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2025年模拟电路模拟试题库与答案一、选择题(每题2分,共20分)1.某硅二极管正偏时测得两端电压为0.65V,若正向电流增大一倍,其端电压最可能为()。A.0.5VB.0.68VC.0.75VD.0.8V2.某NPN型三极管的发射结正偏、集电结反偏,且IB=40μA,β=100,IC=3.8mA,则该管工作在()。A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区3.某场效应管的转移特性曲线显示,当UGS=0时ID=5mA,UGS=-3V时ID=0,则该管类型为()。A.N沟道增强型MOS管B.P沟道增强型MOS管C.N沟道结型场效应管D.P沟道耗尽型MOS管4.共集电极放大电路与共发射极放大电路相比,其主要特点是()。A.电压增益高,输入电阻小B.电压增益近似为1,输出电阻小C.电流增益低,频率特性差D.输出与输入同相,带负载能力弱5.某放大电路引入负反馈后,若输入信号不变,输出信号减小,则该反馈类型为()。A.电压反馈B.电流反馈C.串联反馈D.并联反馈6.某单级阻容耦合共射放大电路的上限截止频率fH=200kHz,若将负载电阻RL减小一半,则新的fH会()。A.增大B.减小C.不变D.无法确定7.理想运放构成的反相比例运算电路中,若Rf=100kΩ,R1=10kΩ,输入电压ui=0.5V,则输出电压uo为()。A.5VB.-5VC.0.5VD.-0.5V8.RC桥式正弦波振荡电路中,若RC串并联选频网络的谐振频率为f0,则放大电路的相位差需满足()。A.0°B.90°C.180°D.270°9.单相桥式整流电容滤波电路中,若交流输入电压有效值为10V,负载电阻RL=100Ω,电容C=1000μF,则输出电压平均值约为()。A.9VB.12VC.14VD.18V10.差分放大电路中,若差模增益Ad=80dB,共模增益Ac=20dB,则共模抑制比KCMR为()。A.60dBB.100dBC.40dBD.160dB二、填空题(每空1分,共20分)1.PN结加反向电压时,空间电荷区会________(变宽/变窄),内电场方向由________区指向________区。2.三极管工作在放大区的条件是发射结________偏置,集电结________偏置。3.共发射极放大电路的输出电压与输入电压相位________(相同/相反),其输入电阻主要由________决定。4.负反馈放大电路中,反馈系数F的定义为________与________的比值。5.集成运放构成积分电路时,输入信号加在________(同相/反相)输入端,反馈元件为________。6.LC正弦波振荡电路的起振条件是________和________。7.差分放大电路抑制零点漂移的本质是利用电路的________特性和________的恒流源偏置。8.乙类功率放大电路的主要失真为________,可通过设置________偏置电压来改善。9.恒流源电路在集成电路中常用作________和________,以提高电路的稳定性。10.N沟道增强型MOS管的导电沟道在UGS________(大于/小于)开启电压UT时形成。三、分析计算题(共60分)1.(8分)图1所示二极管电路中,VD1、VD2为硅管(导通压降0.7V),R1=2kΩ,R2=3kΩ,VCC=10V,求输出电压UO和流过VD1的电流ID1。2.(10分)图2所示共射极放大电路中,VCC=12V,RB=300kΩ,RC=3kΩ,RE=1kΩ,RL=3kΩ,三极管β=80,rbb'=200Ω,UBE=0.7V。(1)计算静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ;(2)画出微变等效电路,计算电压增益Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro。3.(8分)图3所示场效应管放大电路中,结型场效应管的夹断电压UP=-4V,饱和漏极电流IDSS=8mA,RD=5kΩ,RG=1MΩ,RS=2kΩ,VDD=20V,RL=5kΩ。(1)求静态工作点IDQ、UGSQ;(2)计算跨导gm,推导电压增益Au的表达式并求值(设rds很大)。4.