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文档简介
1+X集成电路理论试题与参考答案一、单选题(每题2分,共40分)1.集成电路制造中,以下哪种光刻技术分辨率最高()A.紫外光刻B.深紫外光刻C.极紫外光刻D.电子束光刻答案:C解析:极紫外光刻(EUV)使用波长为13.5nm的极紫外光,相比紫外光刻(波长较长)、深紫外光刻(波长仍比EUV长),其波长更短,能实现更高的分辨率。电子束光刻虽然分辨率也很高,但它是一种直写技术,生产效率低,主要用于掩膜制造等特殊场合,并非大规模集成电路制造中常规光刻的首选,而极紫外光刻是当前集成电路先进制程中用于提高分辨率的关键技术。2.以下哪种半导体材料常用于制造高频、高速、高功率的集成电路()A.硅B.锗C.砷化镓D.碳化硅答案:C解析:硅是最常用的半导体材料,但在高频、高速、高功率应用方面,砷化镓具有更优越的性能。砷化镓的电子迁移率比硅高很多,能够实现更高的电子速度,从而适用于高频和高速电路。锗的性能在很多方面不如硅和砷化镓,应用相对较少。碳化硅主要用于高压、高温、高功率的电力电子领域,虽然也有高频特性,但在高频、高速集成电路方面,砷化镓更为常用。3.集成电路设计中,逻辑综合的主要作用是()A.将RTL级描述转换为门级网表B.对门级网表进行布局布线C.对RTL级描述进行仿真验证D.对芯片进行物理验证答案:A解析:逻辑综合是集成电路设计流程中的一个重要环节,它的主要任务是将寄存器传输级(RTL)的硬件描述语言代码转换为门级网表,即由基本逻辑门(如与门、或门、非门等)组成的电路表示。布局布线是在逻辑综合之后的步骤,用于将门级网表中的逻辑门在芯片物理版图上进行布局和连接。对RTL级描述进行仿真验证是在逻辑综合之前,用于检查RTL代码的功能正确性。物理验证是在布局布线之后,对芯片的物理版图进行各种规则检查。4.下列关于CMOS反相器的说法,错误的是()A.静态功耗低B.输入阻抗高C.输出摆幅小D.噪声容限大答案:C解析:CMOS反相器具有静态功耗低的特点,因为在静态时,P沟道MOS管和N沟道MOS管总有一个处于截止状态,几乎没有直流电流流过。其输入阻抗高,因为MOS管的栅极是绝缘的,几乎不吸取电流。CMOS反相器的输出摆幅接近电源电压,即从0V到VDD,摆幅大。同时,它具有较大的噪声容限,能够在一定的噪声干扰下正常工作。5.在集成电路制造中,化学机械抛光(CMP)的主要作用是()A.去除光刻胶B.刻蚀硅衬底C.实现全局平坦化D.掺杂杂质答案:C解析:化学机械抛光(CMP)是集成电路制造中的一种关键工艺,其主要作用是实现芯片表面的全局平坦化。在集成电路制造过程中,多层金属布线和绝缘层的沉积会导致芯片表面出现高低不平的情况,CMP通过化学腐蚀和机械研磨的协同作用,将芯片表面打磨平整,为后续的光刻、刻蚀等工艺提供良好的表面条件。去除光刻胶通常采用光刻胶剥离工艺,刻蚀硅衬底使用专门的刻蚀工艺,掺杂杂质则通过离子注入或扩散工艺实现。6.以下哪种存储器是非易失性存储器()A.SRAMB.DRAMC.Flash存储器D.寄存器答案:C解析:非易失性存储器是指在断电后数据不会丢失的存储器。Flash存储器是一种常见的非易失性存储器,广泛应用于U盘、固态硬盘等存储设备中。SRAM(静态随机存取存储器)和DRAM(动态随机存取存储器)都是易失性存储器,断电后数据会丢失。寄存器是CPU内部的高速存储单元,也是易失性的。7.集成电路设计中,时序分析的主要目的是()A.检查电路的功能正确性B.确保电路在规定的时钟周期内完成操作C.