2025福建省晋华集成电路有限公司校园招聘笔试历年典型考点题库附带答案详解2套试卷

2025福建省晋华集成电路有限公司校园招聘笔试历年典型考点题库附带答案详解（第1套）一、单项选择题下列各题只有一个正确答案，请选出最恰当的选项（共25题）1、在数字逻辑电路中，以下哪种门电路的输出为“1”当且仅当所有输入均为“1”？A.或门B.与门C.非门D.异或门2、在半导体物理中，本征半导体的载流子主要来源于？A.掺杂杂质B.外加电场C.热激发产生的电子-空穴对D.光照产生的光生载流子3、在CMOS工艺中，PMOS晶体管通常制作在什么类型的衬底上？A.N型衬底B.P型衬底C.N阱中D.P阱中4、下列哪种存储器属于易失性存储器？A.FlashB.EEPROMC.DRAMD.ROM5、在模拟电路中，运算放大器工作在线性区时，通常需要引入何种反馈？A.正反馈B.无反馈C.负反馈D.开环6、在CMOS反相器中，当输入为高电平时，输出为低电平，其主要原因是？A.PMOS管导通，NMOS管截止B.PMOS管和NMOS管同时导通C.PMOS管截止，NMOS管导通D.PMOS管和NMOS管均截止7、在CMOS反相器中，当输入电压等于电源电压的一半时，该点被称为？A.开启电压B.阈值电压C.饱和电压D.截止电压8、在CMOS工艺中，决定集成电路最小特征尺寸和集成度的关键参数是？A.晶圆直径B.金属互连层数C.栅极长度（或栅极宽度）D.衬底掺杂浓度9、对于一个N沟道增强型MOSFET，当栅源电压V_GS小于阈值电压V_th，且漏源电压V_DS大于0时，器件工作在哪个区域？A.饱和区（恒流区）B.可变电阻区（线性区）C.截止区D.击穿区10、在数字逻辑电路中，为了实现“有1出0，全0出1”的逻辑功能，应选用下列哪种逻辑门？A.与非门（NAND）B.或非门（NOR）C.异或门（XOR）D.同或门（XNOR）11、在半导体制造中，“光刻”工艺的主要作用是什么？A.在硅片上生长一层二氧化硅B.将设计好的电路图形从掩模版转移到硅片表面C.向硅片特定区域注入杂质原子D.在硅片表面沉积一层金属铝12、一个4位二进制同步计数器，其最高位输出信号的频率是输入时钟频率的多少？A.1/2B.1/4C.1/8D.1/1613、CMOS反相器在输入电压等于其阈值电压（Vth）时，其输出电压随输入电压变化最剧烈，此时PMOS和NMOS晶体管均处于何种工作状态？A.均处于截止状态B.均处于线性（欧姆）区C.均处于饱和状态D.PMOS饱和，NMOS截止14、在CMOS数字电路中，NMOS晶体管的源极通常连接到什么电位？A.电源电压VDDB.地电位GNDC.输入信号D.输出端15、在数字逻辑电路中，一个4输入与非门（NANDgate）的输出为低电平的条件是？A.所有输入均为高电平B.至少有一个输入为高电平C.所有输入均为低电平D.至少有一个输入为低电平16、在PN结二极管中，当外加正向偏压时，其内部空间电荷区（耗尽层）将如何变化？A.变宽B.变窄C.宽度不变D.先变宽后变窄17、在C语言中，执行如下代码后，变量p的值指向何处？

intarr[5]={10,20,30,40,50};

int*p=arr;

