PCB封装命名规范全解析

PCB封装命名规范

魔电EDA建库工作室

1

目录

1范围---------------------------------------------------------------------------------4

2引用4

3约束---------------------------------------------------------------------------------4

4焊盘的命名--------------------------------------------------------------------------5

4.1表贝占焊盘命名规范-------------------------------------------------------------5

4.2通孔焊盘命名规范.............................................................7

4.3花焊盘命名--------------------------------------------------------------------9

4.4Shape命名--------------------------------10

5PCB封装命名......................................................................11

5.1封装命名规定.................................................................11

5.2电阻类命名...................................................................13

5.3电位器命名...................................................................15

5.4电容器命名...................................................................16

5.5电感器命名...................................................................19

5.6磁珠命名---------------------------------------------------------------------21

5.7二极管命名...................................................................21

5.8晶体谐振器命名--------------------------------------------------------------23

5.9晶体振荡器命名--------------------------------------------------------------24

5.10熔断器命名-----------------------------------------------------------------24

5.11发忙极管命名-------------------------------------------------------------24

5.27SOT封装命名...............................................................32

5.28TO封装命名................................................................33

5.29连接器封装命名-------------------------------------------------------------34

5.30其他封装命名---------------------------------------------------------------34

1范围

本规范合用于主流EDA软件在PCB设计前的封装建库命名。

2引用

IPC-7351B：GenericRequirementsforSurfaceMountDesignandLandPatternStandard.

PCBlibrariesFootprintNamingConvention.

