步将胶内残留的溶剂含量由蒸发降到最低，使其硬化坚膜的目的去除光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片表面的附着力提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力第三十页，共118页。5、坚膜

—显影后必须(bìxū)进一步增强光刻胶粘附力第三十一页，共118页。第三十二页，共118页。6、去胶第三十三页，共118页。6、去胶经过刻蚀或离子注入后，将光刻胶从表面除去去胶方法湿法去胶有机溶液去胶不腐蚀金属，去除Al上的光刻胶需用有机溶剂无机溶液去胶干法去胶等离子体将光刻胶剥除刻蚀效果好，但有反应残留物玷污(diànwū)问题，故与湿法腐蚀搭配使用第三十四页，共118页。

lithographyIntroduction光刻洁净室工艺流程(ɡōnɡyìliúchénɡ)光刻机分辨率－曝光光源套准光刻胶第三十五页，共118页。光刻机光刻机的性能(xìngnéng)可由下面三个参数来判别分辨率第三十六页，共118页。光刻机的性能可由下面三个参数来判别套准精度产率对一给定(ɡěidìnɡ)的掩膜版，每小时能曝光完成的晶片数量光刻机第三十七页，共118页。光刻机发展为两大类型，即光学光刻机和非光学光刻机，如图所示。光学光刻机采用紫外线作为光源(guāngyuán)，而非光学光刻机的光源(guāngyuán)则来自电磁光谱的其他成分。曝光(bàoguāng)光源第三十八页，共118页。曝光(bàoguāng)光源普通光源光的波长(bōcháng)范围大，图形边缘衍射现象严重，满足不了特征尺寸的要求。晶圆生产用的曝光光源第三十九页，共118页。晶圆生产用的曝光光源最广泛使用的曝光光源是高压(gāoyā)汞灯产生的光为紫外光（UV）三条发射线I线(365nm)H线(405nm)G线(436nm)(0.35um工艺)曝光(bàoguāng)光源第四十页，共118页。晶圆生产用的曝光光源产生的光为深紫外光（DUV）氟化氪KrF（248nm）（0.35um,0.25um,0.18CMOS技术）氟化氩ArF（193nm）(0.2um以下(yǐxià)工艺）曝光(bàoguāng)光源第四十一页，共118页。曝光(bàoguāng)光源超细线条光刻技术甚远紫外线(EUV)（13.4nm)电子束光刻(波粒二相性，更多显示粒子(lìzǐ)性）以上两种曝光光源比较有前景，可以对亚100nm，亚50nm的特征尺寸进行光刻X射线离子束光刻第四十二页，共118页。光学(guāngxué)曝光方法第四十三页，共118页。光学(guāngxué)曝光方法遮蔽式曝光接触式曝光提供(tígōng)约1um的分辨率对掩膜版造成损伤接近式曝光可以减小掩膜版损伤间隙会在掩膜版图案边缘造成光学衍射分辨率降低至2um～5um第四十四页，共118页。光学(guāngxué)曝光方法第四十五页，共118页。光学曝光(bàoguāng)方法投影式曝光利用(lìyòng)投影的方法，将掩膜版上图案投影至相距好几厘米的晶片上。（a）晶片整片扫描(sǎomiáo)（b）1：1步进重复第四十六页，共118页。光学曝光(bàoguāng)方法第四十七页，共118页。第四十八页，共118页。第四十九页，共118页。lithographyIntroduction光刻洁净室工艺流程(ɡōnɡyìliúchénɡ)光刻机分辨率－曝光光源套准光刻胶第五十页，共118页。套准精度(jīnɡdù)对准把所需图形在晶园表面上定位或对准。如果说光刻胶是光刻工艺的“材料”核心，那么对准和曝光(bàoguāng)则是该工艺的“设备”核心。图形的准确对准是保证器件和电路正常工作的决定性因素之一。第五十一页，共118页。