p+=2;A.指向arr[0]B.指向arr[1]C.指向arr[2]D.指向arr[3]18、关于栈（Stack）和队列（Queue）的数据结构特性，以下说法正确的是？A.栈遵循先进先出（FIFO）原则B.队列遵循后进先出（LIFO）原则C.栈的插入和删除操作都在栈顶进行D.队列的插入在队头、删除在队尾19、在共射极基本放大电路中，若晶体管的静态工作点设置过高，最可能导致的失真是？A.截止失真B.饱和失真C.交越失真D.频率失真20、在CMOS集成电路中，构成基本逻辑门的核心器件是什么？A.双极结型晶体管(BJT)B.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)C.二极管D.电阻21、在N型半导体中，多数载流子是？A.空穴B.自由电子C.正离子D.负离子22、四位二进制译码器的输出端数量为？A.4B.8C.16D.3223、在C语言中，变量的指针指的是该变量的？A.值B.地址C.名称D.类型24、N沟道增强型MOSFET工作在放大区（饱和区）的条件是？A.V_GS<V_th，V_DS<V_GS-V_thB.V_GS>V_th，V_DS<V_GS-V_thC.V_GS>V_th，V_DS≥V_GS-V_thD.V_GS<V_th，V_DS≥V_GS-V_th25、在Cache的地址映射方式中，主存块可以映射到Cache中任意位置的方式称为？A.直接映射B.组相联映射C.全相联映射D.间接映射二、多项选择题下列各题有多个正确答案，请选出所有正确选项（共15题）26、在半导体物理中，关于本征半导体的描述，下列哪些是正确的？A.本征半导体的费米能级位于禁带中央B.其导电能力随温度升高而显著增强C.自由电子浓度与空穴浓度始终相等D.掺入微量杂质后仍可称为本征半导体27、下列逻辑电路中，属于组合逻辑电路的有哪些？A.数据选择器（MUX）B.译码器（Decoder）C.触发器（Flip-Flop）D.加法器（Adder）28、在C语言中，关于指针与数组的关系，以下说法正确的是？A.数组名是一个常量指针，其值不可修改B.对数组名进行自增（如arr++）操作是非法的C.形参为一维数组时，可等价声明为对应类型的指针D.指针变量与同类型数组变量占用相同的存储空间29、关于哈希表（HashTable），以下哪些说法是正确的？A.负载因子是衡量哈希表装满程度的重要指标B.冲突（Collision）是指不同关键字映射到同一地址的现象C.开放定址法处理冲突时，所有元素仍存储在哈希表数组内D.哈希函数设计得当可完全避免冲突发生30、对于共射极放大电路，下列哪些措施能有效提高其电压放大倍数？A.增大集电极电阻RcB.增大负载电阻RLC.增大发射极旁路电容Ce的容值D.增大基极偏置电阻Rb131、关于PN结的电容特性，下列说法正确的是？A.势垒电容由势垒区空间电荷随外加电压变化引起B.扩散电容主要由多数载流子积累引起C.正向偏置时，扩散电容远大于势垒电容D.反向偏置时，势垒电容随反向电压增大而增大32、CMOS反相器的典型特点包括？A.静态功耗极低B.输出电平为全摆幅C.抗干扰能力弱D.开关速度高33、半导体能带结构决定了材料的哪些基本物理性质？A.导电类型（N型或P型）B.载流子的有效质量C.禁带宽度D.金属键的强度34、集成电路制造中，典型的光刻工艺流程包含哪些关键步骤？A.涂覆光刻胶B.对准与曝光C.离子注入D.显影35、下列关于半导体材料能带结构的说法，哪些是正确的？A.半导体的能带间存在禁带B.金属的价带与导带通常存在交叠C.能带结构直接影响材料的光学性质D.电子在能带内能量呈离散态36、关于半导体能带结构，下列描述正确的是？A.导带是电子可以自由移动的能级区域[[25]]；B.价带是电子被束缚在原子周围的能级区域[[25]]；C.导带与价带之间存在禁带；D.金属中导带与价带重叠，无禁带[[23]]。37、关于PN结的形成与平衡，下列说法正确的是？A.PN结形成源于载流子的浓度差导致的扩散运动[[32]]；B.扩散运动形成内建电场，电场方向由N区指向P区；C.内建电场促使少子漂移，与扩散电流达到动态平衡[[29]]；D.平衡时净电流为零，扩散电流等于漂移电流[[30]]。38、在CMOS工艺流程中，光刻与刻蚀的主要作用是？A.光刻用于将掩膜图案转移到光刻胶上[[41]]；B.刻蚀用于将光刻胶上的图形转移到下方材料层[[34]]；C.光刻胶在刻蚀中作为保护层或阻挡层[[41]]；D.刻蚀选择比影响不同材料的蚀刻速率[[40]]。39、下列哪些是典型的CMOS制造工艺步骤？A.热氧化生成二氧化硅层；B.沉积多晶硅或金属层；C.浅槽隔离（STI）技术；D.离子注入以调节阈值电压[[17]]。40、关于半导体中载流子输运，下列说法正确的是？A.电子和空穴的迁移率受晶格散射和杂质散射影响；B.在电场作用下，载流子产生漂移运动；C.载流子浓度梯度导致扩散运动[[32]]；D.漂移电流与电场强度成正比。三、判断题判断下列说法是否正确（共10题）41、在数字逻辑电路中，异或门（XOR）的输出在两个输入相同时为高电平。A.正确B.错误42、半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，且其导电性可通过掺杂显著改变。A.正确B.错误43、在CMOS工艺中，静态功耗主要来源于晶体管在开关过程中的充放电电流。A.正确B.错误44、PN结在正向偏置时，耗尽层宽度会变窄。A.正确B.错误45、在VerilogHDL中，"reg"类型变量只能用于过程块（如always块）中，不能用于连续赋值。A.正确B.错误46、在数字逻辑电路中，组合逻辑电路的输出仅取决于当前输入，与电路的先前状态无关。A.正确B.错误47、半导体材料中，硅（Si）的禁带宽度大于砷化镓（GaAs）。A.正确B.错误48、在CMOS工艺中，PMOS晶体管通常制作在N型阱（N-well）中。A.正确B.错误49、傅里叶变换可以将时域信号转换为频域信号，但不能反过来恢复原始信号。A.正确B.错误50、在集成电路制造中，光刻工艺的分辨率受限于所用光源的波长。A.正确B.错误

参考答案及解析1.【参考答案】B【解析】与门（ANDGate）的逻辑功能是：只有当所有输入均为高电平（“1”）时，输出才为“1”；只要有一个输入为“0”，输出即为“0”。这是基本组合逻辑门的定义之一，广泛应用于数字系统设计中。2.【参考答案】C【解析】本征半导体是指纯净、未掺杂的半导体材料（如纯硅或纯锗）。其导电能力来源于热激发：价带中的电子获得足够能量后跃迁至导带，形成自由电子和空穴，即电子-空穴对。这是本征载流子的唯一来源。3.【参考答案】C【解析】在标准CMOS工艺中，NMOS晶体管制作在P型衬底上，而PMOS晶体管则制作在N阱（N-well）中，以实现与NMOS的电隔离并满足阈值电压要求。N阱是在P型衬底上通过掺杂形成的区域。4.【参考答案】C【解析】DRAM（动态随机存取存储器）依靠电容存储电荷来保存数据，断电后电荷迅速泄漏，导致数据丢失，因此属于易失性存储器。而Flash、EEPROM和ROM均为非易失性存储器，断电后数据仍可保留。5.【参考答案】C【解析】运算放大器具有极高的开环增益，若直接使用开环或正反馈，会导致输出饱和。为了使其工作在线性区（如用于放大、加法、积分等线性运算），必须引入负反馈，以稳定增益、扩展带宽并减小非线性失真。6.【参考答案】C【解析】CMOS反相器由PMOS和NMOS晶体管串联构成[[14]]。当输入为高电平时，NMOS管导通（因其栅源电压大于阈值），而PMOS管截止（因其栅源电压小于阈值），电流路径从地经NMOS管流向输出，使输出被拉至低电平[[13]]。

2.【题干】PN结形成过程中，载流子的扩散导致在交界面附近形成一个主要由离子构成的区域，该区域称为？

【选项】A.导电层

B.耗尽层

C.本征层

D.电荷层

【参考答案】B

【解析】当P型和N型半导体接触时，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散[[21]]。扩散后，交界面附近留下不能移动的正负离子，形成一个内建电场区域，该区域因缺乏自由载流子而被称为耗尽层[[28]]。

3.【题干】CMOS电路的总功耗主要由静态功耗和动态功耗组成，其中动态功耗的主要来源是？

【选项】A.晶体管漏电流

B.电源电压波动

C.负载电容的充放电

D.信号传输延迟

【参考答案】C

【解析】动态功耗主要发生在电路状态翻转时，为对负载电容进行充放电所消耗的能量，这部分功耗与开关频率和负载电容成正比[[29]]。虽然短路功耗也属于动态功耗，但其占比通常较小[[35]]。

4.【题干】下列关于时序逻辑电路与组合逻辑电路的主要区别，描述正确的是？

【选项】A.组合逻辑电路输出仅与当前输入有关，时序逻辑电路输出还与电路历史状态有关

B.时序逻辑电路无需时钟信号，组合逻辑电路必须有时钟

C.组合逻辑电路包含存储元件，时序逻辑电路不含存储元件

D.两者输出均受时钟边沿触发

【参考答案】A

【解析】组合逻辑电路的输出仅取决于当前时刻的输入信号[[38]]。而时序逻辑电路的输出不仅与当前输入有关，还依赖于电路的先前状态，即具有记忆功能，通常由触发器等存储元件构成[[40]]。