优化电路的功耗D.减少电路的面积答案:B解析:时序分析是集成电路设计中的重要环节,其主要目的是确保电路在规定的时钟周期内完成操作。在数字电路中,各个信号的传输和处理都需要在时钟信号的控制下按照一定的时序进行,如果时序不满足要求,电路可能会出现错误的输出。检查电路的功能正确性通常通过功能仿真来实现。优化电路的功耗和减少电路的面积是其他设计优化环节的目标。8.以下哪种封装形式散热性能最好()A.DIP(双列直插式封装)B.QFP(四方扁平封装)C.BGA(球栅阵列封装)D.SOP(小外形封装)答案:C解析:BGA(球栅阵列封装)的散热性能最好。BGA封装通过底部的球形焊球与电路板连接,有较大的散热面积,而且芯片与电路板之间的热阻较小,能够更有效地将芯片产生的热量散发出去。DIP(双列直插式封装)引脚间距较大,封装体积较大,散热效率相对较低。QFP(四方扁平封装)和SOP(小外形封装)虽然也是常见的封装形式,但在散热方面不如BGA封装。9.集成电路制造中,离子注入工艺的主要作用是()A.在硅衬底上生长氧化层B.向硅衬底中引入杂质C.刻蚀硅衬底D.去除光刻胶答案:B解析:离子注入是集成电路制造中向硅衬底中引入杂质的重要工艺。通过将高能离子注入到硅衬底中,可以精确控制杂质的种类、浓度和分布,从而改变硅的电学性质,形成PN结等半导体器件结构。在硅衬底上生长氧化层通常采用热氧化工艺。刻蚀硅衬底使用刻蚀工艺,去除光刻胶使用光刻胶剥离工艺。10.以下哪种逻辑门可以实现任何逻辑函数()A.与门B.或门C.非门D.与非门答案:D解析:与非门是一种万能逻辑门,可以通过与非门的组合实现任何逻辑函数。因为与非门可以实现与、或、非三种基本逻辑运算。例如,两个与非门可以组成一个非门,多个与非门的组合可以实现与门和或门的功能。与门、或门和非门虽然是基本逻辑门,但单独使用它们不能实现所有的逻辑函数。11.在集成电路设计中,以下哪种方法可以降低功耗()A.提高时钟频率B.增加电路的扇出C.采用低阈值电压的MOS管D.采用多电压域设计答案:D解析:采用多电压域设计可以降低功耗。多电压域设计是将芯片划分为不同的电压区域,根据不同区域的功能需求和性能要求,为其分配不同的电源电压。对于对速度要求不高的区域,可以使用较低的电源电压,从而降低功耗。提高时钟频率会增加电路的动态功耗。增加电路的扇出会导致负载电容增大,也会增加功耗。采用低阈值电压的MOS管虽然可以提高电路的速度,但会增加静态功耗。12.集成电路制造中,光刻工艺的关键步骤不包括()A.涂覆光刻胶B.曝光C.显影D.离子注入答案:D解析:光刻工艺是集成电路制造中的核心工艺之一,其关键步骤包括涂覆光刻胶、曝光和显影。涂覆光刻胶是在硅片表面均匀涂上一层光刻胶,曝光是使用光刻机将掩膜版上的图形转移到光刻胶上,显影是去除曝光或未曝光的光刻胶部分,从而在光刻胶上形成与掩膜版相同的图形。离子注入是另一个独立的工艺,用于向硅衬底中引入杂质,不属于光刻工艺的关键步骤。13.以下哪种半导体器件是电压控制型器件()A.双极型晶体管(BJT)B.金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)C.晶闸管D.二极管答案:B解析:金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是电压控制型器件,通过栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。双极型晶体管(BJT)是电流控制型器件,其基极电流控制集电极电流。