3约束

①本规范中所有的命名只能采用占一种字节（即半角输入）的数字（0-9）、字母（a-z无大小写

限制）、下划线（_）、中横线（-）四种字符,其他符号均属于非法字符。

②命名中所使用H勺尺寸单位只能采用公制单位毫米（mm）或者英制单位毫英寸（mil）。

③命名中的所有尺寸（如长、宽、高等），假如采用公制，数字的后两位表达小数位（假如实际

小数位不止两位则四舍五入到两位数），整数位K度无限制。

例如：rl60_50sl5mm中的长度160表达1.6mm,宽度50表达0.5mm。

④命名中的所有尺寸（如长、宽、高等），假如采用英制，那么数字全都是整数，没有小数位，

整个数字的长度无限制。

例如：r210_90s6mil中的)长度210表达210mil,宽度90表达90mil。

⑤规范中大括号{}以及它包括的内容表达参数。

例如：capac{BodySize}x{Height“Levelb】】m(mil)假设对应的封装名为capac240x310nmm,那么

{BodySize}就是240,{Heigh:}就是310,{Level}就是n，假如单位用8勺毫米，后缀就是mm,否

则就是mil。

⑥参数解释。

{Level}：密度等级。见5.1节。

{Mfr.Name)：器件厂家。可用完整英文或者英文缩写或者汉语拼音。

{PanNumbcr}：厂家完整型号。假如包括非法字符，须删除或者用下划线替代。

{Length}:器件长度。取经典值，若无经典值则取平均值，若仅有一种值，则取该值。

{Width}:器件宽度。取经典值。

{Height):器件高度。取最大。

{LeadSpacing):两引脚插装器件的引脚间距。取经典值。

{Piich}:相邻引脚的间距。取经典值。

{LeadDiameter}：插装器件引脚的直径。取最大值。

{BodyLength)：封装体长度。取经典值。

{BodyWidth}：封装体宽度。取经典值。

{BodyHeight}:封装体高度。取最大。

{BodyThickness}：封装体厚度。

(BodyDiameter}：圆柱形器件封装体的直径。取经典值。

{LeadSpan)：排距。两排引脚外沿的距离，取经典值。

{LeadSpanL1}：排距1。矩形四边引脚的器件其中较小日勺排距。取经典值。

{LeadSpanL2}：排距2。矩形四边引脚B勺器件其中较大曰勺排距。取经典值。

{PinQty):引脚数量。此数量包括功能引脚数量和散热盘的数量。

{Columns}：引脚的］列数。

{Rows):引脚的行数。

阐明：根据实际数据手册(datasheet)的描述，假如手册没有给出经典值，则计算平均值；假如手册只

给出了唯一值(无论是最小值还是最大值)，则取该值。

4焊盘的命名

焊盘是构成封装的单元，本节所讲的焊盘包括表贴焊盘、通孔焊盘，以及构成特殊表贴焊盘

的shape和构成通孔焊盘的flash,

4.1表贴焊盘命名规范

4.1.1原则表贴焊盘原则表贴焊盘包括正方形、长方形、

圆形和椭圆形焊盘。

例：W=1.2mm,H=0.6mm,D=40mil

命名格式：

rl20_60sl5mmc40s6mil

长方形椭圆形：①②③④⑤⑥正方形；圆形：①②④⑤⑥

阐明：

①焊盘形状。r表达矩形（rectangle）；c表达圆形（circle）；s表达方形（square）；b表达椭圆形

（oblong）

②W：焊盘的长度（长边）。

③H:焊盘的宽度（短边）

④s:固定字符，表达阻焊（soldermask）。

⑤阻焊增量。阻焊长度（宽度）减去焊盘长度（宽度）的尺寸。

⑥创立焊盘使用的单位。只采用mm（公制）和mil（英制）两种。

4.1.2D形表贴焊盘

命名格式:

dl20_60sl5mm

①②③④⑤⑥

阐明：

①d表达焊盘形状为D形。

②W:焊盘的长度（长边）。

③H:焊盘的宽度（短边）

®s:固定字符，表达阻焊（soldermask）。

⑤阻焊增量。阻焊长度（宽度）减去焊盘长度（宽度）的尺寸。

⑥创立焊盘使用的单位。只采用mm（公制）和mil（英制）两种。

4.1.3非原则表贴焊盘

非原则表贴焊盘是指不能直接制作，只能用shape构成的除原则焊盘和D形焊盘外的其他任

意形状焊盘。例如：

命名格式:smd_{Pack.Name)_{Number)其中Pack.Name为这个焊盘合用的封装名,Number为数字,

假如此封装只包括一种非原则岸盘，那么Number可忽视，假如封装包括两个非原则焊盘，那么

Number就分别表达1和2,以此类推。

例如：封装sot230P700x180-4nmm包括两个非原则焊盘，那么这两个焊盘名分别为

smd_sot230p700x180-4nmm_l和snid_sot230p700x180-4nnun_2o

4.2通孔焊盘命名规范

EDA软件能创立的通孔焊盘，其通孔部分的形状包括圆形、矩形和椭圆形，焊接部分的焊盘

形状有圆形、矩形、椭圆形、正方形、八边形。

4.2.1圆形/方形焊盘命名

辐克T卜/花焊混

命名格式：带自定义

flash的金属孔：

tcl60cl00pl7014025sl5mm

①②③④⑤⑥⑦⑥⑨⑩⑪⑫

不带自定义flash的金属孔：

tc160clOOps15mm

①②③④⑤⑥⑩⑪@

非金属孔：

tc90cl00ns0mm

①②③④⑤⑥⑩⑪)©

阐明：

⑴t：固定字符，表达通孔焊盘（through）。

⑵焊盘的）形状,c为圆形（circle）,s为方形（square）。

⑶焊盘的边长。

（4）表达钻孔形状，c为圆形（circle）,s为方形（square）。

⑸钻孔直径。

（6）钻孔类型。p表达钻孔内壁上锡（plated）,为金属孔：n为非金属孔（non-plated）。

⑺花焊盘（thermalrelief）的外径。

（8）花焊盘（thermalrelief）的内径。

（9）花焊盘的）辐宽。

（10）s:固定字符，表达阻焊（soldermask）。

（n）阻焊增量。阻焊长度（宽度）减去焊盘长度（宽度）的尺寸。

02）创立焊盘使用的单位。只采用mm（公制）和mil（英制）两种。

4.2.2椭圆形/矩形焊盘命名

W1

例：W1=2.2mm,W2=1.2mm,H1=1.6mm,H2=0.6mm

命名格式:

带自定义flash的金属孔：

生呸—呕已国—迎出―迎―文竺吧

①②③④⑤⑥⑦⑥⑨⑩⑪②®妙

不带自定义flash的金属孔：

tb220_120bl60_60psl5mm

①②③④⑤⑥⑦⑥⑥⑥的

非金属孔：

tbl50_50bl60_60ns0mm

①②③④⑤⑥⑦⑪②⑥®

阐明：

⑴t：固定字符，表达通孔焊盘(through)。

⑵焊盘的形状,b为椭圆形(oblong),r为矩形(rectangle)o

⑶焊盘的长度。

(4)焊盘的宽度。

⑸表达钻孔形状,b为椭圆形(oblong),r为矩形(rectangle)。

(6)钻孔的长度。

⑺钻孔的宽度。

(8)钻孔类型。p表达钻孔内壁上锡(plated),为金属孔：n为非金属孔(non-platcd)。

(9)花焊盘(thermalrelief)的外圈长度。

(10)花焊盘(thermalrelief)的内圈长度。

(11)花焊盘的1辐宽。

(12)s:固定字符，表达阻焊(soldermask)。

⑬阻焊增量。阻焊长度(宽度)减去焊盘长度(宽度)的尺寸。

(14)创立焊盘使用的单位。只采用(公制)和mil(英制)两种。

4.3花焊盘命名

d

例：D=L3mm,d=1mm,w=0.2mm,b=90°,H1=1.6mm,H2=lmm,W1=1.9mm,W2=L3mme命

名格式：

矩形/椭圆形花焊盘：

fl90_130xl60_100b30_90mm

①②③④⑤⑥⑦®⑨⑩

方形/圆形花焊盘：

fl30100c2090mm

①②⑤⑦⑧

阐明：

（1）f:固定字母，代表花焊盘（flash）。

⑵花焊盘外圈长度。

⑶花焊盘外圈宽度.

（4）x：分隔符号。

⑸花焊盘内圈长度。

（6）花焊盘内圈宽度。

（7）花焊盘形状。c表达圆形（circle）,b表达椭圆形（oblong）,s表达方形（square）,

r表达矩形（rectangle）。

（8）花焊盘的辐宽。

（9）花焊盘开口方向与水平线的夹角（锐角）。

（10）命名的单位。

4.4Shape命名

要制作特殊形状的焊盘，需要事先在软件中制作焊盘的形状sh叩e,下面是特殊形状焊盘为

例子，如键盘按键的焊盘、SON封装的散热焊盘等。

_n_n_

SON

10PIN

uu-

焊盘1

(ID理盘2

命名格式：

sh_{Pack.Name}_{Number!

阐明：

(1)sh：固定字符，表达特殊形状焊盘(shape)。

⑵Pack.Name表达此sh叩e合用的)封装名。

⑶Number是数字后缀。假如封装只包括一种sh叩e那么Number可忽视嘏如封装有两个shape,

Number分别是1和2,以此类推。

例如：封装sol230P700x180-4nmm包括两个非原则焊盘,每个非原则焊盘对应的shape分别是

sh_sot230p700x180-4nmm_l和sh_sot230P700x180-4nmm_2。

5PCB封装命名

5.1封装命名规定

①由于PCB分为高密度板，中等密度板，低密度板，因此制作的封装也分高中低三个等级。

M(A)——低密度(most)。后缀M(A)表达低密度封装，封装尺寸较大。N(B)