对准(duìzhǔn)法则第一次光刻只是(zhǐshì)把掩膜版上的Y轴与晶园上的平边成90º，如图所示。接下来的掩膜版都用对准标记与上一层带有图形的掩膜对准。对准标记是一个特殊的图形（见图），分布在每个芯片图形的边缘。经过光刻工艺对准标记就永远留在芯片表面，同时作为下一次对准使用。第五十二页，共118页。对准(duìzhǔn)标记第五十三页，共118页。未对准种类(zhǒnglèi)：(a)X方向(b)转动(c)伸出第五十四页，共118页。lithographyIntroduction光刻洁净室工艺流程(ɡōnɡyìliúchénɡ)光刻机光刻胶掩膜版第五十五页，共118页。光刻胶的基本(jīběn)属性主要有两种光刻胶：正胶：曝光(bàoguāng)后显影时曝光(bàoguāng)部分被溶解，而没有曝光(bàoguāng)的部分留下来——邻叠氮醌类负胶：曝光(bàoguāng)后显影时没有曝光(bàoguāng)部分被溶解，而曝光(bàoguāng)的部分留下来——聚乙烯醇肉桂酸酯和聚乙烯氧乙基肉桂酸酯第五十六页，共118页。基本(jīběn)光刻技术第五十七页，共118页。第五十八页，共118页。第五十九页，共118页。第六十页，共118页。*实际(shíjì)工艺中正胶用的比较多，why?a.分辨率高b.抗干法腐蚀的能力较强c.抗热处理的能力强d.可用水溶液显影(xiǎnyǐng)，溶涨现象小e.可涂得较厚(2-3um)不影响分辨率，有较好台阶覆盖性f.适合1：1及缩小的投影光刻负胶也有一些优点，如:粘附性好，抗湿法腐蚀能力强等第六十一页，共118页。光刻胶的主要(zhǔyào)成分1.树脂(高分子聚合物)光照不发生反应，保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性，决定(juédìng)光刻胶薄膜的膜厚、弹性和热稳定性等第六十二页，共118页。光刻胶的主要(zhǔyào)成分2.光敏剂（PAC）受光辐照之后会发生(fāshēng)化学反应第六十三页，共118页。光刻胶的主要(zhǔyào)成分3.溶剂 使光刻胶在涂到硅片表面之前保持(bǎochí)为液态第六十四页，共118页。光刻胶的基本(jīběn)属性光学性质光敏度，折射率力学和化学性质固溶度、粘滞度、粘着度、抗腐蚀性、热稳定性、流动性和对环境的敏感度其它(qítā)特性纯度、金属含量、可应用的范围、储存的有效期和燃点第六十五页，共118页。对比度对比度会直接影响到曝光(bàoguāng)后光刻胶膜的倾角和线宽。光刻胶的对比度越高，光刻胶层的侧面越陡，线宽描述掩模尺寸的准确度就越高。且陡峭的光刻胶在干法刻蚀中可以减小刻蚀过程中的钻蚀效应，从而提高分辨率。光刻胶的基本(jīběn)属性第六十六页，共118页。光刻胶的膨胀在显影(xiǎnyǐng)过程中，若显影(xiǎnyǐng)液渗透到光刻胶中，光刻胶的体积就会膨胀，这将导致图形尺寸发生变化，影响分辨率。正胶不发生膨胀，负胶发生膨胀现象。故正胶分辨率高于负胶，负胶可通过减小厚度来提高分辨率在相同的分辨率下，与负胶相比可以使用较厚的正胶，从而得到更好的平台覆盖并能降低缺陷的产生，同时抗干法刻蚀的能力也更强。光刻胶的基本(jīběn)属性第六十七页，共118页。光刻胶的基本(jīběn)属性光敏度指光刻胶完成所需图形曝光的最小曝光剂量曝光剂量（mj/cm2）＝光强（单位面积的功率）×曝光时间光敏度由曝光效率决定曝光效率：参与光刻胶曝光的光子能量与进入(jìnrù)光刻胶中的光子能量的比值正胶比负胶有更高的曝光效率，故正胶的光敏度大，光敏度大可减小曝光时间第六十八页，共118页。光刻胶的基本(jīběn)属性抗刻蚀能力图形转移时，光刻胶抵抗刻蚀的能力。