5.【题干】触发器作为时序逻辑电路的基本单元，其核心功能是？

【选项】A.实现逻辑运算

B.放大输入信号

C.存储一位二进制信息

D.产生时钟脉冲

【参考答案】C

【解析】触发器是一种具有两个稳定状态的双稳态电路，能够在时钟信号作用下接收并保持输入数据，从而实现对一位二进制信息的存储[[12]]。它是构成寄存器、计数器等复杂时序电路的基础[[16]]。7.【参考答案】B【解析】CMOS反相器的阈值电压（V_TH）定义为输入电压使输出电压等于输入电压一半时的点，此时PMOS和NMOS管均处于导通状态[[11]]。理想情况下，V_TH=V_DD/2[[11]]。

2.【题干】JK触发器在时钟下降沿触发，当输入J=1，K=1时，其输出状态将如何变化？

【选项】A.保持原态B.置为1C.置为0D.翻转

【参考答案】D

【解析】JK触发器具有计数功能，当J和K输入均为1时，在时钟有效沿（如下降沿）到来时，触发器状态会翻转，即从0变为1或从1变为0[[21]]。

3.【题干】相较于自然二进制码，格雷码在数字系统中应用的主要优势是什么？

【选项】A.编码更短B.计算更简单C.相邻码字仅一位不同D.支持十进制运算

【参考答案】C

【解析】格雷码是一种循环码，其核心特点是任意两个相邻的代码之间仅有一位二进制数不同[[30]]。这一特性能有效避免在状态转换时因多位同时变化而产生的误码[[29]]。

4.【题干】在本征半导体中，电子浓度（n_i）与空穴浓度（p_i）的关系是？

【选项】A.n_i>p_iB.n_i<p_iC.n_i=p_iD.两者无关

【参考答案】C

【解析】本征半导体未掺杂，其内部的自由电子和空穴均由热激发产生，且成对出现，因此在热平衡状态下，电子浓度等于空穴浓度，即n_i=p_i[[42]]。

5.【题干】CMOS电路的总功耗主要由哪两部分构成？

【选项】A.电阻损耗与电感损耗B.静态功耗与动态功耗C.导通损耗与关断损耗D.漏电流与热损耗

【参考答案】B

【解析】CMOS电路的总功耗包括静态功耗（由极小的漏电流引起）和动态功耗（由电容充放电和短路电流引起）[[15]]。其中动态功耗是主要部分[[14]]。8.【参考答案】C【解析】在CMOS工艺节点的命名中（如28nm、14nm），其核心依据是晶体管的最小栅极长度（或栅极宽度），它直接决定了单个晶体管的尺寸，从而影响芯片的集成度、速度和功耗。晶圆直径影响单次生产芯片数量，金属层数影响布线复杂度，衬底掺杂影响器件阈值电压，但均非定义工艺节点的核心参数[[10]]。9.【参考答案】C【解析】N沟道增强型MOSFET的开启条件是V_GS>V_th。当V_GS<V_th时，无论V_DS取何值（只要不发生击穿），源极和漏极之间的沟道都不会形成，漏极电流I_D几乎为零，器件处于截止状态[[12]]。10.【参考答案】B【解析】“有1出0，全0出1”是或非门（NOR）的标准逻辑功能。其逻辑表达式为Y=NOT(AORB)。与非门是“有0出1，全1出0”；异或门是“相异出1，相同出0”；同或门则相反[[1]]。11.【参考答案】B【解析】光刻是半导体制造的核心步骤，其作用是利用紫外线透过掩模版（Mask），将设计好的集成电路图形精确地复制到涂有光刻胶的硅片上，为后续的刻蚀或离子注入等工艺提供图形定义[[8]]。12.【参考答案】D【解析】同步计数器每一位都是对前一级的二分频。4位计数器从最低位（Q0）到最高位（Q3）依次为1/2、1/4、1/8、1/16分频。因此，最高位Q3的输出频率是输入时钟频率的1/16[[1]]。13.【参考答案】C【解析】当CMOS反相器输入电压等于阈值电压Vth时，PMOS和NMOS晶体管同时导通，均进入饱和区，此时电路的电流传输特性曲线斜率最大，电压传输特性最陡峭，输出电压对输入电压变化最敏感[[10]]。

2.【题干】逻辑函数F(A,B,C,D)=Σm(0,1,2,5,8,9,10)，使用卡诺图化简后，其最简与或表达式包含的最小项（乘积项）数量是多少？

【选项】A.2个

B.3个

C.4个

D.5个

【参考答案】B

【解析】通过绘制四变量卡诺图并圈组相邻的1，可以得到三个最简与项，例如：A'B'+B'D'+A'C'D。最简与或表达式要求乘积项（与项）数量最少[[20]]，本题经化简后为3个。

3.【题干】在PN结中，当外加反向电压增大时，耗尽层的宽度将如何变化？

【选项】A.变窄

B.变宽

C.保持不变

D.先变宽后变窄

【参考答案】B

【解析】外加反向电压会增强PN结内建电场，阻碍多数载流子扩散，导致空间电荷区（耗尽层）中的离子区扩展，从而使耗尽层宽度增加[[25]]。耗尽层宽度与外加反向电压的大小正相关[[27]]。

4.【题干】一个边沿触发的D触发器，其输出状态在时钟信号的哪个时刻发生改变？

【选项】A.时钟信号为高电平（CLK=1）期间的任意时刻

B.时钟信号为低电平（CLK=0）期间的任意时刻

C.时钟信号的上升沿（由0跳变到1）

D.时钟信号的下降沿（由1跳变到0）

【参考答案】C

【解析】标准的D触发器通常设计为在时钟信号的上升沿（正跳变）触发，此时会采样并锁存D端的输入数据，输出Q在该瞬间更新，而在其他时钟阶段保持稳定[[33]]。

5.【题干】在CMOS集成电路制造工艺中，用于在硅片特定区域引入杂质以形成源、漏区的关键工艺步骤是？

【选项】A.光刻

B.薄膜沉积

C.掺杂（离子注入）

D.蚀刻

【参考答案】C

【解析】掺杂工艺，特别是离子注入，是精确控制半导体材料导电类型和浓度的核心步骤，用于形成晶体管的源极和漏极区域[[44]]。光刻用于定义图案，蚀刻用于去除材料，沉积用于形成薄膜[[43]]。14.【参考答案】B【解析】在CMOS电路中，NMOS晶体管负责拉低输出电平，其源极（Source）通常直接连接至地电位（GND），以确保在导通时能将输出端有效拉至低电平[[3]]。

