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文档简介

2025年模拟电子电路试题及答案一、选择题(每题3分,共30分)1.某增强型PMOS管的开启电压VGS(th)=-2V,当VGS=-3V、VDS=-1V时,该管工作在()。A.截止区B.饱和区C.可变电阻区D.击穿区2.共集电极放大电路的主要特点是()。A.输入电阻小、输出电阻大、电压增益近似1B.输入电阻大、输出电阻小、电压增益近似1C.输入电阻大、输出电阻大、电压增益远大于1D.输入电阻小、输出电阻小、电压增益远小于13.放大电路上限截止频率fH主要受()影响。A.耦合电容和旁路电容的容抗B.晶体管结电容和分布电容的容抗C.负载电阻的大小D.电源电压的波动4.图1所示电路中引入的反馈类型为()。(注:图1为集成运放输出端通过电阻Rf连接到反相输入端,同相输入端接输入信号)A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈5.集成运放输入级采用差分放大电路的主要目的是()。A.提高电压增益B.增大输入电阻C.抑制温漂D.降低输出电阻6.乙类功率放大电路的效率理论最大值约为()。A.25%B.50%C.78.5%D.90%7.场效应管放大电路与双极型晶体管放大电路相比,最显著的优势是()。A.电压增益更高B.输入电阻更大C.输出电阻更小D.温度稳定性更好8.正弦波振荡电路起振的幅值条件是()。A.|AF|=1B.|AF|>1C.|AF|<1D.相位差为0°9.直流稳压电源中,滤波电路的主要作用是()。A.将交流电转换为脉动直流电B.减小输出电压的纹波C.稳定输出电压的幅值D.限制输出电流的大小10.某差分放大电路的差模增益Ad=80dB,共模增益Ac=20dB,则共模抑制比KCMR为()。A.60dBB.100dBC.40dBD.160dB二、填空题(每空2分,共20分)1.PN结正向偏置时,空间电荷区会____(填“变宽”或“变窄”)。2.放大电路的通频带是____与____之间的频率范围。3.场效应管是____控制型器件,双极型晶体管是____控制型器件。4.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是____。5.集成运放的输出级通常采用____电路,以提高带负载能力。6.差分放大电路中,差模信号是两个输入端信号的____,共模信号是两个输入端信号的____。三、分析计算题(共40分)1.(10分)图2所示共射极放大电路中,已知VCC=12V,Rb1=30kΩ,Rb2=10kΩ,Rc=3kΩ,Re=1kΩ,β=50,rbe=1.2kΩ,Rs=500Ω,RL=3kΩ。(1)计算静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ;(2)计算动态参数Ri、Ro、电压增益Av及源电压增益Av_s。2.(10分)图3所示双端输入双端输出差分放大电路中,VCC=VEE=15V,Rc=10kΩ,Re=10kΩ,β=100,rbe=2kΩ,输入信号ui1=15mV,ui2=5mV。(1)求差模输入信号uid和共模输入信号uic;(2)计算差模电压增益Ad、共模电压增益Ac及共模抑制比KCMR(dB);(3)求输出电压uo。3.(10分)某负反馈放大电路的开环增益A(jω)=10^4/(1+jω/10^5)(1+jω/10^6)(1+jω/10^7),反馈系数F=0.01。(1)判断该电路是否会产生自激振荡;(2)若需保证相位裕度≥45°,求最大允许的反馈系数F_max。4.(10分)图4所示集成运放电路中,R1=R2=R3=20kΩ,Rf=100kΩ,C=1μF,ui1=0.5V,ui2=1V,ui3=2V。(1)说明A1、A2分别构成何种运算电路;(2)求输出电压uo的表达式及t=1s时的uo值(设t=0时电容电压为0)。