—中等密度(nominal)o后缀N(B)表达中等密度封装，封装尺寸适中。

L(C)—高密度(leasl)。后缀L(C)表达高密度封装，封装尺寸较小。

表贴封装使用M,N,L；插件封装使用A.B.CO

例如：SOIC127P1041X419_8NMM,DIP762W46P254L1918H533Q7_14BMMO

②某些器件，尺寸的经典值完全同样，但偏差不一样样。例如8pin的SOIC封装，对于引脚跨距,

有些厂家是6±().1,有些厂家是6±0.2。

对于这种状况，需要在封装名称最终加上数字123,4……来辨别。

例如：SOIC127P1041X419_8N_1NMMO

③有些器件尺寸完全同样，但引脚排列次序相反，如下图：

这种状况需要在封装名称背面刘字母R辨别。例如上图右边的引脚排序与常规的逆时针排序相反，

那么它的命名就是：PLCC127P990X990X457_20RNMMo

④某些datasheet上的器件引脚最大编号不小于引脚总数，如下图：

引脚最大编号14,但实际引脚数是4。对于这种状况，命名中需要先体现出实际引脚数，然后列

出引脚最大编号。

例如：D1P762W46P254L1918H533Q_4_14BMMO

⑤某些器件实际引脚数不小于datasheet上的引脚编号，如下图：

OOOO

OOOOOOOO6

OOOOOOOO5

OOOOOOOO4

OOOOOOOO3

OOOOOOOO2

OOOOOOOO1

Qo0，

HGFEDCBA

有编号的引脚数是48个，而实际引脚数是56个。此时命名也需要体现出两者的数值。

例如：BGA48C75P6X8_800X1200X120_56_48NMMo

⑥不一样厂家的晶体管和场效应管，三个极的位置也许排列不一样样，如下图：

命名时，可在封装名背面加上pinnuinbei1,2,3所对应的极。例如1,2,3对应时极是B,C,E,那么

封

装名称就是SOT95P237XI17BCE3NMMO

5.2电阻类命名

5.2.1表贴电阻

表贴电阻常见类型：片状电阻Resislorchip(RESC),模制电阻Resistormolded(RESM),柱状电阻

ResistorMelf(RESMELF).

命名格式：片状电阻：

resc_e{Type}_{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}x{PinLength){Level}mm(mil)

模制电阻：

resm{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}{Level

柱状电阻：

resmelf{BodyLength}x{BodyDiameter){Level}mm(mil)

例如：resc_e2023_50()x250x65x60nmm表达片状电阻通用尺寸是英制的2023,实际长宽高分别是5mm、

2.5mm、0.65mm,引脚长度是0.6mm。resmelf260x76nmm表达圆柱形电阻长度和直径分别是

2.6mm和0.76mm。

阐明：

(1)e{Type}中的e表达EIA(采用英制单位)，Type表达片状电阻的通用尺寸，例如0402,0603,0805

等等,下面是通用尺寸曰勺公制英制对照表，本规范命名采用英制Type。

英制(inch)020104020603080512061210181220232512

公制(mm)060310051608202332163225483250256432

例如：英制0805的长宽分别是0.08inch和0.05inch,对应的)公制分别是2mm和1.2mm。

(2)res(resistor)背面的)c表达片状(chip),m表达模制(molded),meIf(MetalElectricalFace)

表达圆柱。

5.2.2表贴排阻贴片排阻

有下列几种类型：

n匚h

r

n匚p

n匚p

n匚p

RESCAFRESCAVRESCAXSRESCAXERESCAVRESCAF

命名格式：

引脚凹陷B勺排阻：

Pitch

!

B八・7

rescav{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}_{PinQty}{Level}mm(mil)

引脚凸出并且引脚尺寸都同样的排阻：

rescaxe{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height)_{PinQty){Level}nim(mil)

引脚凸出并且同一侧引脚尺寸不一样样的排阻：

reseaxs{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}_{PinQty}{Level}mm(mil)

引脚平滑的排阻：

rescaf{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}_{PinQty}{Level}nim(niil)

例如：rescav50Pl60x100x55_8nmn】表达引脚凹陷的排阻相邻引脚间距是().5mn】，长宽高分别是

1.6mm、1mm和0.55mm,引脚总数是8,以公制为单位制作的中等密度封装。

引脚在侧面而非底部的排阻命名：

rescav_{Mfr.Name}_{PartNumber}{Level}mm(mil)

rescaxe_{Mfr.Name}_{PartNumber}{Level}mm(mil)

rescaxs_{Mfr.Name}_{PartNumber}{Level}mm(mil)

rescaC{Mfr.Namc}_{PartNumber}{Level}mm(mil)

阐明：res(resistor)背面的cav表达弓|脚凹陷的)片状阵列(ChipArray,Concave),eaxe表达引

脚凸出并且引脚尺寸都同样的片状阵列(ChipArray,Convex,EvenPinSize),caxs表达引脚凸

出并且同一侧引脚尺寸不一样样的)片状阵列(ChipArray,Convex,SidePinsDiff),caf表达引脚

平滑的片状阵列(Chip,Array,Flat)。

5.2.3轴向电阻

命名格式：

9」

<ED

e

LeadSpacingQ

>

P

O

B

插装轴向电阻(横向安装)：

rcsadh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}I{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level}niin(mil)；

LeadWidth

LeadSpacing

插装轴向电阻(纵向安装)：

resadv{LeadSpacing}w{LeadDiameterl{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level)mm(niil)；