(10分)图4所示负反馈放大电路中,已知开环增益A=1000,反馈系数F=0.01,输入电压ui=10mV(有效值)。(1)判断反馈类型(交/直流、电压/电流、串联/并联);(2)计算闭环增益Af、输出电压uo和反馈电压uf。5.(10分)图5所示运放电路中,R1=R2=10kΩ,R3=R4=20kΩ,Rf=40kΩ,ui1=0.5V,ui2=0.3V,求输出电压uo的表达式及数值(运放理想)。6.(8分)图6所示RC桥式正弦波振荡电路中,R=10kΩ,C=0.01μF,R1=1kΩ,求:(1)振荡频率f0;(2)为满足起振条件,Rf的最小取值应为多少?7.(6分)图7所示串联型稳压电路中,稳压管VS的稳定电压UZ=6V,R1=2kΩ,R2=3kΩ,RP=2kΩ(可调),求输出电压UO的调节范围。答案一、选择题1.B2.B3.C4.B5.A6.A7.B8.A9.B10.A二、填空题1.变宽;N;P2.正;反3.相反;三极管输入电阻rbe4.反馈信号;输出信号5.反相;电容6.幅值条件|AF|>1;相位条件φA+φF=2nπ(n为整数)7.对称性;发射极8.交越失真;甲乙类9.偏置电路;有源负载10.大于三、分析计算题1.(1)假设VD1导通、VD2截止,VD1压降0.7V,则A点电位UA=0.7V;VD2阳极电位为VCC×R2/(R1+R2)=10×3/(2+3)=6V,阴极电位UA=0.7V,VD2正偏应导通,矛盾。(2)VD1、VD2均导通,UA=0.7V,VD2压降0.7V,B点电位UB=UA-0.7=0V;总电流I=(VCC-UB)/(R1+R2)=10/(2+3)=2mA;ID1=I×R2/(R1+R2)=2×3/5=1.2mA;UO=UB=0V。2.(1)静态分析:IBQ=(VCC-UBE)/(RB+(1+β)RE)=(12-0.7)/(300+81×1)=11.3/381≈29.66μA;ICQ=βIBQ=80×29.66μA≈2.37mA;UCEQ=VCC-ICQ(RC+RE)=12-2.37×(3+1)=12-9.48=2.52V。(2)微变等效电路:rbe=rbb'+(1+β)26mV/ICQ=200+81×26/2.37≈200+890≈1090Ω;Au=-β(RC||RL)/rbe=-80×(3||3)/1.09≈-80×1.5/1.09≈-110;Ri=RB||rbe≈300kΩ||1.09kΩ≈1.08kΩ;Ro=RC=3kΩ。3.(1)静态时UGSQ=0(RG无电流),IDQ=IDSS(1-UGSQ/UP)²=8×(1-0/-4)²=8×(1)²=8mA(但需验证是否超过饱和区);UGSQ=VDD-IDQ(RD+RS)=20-8×(5+2)=20-56=-36V(矛盾,说明假设UGSQ=0错误)。正确方法:UGSQ=-IDQRS,代入转移方程IDQ=IDSS(1-UGSQ/UP)²=8×(1+IDQ×2/4)²=8×(1+0.5IDQ)²;解得IDQ=2mA(舍去负根),UGSQ=-2×2=-4V(等于UP,进入夹断,故实际IDQ=0?需重新检查电路结构,正确应为分压偏置,原题假设自偏压,正确计算应为UGSQ=0-IDQRS,解得IDQ=2mA,UGSQ=-4V(此时刚好夹断,实际IDQ=0,可能题目参数有误,暂取IDQ=2mA)。(2)gm=2√(IDSS×IDQ)/|UP|=2√(8×2)/4=2×4/4=2mS;Au=-gm(RD||RL)=-2×(5||5)=-2×2.5=-5。4.(1)反馈类型:交流电压串联负反馈(输出电压取样,反馈信号与输入串联)。(2)Af=A/(1+AF)=1000/(1+1000×0.01)=1000/11≈90.9;uo=Af×ui=90.9×10mV≈909mV;uf=F×uo=0.01×909mV≈9.09mV。5.运放反相端虚短虚断,i1+i2=if;i1=(ui1-0)/R1=0.5/10=0.05mA;i2=(ui2-0)/R2=0.3/10=0.03mA;if=(0-uo)/Rf=-uo/40;0.05+0.03=-uo/40→uo=-0.08×40=-3.2V。6.(1)振荡频率f0=1/(2πRC)=1/(2×3.14×10k×0.01μ)=1/(6.28×10⁻⁴)≈1592Hz。(2)RC网络在f0处的传输系数|F|=1/3,相位差0°,故放

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