晶闸管是一种可控的半导体开关器件,需要一定的触发电流来导通。二极管是一种具有单向导电性的器件,其电流主要由外加电压和自身的伏安特性决定,不属于电压控制型器件。14.集成电路设计中,版图设计的主要任务是()A.设计RTL级代码B.将门级网表转换为物理版图C.进行逻辑综合D.对电路进行功能仿真答案:B解析:版图设计是集成电路设计流程中的一个重要阶段,其主要任务是将门级网表转换为物理版图,即确定各个器件(如MOS管、电阻、电容等)在芯片上的物理位置和相互连接关系。设计RTL级代码是前端设计的工作。逻辑综合是将RTL级代码转换为门级网表。对电路进行功能仿真用于验证RTL级代码的功能正确性。15.在集成电路测试中,以下哪种测试方法可以检测芯片的功能是否正确()A.直流参数测试B.交流参数测试C.功能测试D.老化测试答案:C解析:功能测试是用于检测芯片的功能是否正确的测试方法。通过向芯片输入一系列的测试向量,观察芯片的输出是否与预期的结果一致,从而判断芯片的功能是否正常。直流参数测试主要测量芯片的直流特性,如电源电流、输入输出电压等。交流参数测试测量芯片的交流特性,如时钟频率、信号传输延迟等。老化测试是通过长时间施加高温、高压等应力条件,加速芯片的老化过程,检测芯片的可靠性。16.以下哪种集成电路设计方法适合于大规模集成电路的设计()A.手工设计方法B.自底向上的设计方法C.自顶向下的设计方法D.全定制设计方法答案:C解析:自顶向下的设计方法适合于大规模集成电路的设计。自顶向下的设计方法是从系统级的功能需求出发,将系统逐步分解为各个子模块,然后对每个子模块进行设计和实现。这种方法能够有效地管理大规模集成电路设计的复杂性,提高设计效率和可靠性。手工设计方法效率低,难以应对大规模集成电路的设计。自底向上的设计方法是从基本的器件和电路开始,逐步构建整个系统,不太适合大规模集成电路的设计。全定制设计方法虽然可以实现高性能的电路,但设计周期长、成本高,不适合大规模集成电路的快速设计。17.集成电路制造中,以下哪种工艺用于制造金属互连层()A.化学气相沉积(CVD)B.物理气相沉积(PVD)C.光刻D.刻蚀答案:B解析:物理气相沉积(PVD)常用于制造集成电路的金属互连层。PVD是通过物理方法将金属材料蒸发或溅射在芯片表面,形成金属薄膜,用于连接各个器件。化学气相沉积(CVD)主要用于生长绝缘层、半导体层等。光刻用于将图形转移到光刻胶上,刻蚀用于去除不需要的材料,它们是制造金属互连层过程中的辅助工艺。18.以下哪种逻辑电路是组合逻辑电路()A.触发器B.计数器C.译码器D.寄存器答案:C解析:译码器是组合逻辑电路,其输出只取决于当前的输入,与电路的过去状态无关。触发器、计数器和寄存器都是时序逻辑电路,它们的输出不仅取决于当前的输入,还与电路的过去状态有关。19.集成电路设计中,以下哪种技术可以提高电路的速度()A.增加电路的级数B.减小晶体管的尺寸C.降低电源电压D.增加负载电容答案:B解析:减小晶体管的尺寸可以提高电路的速度。随着晶体管尺寸的减小,其沟道长度缩短,电子在沟道中的传输时间减少,从而提高了晶体管的开关速度,进而提高了整个电路的速度。增加电路的级数会增加信号的传输延迟,降低电路的速度。降低电源电压会降低晶体管的驱动能力,也会降低电路的速度。增加负载电容会导致信号的充放电时间增加,降低电路的速度。20.以下哪种封装技术可以实现芯片的倒装焊接()A.BGA(球栅阵列封装)B.CSP(芯片尺寸封装)C.Flip-Chip(倒装芯片封装)D.QFN(四方扁平无引脚封装)答案:C解析:Flip-Chip(倒装芯片封装)可以实现芯片的倒装焊接。