例如：RESADH0800W0052L0630D0150BMM表达轴向电阻水平安装,引脚间距8mm,弓脚直径

052mm，电阻长度6mm，电阻直径1.5mm,封装采用公制按照中等密度制作。

阐明：res(resistor)背面的adh表达轴向水平安装(AxialDiameterHorizontalMounting),adv表

示轴向垂直安装(AxialDiameterVerticalMounting)o

5.2.4非原则电阻非原则电阻是指上述电阻以外的电阻类型，例如封装为

椭圆形，矩形等。

命名格式：

res_{Mfr.Name}_{ParcNumber}{Level}mm(mil)；

例如:res_zenithsun_sqp5w1OOjnmm表达厂家zenithsun生产的型号为sqp5w100j的水泥电阻封装以

公制为单位制作的中等密度封装。

5.3电位器命名

命名格式：

pot_{Mfr.Name}_{PartNumber>{Level}mm(mil)；

例如：pot_bourns_pda241srt01504a2nmm表达电位器厂家是Bourns,型号是pda241srtO1504a2,封装

以公制为单位,中等密度封装。阐明：pot(potenliomeler)指电位器、电位计、可变电阻器。

5.4电容器命名

5.4.1表贴电容

无极

性片状电容：

capc_e{Type}_{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}x{PinLength}{Level

有极性片状电容：

capcp_e{Type}_{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}x{PinLength}{Level)mm(mil)

线绕矩形片状电容：capcwr{BodyLength}x{Diameter}{Level}nim(mil)模制有极性电

容：capmp{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height){Level}mm(iTiil)

模制无极性电容：capm{BodyLength)x{BodyWidth}x{Height){Level}mm(mi1)

表贴铝电解电容：capae{BodySize}x{Height}(Level}mm(mil)

阐明：

⑴e{Typc}中的e表达EIA（采用英制单位），Type表达片状电阻的通用尺寸，例如0402,0603,0805

等等，下面是通用尺寸的公制英制对照表，本规范命名采用英制Type。

英制(inch)020104020603080512061210181220232512

公制(mm)060310051608202332163225483250256432

例如：英制0805的］长宽分别是0.08inch和0.05inch,对应的］公制分别是2mm和1.2mm。

(2)cap(capacitor)背面的c表达片状(chip),p表达有极性(polarized),cwr表达片状矩形

(WireRectangle),m表达模制(molded),mp表达模制有极性(Molded,Polarized),ae

(AluminumElectrolytic)表达铝电解。

5.4.2表贴电容阵列

命名格式：

引脚凹陷的电容阵列：

capcav{Pitch}p{BodyLength}x<BodyWidth}x{Height}-{PinQty){Level}mm(mil)

引脚平滑B勺电容阵列：

capcaf{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}-{PinQty}{Level}mm(mil)

引脚凸出的电容阵列：

capcax{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}-{PinQty){Level}mm(mil)

例如:capcav50Pl60xl00x55_8nmm表达引脚凹陷的电容阵列相邻引脚间距是0.5mm,长宽高分别是

1.6mm、1mm和0.55mm,引脚总数是8,以公制为单位制作的)中等密度封装。

引脚在侧面而非底部的电容阵列:

capcav_{Mfr.Name}_{PartNumber}{Level

capcaf_{Mfr.Name}_{PartNumber}{Level}mm(mil)

capcax_{Mfr.Name}_{PartNumber}{Level}nim(mil)

阐明：cap(capacitor)背面的cav表达引脚凹陷的片状阵列(ChipArray,Concave),caf表达引

脚平滑的I片状阵列(Chip.Array,Flat)°cax表达引脚凸出的片状阵列(ChipArray,Convex)°

插装电容

命名格式：

无极性轴向圆柱形电容（横向安装）：

JodyLength.

「

LeadSpacing1J

_^LeadDiameter

capadh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}1{BodyLength}d{BodyDiameter){Level}mm(mil)

无极性轴向圆柱形电容（纵向安装）：

，

BodyDiameter

①

—IA

P

O

Q

.“LeadDiameter

,LeadSpacing

capadv(LeadSpacing}w{LeadDiameter}1{BodyLength}d{BodyDiameter){Level}mm(mil)

有极性轴向圆柱形电容(横向安装)：

cappadh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level}mm(mil)

无极性轴向矩形电容(横向安装)：

caparh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}1{BodyLength}t{Bodythickness}h{BodyHeight){Level)

mm(niil)

无极性轴向矩形电容(纵向安装)：

caparv{LeadSpacing}w{LeadDiameter)1{BodyLength}I{Bodyihickness}h{BodyHeight){Level)

mni(mil)

有极性轴向矩形电容(横向安装)：

capparh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}1{BodyLength}t{Bodytliickness}h{BodyHeight}{Level}

nim(mil)