2.【题干】构成TTL与非门基本单元的半导体器件主要是？【选项】A.MOSFETB.二极管C.双极型晶体管D.结型场效应管【参考答案】C【解析】TTL（晶体管-晶体管逻辑）门电路的核心是利用双极型晶体管（BJT）作为开关元件，其基本单元如与非门主要由多个晶体管构成[[1]]。

3.【题干】集成电路制造中，用于在半导体衬底上精确形成器件图案的关键工艺是？【选项】A.扩散B.蒸发C.光刻D.键合【参考答案】C【解析】光刻工艺是微电子制造的核心步骤，通过掩模和感光材料在半导体衬底上精确定义晶体管、互连线等微细结构[[2]]。

4.【题干】为了提高集成电路集成密度，垂直堆叠式互补场效应晶体管架构相比传统平面CMOS可减少多少面积？【选项】A.10-20%B.25-35%C.42-50%D.60-70%【参考答案】C【解析】垂直堆叠式互补场效应晶体管架构能有效利用三维空间，相比传统平面CMOS结构，可显著减少芯片面积，估算减少比例为42-50%[[6]]。

5.【题干】在数字集成电路设计中，分析和优化电路速度、功耗与鲁棒性的关键因素之一是？【选项】A.电源频率B.互连线模型C.外壳材料D.测试向量【参考答案】B【解析】互连线模型与互连技术直接影响信号传输延迟和功耗，是分析和设计数字集成电路性能时必须考虑的关键因素[[3]]。15.【参考答案】A【解析】与非门的逻辑功能是“先与后非”。只有当所有输入均为高电平时，“与”运算结果为1，再经“非”运算后输出为0（低电平）。其他情况下，“与”运算结果为0，非运算后输出为1。因此，输出为低电平的唯一条件是所有输入均为高电平[[1]]。16.【参考答案】B【解析】PN结在无外加电压时存在由离子构成的空间电荷区。当施加正向偏压（P区接正、N区接负）时，外电场削弱了内建电场，使多数载流子更容易扩散通过结区，导致空间电荷数量减少，耗尽层变窄[[13]]。17.【参考答案】C【解析】在C语言中，数组名arr等价于指向首元素的指针。初始时p指向arr[0]。执行p+=2后，指针向前移动2个int单位，即指向arr[2]。指针的算术运算会根据所指类型自动调整步长[[23]]。18.【参考答案】C【解析】栈是一种后进先出（LIFO）的数据结构，所有插入（push）和删除（pop）操作均在栈顶进行。队列则是先进先出（FIFO），插入（enqueue）在队尾，删除（dequeue）在队头[[30]]。19.【参考答案】B【解析】静态工作点过高意味着晶体管的基极电流过大，导致集电极电流过大，使晶体管进入饱和区。此时输出电压无法继续下降，造成输出波形底部被削平，即饱和失真。截止失真则发生在工作点过低时[[37]]。20.【参考答案】B【解析】CMOS（互补金属氧化物半导体）集成电路主要利用MOSFET作为开关器件构建逻辑电路[[3]]。其特点是功耗低，是现代数字集成电路的主流工艺[[3]]。