光刻胶对湿法腐蚀有比较(bǐjiào)好的抗腐蚀能力，对大部分的干法刻蚀，光刻胶的抗刻蚀能力则比较(bǐjiào)差热稳定性通常干法刻蚀的工作温度比湿法腐蚀要高，所以光刻胶应能够承受200℃以上的工作温度第六十九页，共118页。光刻胶的基本(jīběn)属性黏着力在刻蚀过程中，如果光刻胶黏附不牢就会发生钻蚀和浮胶，这将直接影响光刻的质量，甚至使整个图形丢失。增强黏附性的方法：1.涂胶前脱水处理2.使用增粘剂（HMDS)3.提高(tígāo)坚膜的循环温度第七十页，共118页。光刻胶的基本(jīběn)属性光刻胶的溶解度光刻胶是由溶剂溶解了固态(gùtài)物质（如树脂）所形成的液体，其中溶解的固态(gùtài)物质所占的比重称为溶解度光刻胶的粘滞度影响甩胶后光刻胶膜厚第七十一页，共118页。光刻胶的基本(jīběn)属性微粒数量和金属含量光刻胶的纯净度与光刻胶中的微粒数量和金属含量有关(yǒuguān)。光刻胶的生产过程中需要经过严格的过滤和包装，且需要在使用前过滤。随存储时间的增加，光刻胶中的微粒数量还会继续增加。光刻胶中的金属含量主要指钠和钾的含量，钠和钾会带来污染，降低器件的性能。第七十二页，共118页。储存寿命光刻胶中的成分随时间和温度(wēndù)发生变化通常正胶的寿命高于负胶的在存储期间，由于交叉链接的作用，正胶中的高分子成分会增加，感光剂不可溶，结晶成沉淀物。光刻胶的基本(jīběn)属性第七十三页，共118页。lithographyIntroduction光刻洁净室工艺流程(ɡōnɡyìliúchénɡ)光刻机光刻胶掩膜版第七十四页，共118页。掩膜版掩膜版上的图形代表一层IC设计，将综合的布局(bùjú)图按照IC工艺分成各层掩膜版，如隔离区为一层、栅极区为另一层等，这些掩膜版的组合就是一组IC工艺流程。第七十五页，共118页。掩膜板的制造(zhìzào)传统掩膜版是在石英板上淀积薄的铬(ge)层，在铬层上形成图形。掩膜版是由电子束或者激光束直接刻写在铬层上的。通常，制作(zhìzuò)一个完整的ULSI芯片需要20到25块不同的掩膜。第七十六页，共118页。掩膜版的构成石英玻璃板铬层铬的氮化物或氧化物+铬+抗反射层掩膜版的保护膜：密封掩膜版，防止空气中的微粒以及其它形式(xíngshì)的污染掩膜板的制造(zhìzào)第七十七页，共118页。掩膜板的制造(zhìzào)掩膜版好坏的关键因素：缺陷密度缺陷的产生原因制造掩膜版时产生图形曝光时产生缺陷密度对IC成品率的影响其中：D为每单位面积(miànjī)致命缺陷的平均数，A为IC芯片的面积(miànjī)，N为掩膜版的层数第七十八页，共118页。要提高大面积芯片的成品率，掩膜版的检查(jiǎnchá)与清洗是非常重要的。第七十九页，共118页。分辨率增强(zēngqiáng)技术－移相掩膜移相掩膜（phase-shiftingmask,PSM)在IC工艺(gōngyì)中，光学图形曝光系统追求较佳的分辨率、较深的聚焦深度与较广的曝光宽容度基本原理是在掩膜版的某些透明图形上增加或减少一个透明的介质层，称为移相器，使光波通过这个介质层后产生180度的相位差，与邻近透明区域透过的光波产生干涉，从而抵消图形边缘的光衍射效应，提高曝光的分辨率。第八十页，共118页。第八十一页，共118页。lithographyIntroduction光刻刻蚀湿法刻蚀干法刻蚀第八十二页，共118页。什么(shénme)叫刻蚀？刻蚀——把进行光刻前所沉积的薄膜中没有被光刻胶覆盖及保护的部分，以化学反应或是物理作用的方式(fāngshì)加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。