在倒装芯片封装中,芯片的有源面朝下,通过凸点与电路板直接连接,这种连接方式可以缩短信号传输路径,提高电气性能。BGA(球栅阵列封装)是通过底部的球形焊球与电路板连接,但不是倒装焊接方式。CSP(芯片尺寸封装)是一种封装尺寸接近芯片尺寸的封装技术,也不一定采用倒装焊接。QFN(四方扁平无引脚封装)是通过引脚与电路板连接,不属于倒装焊接。二、多选题(每题3分,共30分)1.集成电路制造工艺主要包括以下哪些步骤()A.光刻B.刻蚀C.掺杂D.薄膜沉积答案:ABCD解析:集成电路制造工艺是一个复杂的过程,光刻是将掩膜版上的图形转移到硅片表面的光刻胶上;刻蚀是去除不需要的材料,形成特定的图形;掺杂是向硅衬底中引入杂质,改变其电学性质;薄膜沉积是在硅片表面沉积各种薄膜,如绝缘层、金属层等,这些都是集成电路制造中的关键步骤。2.以下哪些是数字集成电路的优点()A.抗干扰能力强B.易于集成C.处理速度快D.功耗低答案:ABC解析:数字集成电路具有抗干扰能力强的优点,因为它采用二进制信号,只有高电平和低电平两种状态,能够在一定的噪声干扰下正确识别信号。数字电路的基本单元结构相对简单,易于集成到大规模的芯片中。数字集成电路的处理速度快,能够快速地进行逻辑运算和数据处理。虽然有些数字集成电路可以通过优化设计实现低功耗,但并不是所有数字集成电路都具有功耗低的特点,其功耗与具体的设计和应用场景有关。3.集成电路设计中,前端设计主要包括()A.RTL级设计B.逻辑综合C.布局布线D.功能仿真答案:ABD解析:集成电路前端设计主要关注电路的功能设计和逻辑实现。RTL级设计是使用硬件描述语言(如Verilog或VHDL)对电路的功能进行描述。逻辑综合是将RTL级描述转换为门级网表。功能仿真是在RTL级设计完成后,对电路的功能进行验证,检查是否符合设计要求。布局布线是后端设计的主要任务,用于将门级网表中的逻辑门在芯片物理版图上进行布局和连接。4.以下哪些是MOSFET的主要参数()A.阈值电压B.跨导C.导通电阻D.击穿电压答案:ABCD解析:阈值电压是MOSFET开始导通时所需的栅极电压,是一个重要的参数。跨导反映了栅极电压对漏极电流的控制能力。导通电阻是MOSFET在导通状态下的电阻,影响电路的功耗和性能。击穿电压是MOSFET能够承受的最大电压,超过该电压会导致器件损坏。5.集成电路测试的主要目的包括()A.检测芯片的功能是否正确B.测量芯片的电气参数C.筛选出有缺陷的芯片D.评估芯片的可靠性答案:ABCD解析:集成电路测试的主要目的包括检测芯片的功能是否正确,通过输入测试向量并检查输出是否符合预期来实现。测量芯片的电气参数,如电源电流、输入输出电压等,以确保芯片的性能符合规格要求。筛选出有缺陷的芯片,避免不合格的芯片进入市场。评估芯片的可靠性,通过老化测试等方法,检测芯片在长时间使用和不同环境条件下的性能稳定性。6.以下哪些是集成电路封装的作用()A.保护芯片B.实现芯片与外部电路的连接C.散热D.减小芯片的尺寸答案:ABC解析:集成电路封装的作用包括保护芯片,防止芯片受到外界环境的影响,如灰尘、湿气、机械损伤等。封装通过引脚或焊球等方式实现芯片与外部电路的连接,使芯片能够与其他电路进行通信和协同工作。封装还具有散热的功能,将芯片产生的热量散发出去,保证芯片的正常工作。封装本身并不能减小芯片的尺寸,相反,封装会增加整个器件的尺寸,但可以提高芯片的可操作性和可靠性。7.以下哪些是模拟集成电路的特点()A.处理连续变化的信号B.对精度要求高C.设计难度大D.