2.【题干】集成电路制造中，用于在硅片上形成导电区域的工艺过程通常包括哪些？

【选项】A.氧化、扩散、离子注入B.锻造、冲压、焊接C.铸造、锻造、热处理D.粘接、切割、封装

【参考答案】A

【解析】微电子制造工艺包含氧化、扩散、离子注入等单项技术，用于在半导体基底上形成所需的掺杂区域和结构[[6]]。这些是构建晶体管等器件的基础步骤[[1]]。

3.【题干】描述集成电路特征尺寸的参数通常指什么？

【选项】A.芯片的总面积B.封装的引脚数量C.MOS器件栅极的沟道长度D.电源电压的大小

【参考答案】C

【解析】集成电路的特征尺寸常指MOS器件栅极所决定的沟道几何长度，它反映了工艺能加工的最小线宽，是衡量工艺先进程度的关键指标[[5]]。

4.【题干】下列哪项是CMOS工艺的主要优势？

【选项】A.高功耗B.低功耗C.成本极高D.仅适用于模拟电路

【参考答案】B

【解析】CMOS工艺因其静态功耗极低的特点，被广泛应用于数字电路和低功耗模拟电路的设计中[[3]]。

5.【题干】在集成电路设计中，版图设计是哪个环节的重要组成部分？

【选项】A.市场调研B.工艺集成C.产品包装D.电路仿真

【参考答案】B

【解析】版图设计是将电路原理图转化为物理图形的过程，是集成电路工艺集成和制造的关键环节，与CMOS工艺密切相关[[4]]。21.【参考答案】B【解析】N型半导体是通过在本征半导体中掺入五价元素（如磷）形成的，其价电子比硅多一个，因此提供自由电子作为多数载流子。空穴则为少数载流子。该结论是半导体物理的基础内容[[1]]。22.【参考答案】C【解析】n位二进制译码器有2ⁿ个输出端。四位即2⁴=16个输出端，每个对应一个唯一的输入组合。这是数字逻辑电路中译码器的基本特性[[5]]。23.【参考答案】B【解析】指针的本质是存储变量内存地址的变量。对变量取地址（&）操作得到的就是其指针。这是C语言指针概念的核心定义[[12]]。24.【参考答案】C【解析】MOSFET放大区要求栅源电压超过阈值电压（V_GS>V_th），且漏源电压足够大使得沟道在漏端夹断，即V_DS≥V_GS-V_th[[24]]。25.【参考答案】C【解析】全相联映射允许主存中的任意一块映射到Cache的任意一行，灵活性最高但硬件成本也最高。这是Cache映射方式的基本分类之一[[31]]。26.【参考答案】A、B、C【解析】本征半导体是纯净、无缺陷的单晶半导体（如纯硅）。其费米能级理论上位于禁带中央；由于载流子（电子-空穴对）完全由本征激发产生，故n₀=p₀；温度升高激发更多电子-空穴对，电导率上升。掺杂后即为非本征（杂质）半导体，故D错误[[1]]。27.【参考答案】A、B、D【解析】组合逻辑电路的输出仅取决于当前输入，与电路先前状态无关。数据选择器、译码器、加法器均满足此特征。触发器具有记忆功能，输出与历史状态相关，属于时序逻辑电路[[10]]。28.【参考答案】A、B、C【解析】数组名代表首元素地址，是不可修改的常量指针，故arr++非法；函数形参intarr[]与int*arr等价。而指针变量本身只存储地址（通常4或8字节），数组变量则存储全部元素，二者空间大小不同，D错误[[18]]。29.【参考答案】A、B、C【解析】负载因子=元素数/表长，影响性能；冲突不可避免，只能减少；开放定址法（如线性探测）将冲突元素存于表内其他位置。因关键字集合通常远大于地址空间，任何哈希函数都无法绝对避免冲突，D错误[[29]]。30.【参考答案】A、C【解析】电压放大倍数|Av|≈βRc'/rbe，其中Rc'为Rc与RL的并联值，故单纯增大RL效果有限（需同时考虑Rc），B不严谨。Ce旁路发射极电阻Re，可消除交流负反馈，显著提升增益。增大Rb1会减小静态电流Ic，导致rbe增大、β可能下降，反而可能降低增益，D错误[[36]]。31.【参考答案】A,C【解析】PN结电容包括势垒电容和扩散电容。势垒电容由耗尽区空间电荷随电压变化产生[[8]]。正向偏置时，少数载流子注入增加，非平衡少子积累形成显著的扩散电容，其值远大于势垒电容[[9]]。反向偏置时，势垒区变宽，势垒电容减小[[11]]。扩散电容与多数载流子关系不大[[8]]。32.【参考答案】A,B,D【解析】CMOS反相器由PMOS和NMOS互补构成，静态时两管一开一关，几乎无直流通路，故静态功耗极低[[15]]。其输出高电平接近VDD，低电平接近GND，为全摆幅输出[[15]]。CMOS电路具有高噪声容限和强抗干扰能力[[15]]，且开关速度快，工作稳定可靠[[15]]。33.【参考答案】A,B,C【解析】能带结构描述了电子允许的能量状态，禁带宽度决定了材料是导体、半导体还是绝缘体[[24]]。能带的形状影响载流子的有效质量[[22]]。杂质能级在禁带中的位置决定了材料是N型还是P型半导体[[21]]。金属键强度属于原子间作用力范畴，与能带结构无直接决定关系[[25]]。34.【参考答案】A,B,D【解析】光刻是将掩模图形转移到晶圆表面的核心工艺，基本流程包括：清洗晶圆、涂覆光刻胶、软烘、对准掩模并进行曝光、后烘、显影以去除感光部分、坚膜等[[27]]。离子注入是后续的掺杂工艺，不属于光刻步骤[[31]]。35.【参考答案】A,B,C【解析】半导体的特征是价带与导带之间存在禁带[[24]]。金属的能带结构中，价带与导带常有交叠，使其具有良好的导电性[[25]]。能带结构决定了电子跃迁的能量，从而影响材料的吸收、发射等光学特性[[23]]。在能带内部，电子能量是准连续的，而非离散态[[24]]。36.【参考答案】ABCD【解析】半导体中，价带是最高被电子占据的能带，导带是最低的未被占据的能带，两者间为禁带[[25]]。导带中的电子可自由移动，价带中的电子通常被束缚[[25]]。金属的导带与价带重叠，导致无禁带，电子易移动[[23]]。37.【参考答案】ABCD【解析】PN结因P区空穴与N区电子浓度差而发生扩散[[32]]，扩散后在界面形成内建电场，方向由N区指向P区。该电场驱动少子漂移，最终与扩散电流大小相等、方向相反，实现动态平衡，净电流为零[[29]]。38.【参考答案】ABCD【解析】光刻通过曝光和显影将掩膜图形复制到光刻胶层[[41]]，刻蚀则利用化学或物理方法去除未被光刻胶保护的材料[[34]]。光刻胶在此过程中起保护作用[[41]]，刻蚀选择比决定了不同材料的相对蚀刻速率[[40]]。39.【参考答案】ABCD【解析】CMOS工艺包含多个关键步骤：热氧化用于形成栅氧或隔离层[[18]]；沉积多晶硅作栅极、金属作互连[[15]]；浅槽隔离（STI）实现器件间电隔离[[17]]；离子注入用于精确调控阱区和阈值电压[[17]]。40.【参考答案】ABCD【解析】载流子在半导体中运动受晶格与杂质散射影响迁移率。外加电场使载流子定向移动形成漂移电流，与电场成正比。浓度梯度引起扩散运动[[32]]，两者共同构成载流子输运机制。41.【参考答案】B【解析】异或门的逻辑特性是：当两个输入相同时（均为0或均为1），输出为低电平（0）；只有当两个输入不同时，输出才为高电平（1）。因此题干描述错误。42.【参考答案】A【解析】半导体如硅、锗等，其本征导电性较弱，但通过掺入杂质（如磷或硼）可大幅提高其导电能力，这是制造晶体管和集成电路的基础原理，因此该说法正确。43.【参考答案】B【解析】CMOS电路的静态功耗极低，理想情况下为零，因为静态时没有直流通路。而充放电电流属于动态功耗，发生在开关过程中。因此题干混淆了静态与动态功耗，错误。44.【参考答案】A【解析】当PN结施加正向电压时，外电场抵消了内建电场，导致空间电荷区（耗尽层）变窄，载流子更容易扩散通过结区，形成正向电流。因此该说法正确。45.【参考答案】A【解析】Verilog中，"reg"类型用于在过程块（如always或initial）中保存值，不能在assign语句（连续赋值）中直接驱动，后者需使用"wire"类型。因此该说法正确。46.【参考答案】A【解析】组合逻辑电路由逻辑门构成，其输出只与当前输入变量有关，不涉及存储或记忆功能。与之相对的是时序逻辑电路，其输出不仅依赖当前输入，还与历史状态有关。因此该说法正确。47.【参考答案】B【解析】硅的禁带宽度约为1.12eV，而砷化镓的禁带宽度约为1.42eV，因此砷化镓的禁带宽度更大。该说法错误。48.【参考答案】A【解析】标准CMOS工艺中，NMOS晶体管制作在P型衬底上，而PMOS晶体管制作在N型阱中，以实现与衬底的适当电隔离和阈值电压控制，保障电路正常工作。该说法正确。49.【参考答案】B【解析】傅里叶变换是可逆的，通过傅里叶逆变换可以从频域信号精确恢复原始时域信号（在满足一定条件下，如信号绝对可积）。因此该说法错误。50.【参考答案】A【解析】光刻分辨率受衍射极限影响，与光源波长成正比，波长越短，分辨率越高。这也是为何先进制程采用极紫外（EUV）光刻（13.5nm波长）的原因。该说法正确。