刻蚀分类湿法刻蚀（WETETCHING）：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法干法刻蚀（DRYETCHING）：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的第八十三页，共118页。刻蚀术语(shùyǔ)BIAS（偏差）腐蚀(fǔshí)后的图形与版图的水平偏差。TOLERANCE（容差）各批图形间的偏差。ETCHINGRATE（腐蚀(fǔshí)速率均匀度）=（最高速率-最低速率）/（最高速率+最低速率）*100%第八十四页，共118页。OVERETCHING（过腐蚀(fǔshí)）SELECTIVITY（选择性）SFS=腐蚀(fǔshí)FILM速率/腐蚀(fǔshí)SUBSTRATE速率第八十五页，共118页。第八十六页，共118页。第八十七页，共118页。第八十八页，共118页。第八十九页，共118页。第九十页，共118页。第九十一页，共118页。第九十二页，共118页。第九十三页，共118页。第九十四页，共118页。第九十五页，共118页。第九十六页，共118页。会出现(chūxiàn)光刻胶的钻蚀---方向性腐蚀(fǔshí)剂会腐蚀(fǔshí)衬底而改变衬底形貌---选择性第九十七页，共118页。第九十八页，共118页。第九十九页，共118页。第一百页，共118页。第一百零一页，共118页。第一百零二页，共118页。第一百零三页，共118页。lithographyIntroduction光刻刻蚀湿法刻蚀干法刻蚀第一百零四页，共118页。刻蚀湿法腐蚀：湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低缺点是钻蚀严重、各向同性腐蚀，对图形的控制性较差在工业生产中一般(yībān)以3um线宽为界限，小于3um普遍应用干法刻蚀技术。第一百零五页，共118页。各向同性(ɡèxiànɡtónɡxìnɡ)和异性假设hf为下层材料的厚度，l为抗蚀剂底下(dǐxiɑ)的侧面钻蚀距离，可以定义各向异性的比值Af为：其中：t为时间，而Rl和Rv则分别为水平方向(fāngxiàng)与垂直方向(fāngxiàng)腐蚀的速率；对各向同性腐蚀而言，Rl＝Rv，Af＝0；对各向异性腐蚀的极限情况而言，Rl＝0，Af＝1；第一百零六页，共118页。第一百零七页，共118页。湿法刻蚀技术(jìshù)（1）WetEtchingSilicon（硅刻蚀）腐蚀液成份：HNO3、HF、CH3COOH（水）醋酸比水好，可以抑制HNO3的分解反应方程：Si+HNO3+6HFH2SiF6+HNO3+H2+H2O混合液成份不同腐蚀速率(sùlǜ)不同各向同性腐蚀第一百零八页，共118页。WetEtchingSiliconDioxide（二氧化硅刻蚀）腐蚀液成份(chéngfèn)：HF、氟化氨（NH4F）水溶液反应方程：SiO2+6HFH2+SiF6+2H2O腐蚀液中加入一定的氟化氨作为缓冲剂形成的腐蚀液称为BHF，又称作缓冲氧化层腐蚀（buffered-oxide-etch,BOE)湿法刻蚀技术(jìshù)（2）第一百零九页，共118页。湿法刻蚀技术(jìshù)（3）WetEtchingSi3N4（氮化硅刻蚀）腐蚀液成份(chéngfèn)：180℃浓度为85％的磷酸溶液WetEtchingAl（铝刻蚀）腐蚀(fǔshí)液成份:第一百一十页，共118页。lithographyIntroduction光刻刻蚀湿法腐蚀(fǔshí)干法刻蚀第一百一十一页，共118页。溅射与离子束铣（xi）蚀：通过高能(gāonéng)惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差等离子刻蚀(Plasma