抗干扰能力强答案:ABC解析:模拟集成电路处理连续变化的信号,如声音、图像等模拟信号。由于模拟信号的连续性,对电路的精度要求较高,例如放大器的增益精度、滤波器的频率特性精度等。模拟集成电路的设计难度大,因为需要考虑许多因素,如噪声、失真、带宽等。与数字集成电路相比,模拟集成电路的抗干扰能力较弱,因为模拟信号容易受到外界噪声的影响。8.在集成电路制造中,光刻工艺使用的光刻胶可以分为()A.正性光刻胶B.负性光刻胶C.厚光刻胶D.薄光刻胶答案:AB解析:在集成电路制造中,光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶在曝光后,曝光部分会被显影液溶解,留下未曝光部分形成图形。负性光刻胶在曝光后,未曝光部分会被显影液溶解,留下曝光部分形成图形。厚光刻胶和薄光刻胶是根据光刻胶的厚度进行的分类,不属于光刻胶的基本类型。9.以下哪些是集成电路设计中常用的硬件描述语言()A.VerilogB.VHDLC.C++D.Python答案:AB解析:Verilog和VHDL是集成电路设计中常用的硬件描述语言。它们可以用于描述数字电路的功能和结构,进行RTL级设计和仿真验证。C++是一种通用的高级编程语言,主要用于软件开发,虽然在一些硬件设计的验证环境中可能会使用C++进行辅助开发,但不是专门的硬件描述语言。Python也是一种通用的编程语言,常用于数据分析、机器学习等领域,在集成电路设计中通常作为脚本语言用于自动化设计流程等辅助工作,而不是主要的硬件描述语言。10.以下哪些是集成电路制造中常用的衬底材料()A.硅B.锗C.砷化镓D.碳化硅答案:ACD解析:硅是集成电路制造中最常用的衬底材料,因为硅具有丰富的资源、良好的电学性能和成熟的制造工艺。砷化镓具有较高的电子迁移率,常用于制造高频、高速的集成电路。碳化硅具有宽禁带、高击穿电场等优点,适用于高压、高温、高功率的电力电子器件。锗虽然也是一种半导体材料,但由于其性能和制造工艺等方面的限制,在集成电路制造中使用相对较少。三、判断题(每题2分,共20分)1.集成电路的集成度越高,芯片的性能就一定越好。()答案:错误解析:集成电路的集成度是指芯片上集成的晶体管等元件的数量。虽然一般来说,较高的集成度可以带来更多的功能和更高的性能,但集成度并不是衡量芯片性能的唯一标准。芯片的性能还受到很多其他因素的影响,如晶体管的性能、电路的设计架构、散热能力等。例如,即使集成度很高,但如果晶体管的速度慢、电路设计不合理,芯片的性能也不会好。2.光刻工艺中,曝光波长越短,光刻分辨率越高。()答案:正确解析:在光刻工艺中,光刻分辨率与曝光波长密切相关。根据光刻分辨率的公式,分辨率与曝光波长成正比,即曝光波长越短,光刻能够实现的最小特征尺寸越小,分辨率越高。因此,极紫外光刻(EUV)使用13.5nm的极紫外光,能够实现比紫外光刻、深紫外光刻更高的分辨率。3.静态随机存取存储器(SRAM)比动态随机存取存储器(DRAM)的速度快,但功耗高。()答案:正确解析:SRAM由多个晶体管组成一个存储单元,不需要刷新操作,因此速度快。但由于其存储单元结构复杂,使用的晶体管数量多,所以功耗相对较高。DRAM采用电容来存储数据,需要定期刷新,速度相对较慢,但由于其存储单元结构简单,功耗较低。4.集成电路设计中,自底向上的设计方法比自顶向下的设计方法更适合大规模集成电路的设计。()答案:错误解析:自顶向下的设计方法更适合大规模集成电路的设计。自顶向下的设计方法从系统级的功能需求出发,将系统逐步分解为各个子模块,能够有效地管理大规模集成电路设计的复杂性,提高设计效率和可靠性。