2025福建省晋华集成电路有限公司校园招聘笔试历年典型考点题库附带答案详解（第2套）一、单项选择题下列各题只有一个正确答案，请选出最恰当的选项（共25题）1、在数字逻辑电路中，以下哪种电路的输出状态仅取决于当前的输入信号，而与之前的输入状态无关？A.同步时序电路B.异步时序电路C.组合逻辑电路D.触发器电路2、在NPN型双极结型晶体管（BJT）中，当其工作在放大区时，发射结和集电结的偏置状态分别是？A.发射结反偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结和集电结均正偏D.发射结和集电结均反偏3、在C语言中，对于定义为intarr[10];的数组，以下关于arr的描述哪一项是正确的？A.arr是一个指针变量，可以被重新赋值B.arr是数组首元素的地址，其值可以被修改C.arr是数组首元素的地址，其值是一个常量D.arr存储的是整个数组的副本4、关于栈和队列这两种数据结构，以下描述正确的是？A.栈和队列都遵循“先进先出”的原则B.栈遵循“先进后出”原则，队列遵循“先进先出”原则C.栈遵循“先进先出”原则，队列遵循“先进后出”原则D.栈和队列都遵循“后进先出”的原则5、在操作系统中，进程和线程的主要区别在于？A.进程是CPU调度的基本单位，线程是资源分配的基本单位B.进程是资源分配的基本单位，线程是CPU调度的基本单位C.进程和线程都是资源分配的基本单位D.进程和线程都是CPU调度的基本单位6、在本征半导体中，当温度升高时，其导电能力会如何变化？A.不变B.减弱C.增强D.先增强后减弱7、对于一个2输入“与非”（NAND）门，若其输出为逻辑0，则两个输入端的状态必须是？A.全为0B.一为0，一为1C.全为1D.任意组合8、N沟道增强型MOSFET工作在饱和区（恒流区）的条件是？A.\(V_{GS}<V_{th}\)，\(V_{DS}>0\)B.\(V_{GS}>V_{th}\)，\(V_{DS}<V_{GS}-V_{th}\)C.\(V_{GS}>V_{th}\)，\(V_{DS}\geqV_{GS}-V_{th}\)D.\(V_{GS}>0\)，\(V_{DS}=0\)9、在C语言中，已知`inta[5]={1,2,3,4,5};int*p=&a[0];`，则表达式`*(p+2)`的值是？A.1B.2C.3D.410、在Cache与主存的三种映射方式中，哪种方式的块冲突率最低？A.直接映射B.全相联映射C.2路组相联映射D.4路组相联映射11、根据摩尔定律，单块集成电路的集成度大约每隔多长时间翻一番？A.6~12个月B.12~18个月C.18~24个月D.24~30个月12、在数字电路中，一位十六进制数可以用多少位二进制数表示？A.1B.2C.4D.1613、下列哪项是本征半导体在绝对零度时的导电特性？A.导电性极强B.完全不导电C.导电性随光照增强D.导电性由杂质决定14、TTL逻辑门电路主要基于哪种器件构成？A.场效应管B.双极型晶体管C.二极管D.可控硅15、CMOS数字电路在静态工作状态下（无开关动作时）的功耗特点是什么？A.功耗极大B.有显著静态功耗C.几乎无静态功耗D.功耗与频率成正比16、在半导体物理中，本征半导体的费米能级通常位于何处？A.导带底B.价带顶C.禁带中央D.禁带靠近导带处17、一个4输入的多数表决电路（即3票及以上为“1”时输出为1），其最小项表达式中包含多少个最小项？A.4B.5C.6D.718、在标准CMOS反相器中，当输入为高电平（接近V_DD）时，下列关于PMOS和NMOS工作状态的描述，正确的是？A.PMOS导通，NMOS截止B.PMOS截止，NMOS导通C.PMOS和NMOS均导通D.PMOS和NMOS均截止19、卡诺图化简逻辑函数时，两个相邻（含对称相邻）的“1”方格合并，可以消去几个变量？A.0个B.1个C.2个D.3个20、在CMOS工艺中，“闩锁效应”（Latch-up）主要由哪种寄生结构引起？A.寄生BJT构成的达林顿对B.寄生MOSFET形成的负阻振荡器C.寄生PNPN结构（等效SCR）D.寄生电容与电感形成的LC谐振回路21、在CMOS反相器中，当输入为高电平时，输出为低电平，此时PMOS管和NMOS管分别处于什么工作状态？A.PMOS导通，NMOS截止B.PMOS截止，NMOS导通C.两者均导通D.两者均截止22、在数字电路中，若需对64个不同的信号进行唯一编码，则至少需要多少位二进制数？A.5位B.6位C.7位D.8位23、在本征半导体中，自由电子浓度与空穴浓度的关系是？A.自由电子浓度大于空穴浓度B.自由电子浓度小于空穴浓度C.两者相等D.无法确定24、在C语言中，表达式sizeof(int*)的结果通常为？A.2B.4C.8D.与平台指针大小有关25、栈和队列的共同点是？A.都是先进先出B.都是先进后出C.都是线性数据结构D.都只能在一端操作二、多项选择题下列各题有多个正确答案，请选出所有正确选项（共15题）26、在数字逻辑电路中，关于组合逻辑电路的特点，下列说法正确的是？A.电路的输出仅取决于当前的输入B.电路内部包含存储元件C.不存在反馈回路D.具有记忆功能27、关于半导体中载流子的描述，以下哪些是正确的？A.本征半导体中电子和空穴浓度相等B.N型半导体中多数载流子是空穴C.P型半导体通过掺入三价元素形成D.温度升高会增加载流子浓度28、在C语言中，关于动态内存管理，以下说法正确的是？A.malloc()分配的内存需用free()释放B.realloc()可用于调整已分配内存块的大小C.calloc()分配内存后会自动初始化为0D.动态分配的内存位于栈区29、在基本共射极放大电路中，以下哪些因素会影响静态工作点？A.电源电压VccB.基极偏置电阻C.晶体管的β值D.输入信号的频率30、在计算机中关于数据表示，下列说法正确的是？A.补码表示可统一加减运算B.浮点数由阶码和尾数组成C.无符号整数的表示范围大于有符号整数（相同位数）D.ASCII码属于汉字编码标准31、在数字逻辑电路中，以下哪些逻辑门可以单独构成通用逻辑系统（即能实现任意布尔函数）？A.与门B.或非门C.与非门D.异或门32、下列哪些属于半导体材料的本征载流子产生机制？A.热激发B.光照激发C.掺杂引入D.电场加速33、关于CMOS反相器的静态功耗，以下说法正确的是？A.静态时PMOS和NMOS同时导通B.静态功耗理想情况下为零C.静态功耗主要来源于漏电流D.输入为高电平时功耗最大34、下列哪些是影响MOSFET阈值电压的因素？A.栅氧化层厚度B.衬底掺杂浓度C.沟道长度D.金属-半导体功函数差35、在集成电路制造中，以下哪些工艺属于前道工艺（Front-End-of-Line,FEOL）？A.光刻B.化学机械抛光（CMP）C.金属互连沉积D.离子注入36、在数字逻辑电路中，以下哪些是组合逻辑电路的典型器件？A.计数器B.译码器C.数据选择器D.寄存器37、关于本征半导体，下列说法正确的是？A.本征半导体中自由电子和空穴的浓度相等B.掺入三价元素可形成N型半导体C.温度升高，本征载流子浓度增加D.本征半导体的导电能力很强38、对于理想运算放大器构成的反相比例放大电路，以下描述正确的是？A.输入电阻很高B.存在“虚短”和“虚断”现象C.输出电压与输入电压同相D.电路引入了电压并联负反馈39、冯·诺依曼体系结构的计算机硬件系统主要由哪些部分组成？A.运算器B.控制器C.存储器D.操作系统40、关于线性时不变（LTI）系统对正弦信号的稳态响应，下列说法正确的是？A.稳态响应仍是同频率的正弦信号B.稳态响应的幅度和相位由系统的频率响应决定C.稳态响应的频率会发生改变D.系统的暂态响应会永久存在三、判断题判断下列说法是否正确（共10题）41、在半导体制造中，通过热氧化工艺在硅片表面生成的二氧化硅（SiO₂）层主要用作绝缘和掩蔽层。A.正确B.错误42、在本征半导体中，自由电子和空穴的浓度相等。A.正确B.错误43、CMOS逻辑门的静态功耗几乎为零。A.正确B.错误44、触发器属于组合逻辑电路。A.正确B.错误45、动态随机存取存储器（DRAM）需要定期刷新以维持所存储的数据。A.正确B.错误46、负反馈可以提高放大电路的增益稳定性。A.正确B.错误47、在CMOS反相器中，当输入为高电平时，PMOS管导通而NMOS管截止。A.正确B.错误48、根据摩尔定律，集成电路的晶体管集成度大约每18至24个月翻一番。A.正确B.错误49、模拟集成电路主要用于处理离散的数字信号。A.正确B.错误50、在数字逻辑电路中，时序逻辑电路必须包含存储元件，而组合逻辑电路不含记忆功能。A.正确B.错误