四、设计题(10分)设计一个阻容耦合两级放大电路,要求:电压增益Av≥800,输入电阻Ri≥5kΩ,输出电阻Ro≤2kΩ。(1)选择各级电路形式(共射、共集、共基)并说明理由;(2)画出电路原理图(标注关键元件符号);(3)简述偏置电路设计要点。答案一、选择题1.C2.B3.B4.A5.C6.C7.B8.B9.B10.A二、填空题1.变窄2.下限截止频率fL;上限截止频率fH3.电压;电流4.|AF|=1且相位差为±(2n+1)π(n为整数)5.互补对称功率放大6.差;平均值三、分析计算题1.(1)静态分析:UBQ≈(Rb2/(Rb1+Rb2))VCC=(10/40)×12=3VUEQ=UBQ-UBE≈3-0.7=2.3VIEQ=UEQ/Re=2.3/1=2.3mA≈ICQIBQ=ICQ/β=2.3/50≈0.046mAUCEQ=VCC-ICQ(Rc+Re)=12-2.3×(3+1)=12-9.2=2.8V(2)动态分析:Ri=Rb1∥Rb2∥rbe≈30∥10∥1.2≈1.1kΩ(注:实际计算中rbe远小于Rb1∥Rb2,故Ri≈rbe=1.2kΩ更准确)Ro=Rc=3kΩAv=-β(Rc∥RL)/rbe=-50×(3∥3)/1.2=-50×1.5/1.2=-62.5Av_s=Av×Ri/(Ri+Rs)=-62.5×1.2/(1.2+0.5)≈-43.92.(1)uid=ui1-ui2=15mV-5mV=10mV;uic=(ui1+ui2)/2=(15+5)/2=10mV(2)差模增益Ad=-βRc/(2rbe)=-100×10k/(2×2k)=-250共模增益Ac=-βRc/(2(βRe+rbe))≈-Rc/(2Re)(因βRe>>rbe)=-10k/(2×10k)=-0.5KCMR=|Ad/Ac|=250/0.5=500,转换为dB:20lg500≈54dB(3)输出电压uo=Ad×uid+Ac×uic=-250×10mV+(-0.5)×10mV=-2500mV-5mV=-2505mV=-2.505V3.(1)开环增益幅值A=10^4,转折频率f1=10^5Hz,f2=10^6Hz,f3=10^7Hz。当|AF|=1时,|A|=1/F=100。由A(jω)=10^4/[(1+jω/10^5)(1+jω/10^6)(1+jω/10^7)],令|A|=100,解得ω≈3.16×10^6rad/s(对应f≈503kHz)。此时相位φ=-arctan(ω/10^5)-arctan(ω/10^6)-arctan(ω/10^7)≈-88°-72°-18°=-178°,相位裕度γ=180°+φ=2°<45°,故会自激。(2)保证γ≥45°,需φ≥-135°。当φ=-135°时,三个转折频率的相位贡献分别为-45°、-45°、-45°(近似),对应ω=10^6rad/s(f=10^6/2π≈159kHz)。此时|A|=10^4/[(√2)(√2)(√2)]≈10^4/2.828≈3535。令|AF|=1,F_max=1/3535≈0.000283。4.(1)A1构成反相求和电路,A2构成积分电路。(2)A1输出uO1=-Rf/R1(ui1+ui2+ui3)=-100/20×(0.5+1+2)=-5×3.5=-17.5VA2输出uo=-(1/(R3C))∫uO1dt=-(1/(20k×1μF))∫(-17.5)dt=(17.5/(20×10^3×1×10^-6))t=875tt=1s时,uo=875×1=875V(注:实际中受运放电源限制,需调整参数避免饱和,此处为理论计算)。四、设计题(1)第一级选共集电极电路(提高输入电阻),第二级选共射极电路(提供电压增益),输出级选共集电极电路(降低输出电阻)。但根据指标,两级可采用共射-共射级联:第一级用分压偏置共射电路(Ri≈Rb1∥Rb2∥rbe≥5kΩ),第二级用共射电路(Rc≤2kΩ保证Ro≤2kΩ),通过阻容耦合。(2)原理图:第一级晶体管T1

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