自底向上的设计方法从基本的器件和电路开始,逐步构建整个系统,在处理大规模集成电路时,容易出现设计管理困难、系统性能难以优化等问题。5.化学机械抛光(CMP)工艺只能用于芯片表面的局部平坦化。()答案:错误解析:化学机械抛光(CMP)工艺的主要作用是实现芯片表面的全局平坦化。在集成电路制造过程中,多层金属布线和绝缘层的沉积会导致芯片表面出现高低不平的情况,CMP通过化学腐蚀和机械研磨的协同作用,将芯片表面打磨平整,为后续的光刻、刻蚀等工艺提供良好的表面条件,是一种全局平坦化工艺。6.数字集成电路只能处理数字信号,不能处理模拟信号。()答案:正确解析:数字集成电路是基于二进制数字信号进行设计和工作的,它只能处理离散的数字信号,如0和1。如果要处理模拟信号,需要先将模拟信号转换为数字信号(通过模数转换器),然后再由数字集成电路进行处理。7.MOSFET是电流控制型器件。()答案:错误解析:MOSFET是电压控制型器件,通过栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。而电流控制型器件是指其输出电流受输入电流控制的器件,如双极型晶体管(BJT)。8.集成电路测试中的功能测试可以检测出芯片的所有缺陷。()答案:错误解析:功能测试主要用于检测芯片的功能是否正确,通过输入一系列的测试向量,观察芯片的输出是否与预期的结果一致。但功能测试并不能检测出芯片的所有缺陷,例如一些潜在的可靠性问题、电气参数的微小偏差等,可能需要通过其他测试方法,如老化测试、直流参数测试等才能检测出来。9.集成电路封装的主要作用只是为了保护芯片,防止其受到物理损坏。()答案:错误解析:集成电路封装的作用不仅仅是保护芯片,防止其受到物理损坏。它还具有实现芯片与外部电路的连接,使芯片能够与其他电路进行通信和协同工作的功能。此外,封装还具有散热的作用,将芯片产生的热量散发出去,保证芯片的正常工作。10.在集成电路设计中,版图设计完成后就可以直接进行芯片制造,不需要再进行验证。()答案:错误解析:在集成电路设计中,版图设计完成后需要进行一系列的验证工作,如物理验证、时序验证等。物理验证主要检查版图是否符合制造工艺的规则,如间距规则、面积规则等。时序验证确保电路在规定的时钟周期内完成操作。只有通过这些验证,才能保证芯片制造的成功率和性能。四、简答题(每题10分,共20分)1.简述集成电路制造中光刻工艺的基本流程。答:光刻工艺是集成电路制造中的核心工艺之一,其基本流程如下:(1)硅片清洗:在进行光刻之前,需要对硅片表面进行清洗,去除表面的杂质、油污等,保证硅片表面的洁净度,以确保光刻胶能够均匀地涂覆在硅片上。(2)涂覆光刻胶:使用旋转涂覆等方法在硅片表面均匀地涂上一层光刻胶。光刻胶是一种对光敏感的材料,根据其特性可分为正性光刻胶和负性光刻胶。(3)软烘:涂覆光刻胶后,需要进行软烘处理,通过加热使光刻胶中的溶剂挥发,提高光刻胶与硅片表面的附着力,同时使光刻胶的厚度更加均匀。(4)对准和曝光:将掩膜版与硅片进行精确对准,然后使用光刻机将掩膜版上的图形通过曝光的方式转移到光刻胶上。曝光过程中,光刻胶会发生光化学反应,正性光刻胶在曝光部分会发生化学变化,易于被显影液溶解;负性光刻胶则相反,未曝光部分会被显影液溶解。(5)显影:将曝光后的硅片放入显影液中,去除曝光或未曝光的光刻胶部分,从而在光刻胶上形成与掩膜版相同的图形。显影后需要进行清洗,去除残留的显影液。(6)硬烘:显影后进行硬烘处理,
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