参考答案及解析1.【参考答案】C【解析】组合逻辑电路的输出仅由当前输入决定，不具备记忆功能。而时序电路（包括同步和异步）的输出不仅与当前输入有关，还依赖于电路的历史状态，因其包含存储元件（如触发器）。因此，正确答案是C[[3]]。2.【参考答案】B【解析】NPN晶体管工作在放大区时，需要发射结正向偏置以发射载流子，集电结反向偏置以有效收集载流子。这是实现电流放大的关键条件[[13]]。3.【参考答案】C【解析】在C语言中，数组名arr本质上是一个指向数组首元素的常量指针，其值即为数组首元素的地址，不能被修改或重新赋值。它不是一个普通的指针变量[[27]]。4.【参考答案】B【解析】栈（Stack）是一种“先进后出”（FILO）的数据结构，只能在一端（栈顶）进行插入和删除操作。队列（Queue）则是一种“先进先出”（FIFO）的数据结构，插入在队尾，删除在队首[[35]]。5.【参考答案】B【解析】进程是操作系统进行资源分配（如内存、文件）的基本单位，拥有独立的地址空间。线程是进程内的执行单元，是CPU调度和分派的基本单位，同一进程内的线程共享进程的资源[[41]]。6.【参考答案】C【解析】本征半导体（如纯净硅或锗）的载流子来源于本征激发，即价带电子获得足够能量跃迁至导带，形成电子-空穴对。温度升高会显著增强本征激发强度，使自由电子和空穴浓度同步上升，因而导电能力增强[[1]]。该结论是半导体物理的基础核心内容。7.【参考答案】C【解析】“与非”门的逻辑功能是：先执行“与”运算，再取反。只有当所有输入均为1时，“与”运算结果为1，经反相后输出为0；其余输入组合下，“与”结果为0，取反后输出为1[[9]]。这是数字逻辑中最基本的门电路特性。8.【参考答案】C【解析】对N-MOS而言，开启电压为\(V_{th}\)。当\(V_{GS}>V_{th}\)时沟道形成；若此时漏源电压\(V_{DS}\geqV_{GS}-V_{th}\)，沟道在漏端发生夹断，器件进入饱和区，漏极电流基本恒定，可用于放大[[14]]。9.【参考答案】C【解析】`p`指向数组`a`的首元素`a[0]`（值为1）。`p+2`表示指针向后移动2个`int`单位，指向`a[2]`；`*(p+2)`即对`a[2]`解引用，其值为3。此题考察指针算术与数组元素访问的本质一致性[[21]]。10.【参考答案】B【解析】全相联映射允许主存中的任一块放入Cache的任意行，灵活性最高，冲突概率最低；直接映射中每一块仅有唯一可放置位置，冲突率最高；组相联是折中方案，组数越少（路数越多）冲突率越低[[33]]。11.【参考答案】C【解析】摩尔定律由英特尔创始人戈登·摩尔提出，指出集成电路上可容纳的晶体管数量约每18至24个月翻一番，同时性能提升、成本下降。这是半导体产业发展的重要经验规律[[1]]。12.【参考答案】C【解析】十六进制的基数为16，而2⁴=16，因此每一位十六进制数恰好对应4位二进制数。这是数制转换中的基本知识点，广泛应用于数字系统设计中[[11]]。13.【参考答案】B【解析】本征半导体在绝对零度时，价带满、导带空，无自由载流子，因此不导电。只有在温度升高或光照激发下，才会产生电子-空穴对而导电[[20]]。14.【参考答案】B【解析】TTL（Transistor-TransistorLogic）电路以双极型晶体管为核心元件实现逻辑功能，而CMOS则使用MOS场效应管。两者在功耗、速度和电平兼容性方面有显著差异[[27]]。15.【参考答案】C【解析】CMOS电路在静态时，PMOS与NMOS管总有一个截止，电源与地之间无直流通路，因此静态功耗极低（纳瓦级）。其主要功耗来自开关过程中的动态功耗[[38]]。16.【参考答案】C【解析】本征半导体中，电子浓度等于空穴浓度，费米能级（E_F）由载流子统计分布决定。对于非简并半导体，在温度不太高时，E_F近似位于禁带中央（E_i），即E_c与E_v的中点。这是由电子和空穴有效态密度及本征载流子浓度公式推导得出的基本结论，是半导体物理的核心概念之一[[1]]。17.【参考答案】B【解析】4个输入变量（A、B、C、D）共有2⁴=16种组合。输出为1的情况是：恰好3个1（C₄³=4种）和4个1（C₄⁴=1种），共5种。对应的最小项为m7(0111),m11(1011),m13(1101),m14(1110),m15(1111)，共5个[[11]]。18.【参考答案】B【解析】CMOS反相器由PMOS（上拉）和NMOS（下拉）串联构成。输入高电平时，NMOS栅源电压V_GS>V_thn，故NMOS导通；PMOS栅源电压V_SG=V_DD-V_in≈0<|V_thp|，故PMOS截止。此时输出经NMOS接地，为低电平[[17]]。19.【参考答案】B【解析】卡诺图中，n个方格构成的矩形圈（n=2^k），可消去k个变量。两个相邻“1”构成2^1个方格的圈，其对应的最小项仅在一个变量上取值不同（如AB与A¬B），合并后该项被消去，故消去1个变量。这是卡诺图化简的基本规则[[7]]。20.【参考答案】C【解析】标准CMOS结构中，n阱/p衬底与p+扩散区/n+扩散区自然形成寄生的npn和pnp双极型晶体管，二者构成PNPN四层结构，等效于一个可控硅整流器（SCR）。当外界触发（如电源毛刺）使其导通后，会形成低阻通路，导致大电流甚至烧毁芯片，即闩锁效应[[23]]。21.【参考答案】B【解析】CMOS反相器由一个PMOS和一个NMOS晶体管组成，二者串联。当输入为高电平时，NMOS管导通（因栅源电压大于阈值），PMOS管截止（因栅源电压小于阈值），电流从地流经NMOS至输出端，使输出为低电平[[9]]。静态下二者不会同时导通，功耗极低[[11]]。

2.【题干】对于本征半导体硅，在室温（300K）下，自由电子浓度与空穴浓度的关系是？

【选项】A.电子浓度远大于空穴浓度B.空穴浓度远大于电子浓度C.两者浓度相等D.两者浓度均为零

【参考答案】C

【解析】本征半导体指纯净无掺杂的半导体，其导带中的自由电子与价带中的空穴均由热激发产生，数量相等[[24]]。在300K时，硅的本征载流子浓度约为1.5×10¹⁰cm⁻³，即n_i=p_i[[25]]。

3.【题干】一个二输入与非门，当其两个输入端均为高电平时，输出为？

【选项】A.高电平B.低电平C.高阻态D.不确定

【参考答案】B

【解析】与非门（NAND）的逻辑功能是“与”后取反。其真值表表明，只有当所有输入均为高电平时，输出才为低电平；只要有一个输入为低电平，输出即为高电平[[17]]。因此，双高输入对应低输出。

4.【题干】在数字电路时序分析中，建立时间（SetupTime）是指数据信号必须在时钟有效沿到来之前保持稳定的最小时间，其主要目的是？

【选项】A.确保数据在时钟沿后能被正确保持B.保证数据在时钟沿到来时已稳定，可被可靠采样C.减少电路的动态功耗D.防止时钟信号出现偏移

【参考答案】B

【解析】建立时间是触发器采样数据的必要条件，确保在时钟上升沿到来时，输入数据已稳定足够长的时间，避免因数据变化过快导致采样错误[[31]]。若不满足，将引发时序违例，导致电路功能异常[[32]]。

5.【题干】在半导体器件中，向硅材料中掺入五价元素（如磷）会形成何种类型的半导体？

【选项】A.P型半导体B.N型半导体C.本征半导体D.绝缘体

【参考答案】B

【解析】五价元素有五个价电子，掺入硅（四价）晶格后，四个电子用于形成共价键，剩余一个电子易脱离原子成为自由电子，显著增加电子浓度，形成以电子为多数载流子的N型半导体[[28]]。22.【参考答案】B【解析】编码n个不同信号所需的最少二进制位数k应满足2^k≥n。当n=64时，2^6=64，因此至少需要6位二进制数即可完成唯一编码。23.【参考答案】C【解析】本征半导体是未掺杂的纯净半导体，其内部载流子由热激发产生，每激发一个自由电子，就同时产生一个空穴，因此自由电子浓度与空穴浓度始终相等[[9]]。24.【参考答案】D【解析】C语言中指针类型的sizeof结果取决于运行平台的地址总线宽度。在32位系统中通常为4字节，64位系统中通常为8字节，因此其大小与平台相关[[19]]。25.【参考答案】C【解析】栈是后进先出（LIFO）的线性结构，操作在栈顶；队列是先进先出（FIFO）的线性结构，操作在两端。二者都属于线性数据结构[[28]]。26.【参考答案】AC【解析】组合逻辑电路的特点是输出只与当前输入有关，与电路过去的状态无关，因此不具备记忆功能，也不包含存储元件。同时，其结构中不存在从输出到输入的反馈回路。选项B和D描述的是时序逻辑电路的特征[[1]]。27.【参考答案】ACD【解析】本征半导体中电子与空穴成对产生，浓度相等；N型半导体掺五价元素，多数载流子是电子；P型半导体掺三价元素（如硼），形成空穴为多数载流子；温度升高激发更多电子-空穴对，载流子浓度增加[[8]]。28.【参考答案】ABC【解析】malloc、calloc、realloc均在堆区分配内存，需手动用free释放；calloc会将分配的内存初始化为0；realloc可扩大或缩小已有内存块；栈区用于局部变量，非动态分配[[14]]。29.【参考答案】ABC【解析】静态工作点（Q点）由直流偏置决定，受Vcc、基极电阻和晶体管参数（如β）影响；输入信号频率属于交流分析范畴，不影响Q点设置[[24]]。30.【参考答案】ABC【解析】补码使加减法统一为加法运算；IEEE754浮点数包含阶码和尾数；N位无符号整数范围为0~2ⁿ−1，有符号为−2ⁿ⁻¹~2ⁿ⁻¹−1，前者范围更大；ASCII是英文字符编码，非汉字标准[[30]]。31.【参考答案】B、C【解析】通用逻辑门是指仅使用该种门电路即可实现任意布尔逻辑功能。或非门（NOR）和与非门（NAND）均具备这一特性，被称为“通用门”。而单纯的与门、或门、异或门无法单独实现非运算，因此不具备通用性。32.【参考答案】A、B【解析