无极性径向圆柱形电容：

c叩rd{LeadSpacing}w{LeadDiameter}d{BodyDiameter}h{BodyHeight){Level；

有极性径向圆柱形电容：

capprd{LeadSpacing}w{LeadDiameter}d{BodyDiameter}h{BodyHeight){Level；

无极性径向矩形电容：

■BoFdyLength

LeadDiameter'LeadSpacing

capn{LeadSpacing}w{LeadDiameter}1{BodyLength}t{Bodythickness}h{BodyHeight}{Level}

nim(mil)

无极性径向圆形电容：

BodythicknessBodyDiameter

B

o

d

y

H

ie

hg

:t

LeadSpacing1

一二LeadSpacing.LeadDiameter丫JLeadSpacing

DiskButtonDiskwithoffsetleads

caprb{LeadSpacing}w{LeadDiaineter}1{BodyDiameter}t{Bodythickness}h{BodyHeight}{Level}

nnn(inil)；

例如：capadh800w521600d150bmm表达横向安装的无极性轴向圆柱形电容引脚间距是8mm,引脚直

径是0.52mm,封装体长度6mm,封装体直径是1.5mm,以公制为单位制作的中等密度封装。

阐明：cap(capacitor)背面的)adh表达轴向水平安装(AxialDiameterHorizontalMounting),adv表示

轴向垂直安装(AxialDiameterVerticalMounting),padh表达有极性轴向水平安装(PolarizedAxial

DiameterVerticalMounting),arh表达轴向矩形的)水平安装(AxialRectangularHorizontalMounting),

a「v表达轴向矩形的垂直安装(AxialRectangularVerticalMounting),parh表达有极性轴向矩形的J水

平安装(PolarizedAxialRectangularHorizontalMounting),rd表达径向圆柱形(RadialDiameter),

prd表达有极性的］径向圆柱形(PolarizedRadialDiameter),rr表达径向矩形(RadialRectangular),

rb表达径向圆形(RadialDiskButton)。

5.4.4非原则电容

命名格式：

可变电容(Capacitors,Variable)：

capv_{Mfr.Name}_{PartNumber}{Level}mm(mil)

其他电容(Capacitors,Miscellaneous):

cap_{Mfr.Name}_{PartNumber}{Level

例如：capv_best」ml06-30pfbmm表达besl企业生产日勺型号为jml06-30pf的可调电容，以公制为

单位制作的中等密度封装。阐明：cap(capacitor)指电容，本规范没有描述的)电容类型都属

于"其他电容"。

5.5电感器命名

5.5.1表贴电感

命名格式：片状

电感：

indc_e{Type)_{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}x{PinLength){Level}mm(mil)

模制电感：

indm{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}{Level}mm(mil)

绕线电感:

indpw{BudyLciiglli}x{BodyWidth}x{Height}{Level}inni(inil)

有极性电感：

indp{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}{Level}nim(mil)

例如：indc_c2023_500x250x65x6()nmm表达片状电感通用尺E是英制的2023,实际长宽高分别是

5mm、2.5mm、0.65mm,引脚长度是0.6mm,按中等密度封装制作。

阐明：

⑴e{Type}中的e表达EIA(采用英制单位)，Type表达片状电阻的通用尺寸，例如0402,0603,08()5

等等，下面是通用尺寸日勺公制英制对照表，本规范命名采用英制Type。

英制(inch)020104020603080512061210181220232512

公制(mm)060310051608202332163225483250256432

例如：英制0805的长宽分别是0.08inch和0.05inch,对应的公制分别是2mm和1.2mm。

⑵ind(inductor)背面的c表达片状(chip),m表达模制(Molded),pw表达精密绕线

(PrecisionWire),p表达有极性(Polarized)。

5.5.2插装电感命名

格式：轴向电感(横向安

装)：

indadh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}1{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level}mni(mil)

轴向电感(纵向安装)：

indadv{LeadSpacing}w{LeadDiameter}1{BodyLength}d{BodyDiameter){Level}nun(mil)

径向电感：indrd{LeadSpacing)w{LeadDiameter}d{BodyDiameter}h{BodyHeight){Level}mm(niil)

例如：indadh800w521600dl50bmm表达横向安装0$J轴向电感弓脚间距是8mm,引脚直径是0.52mm,

封装体长度6n】m,封装体直径是1.5mm,以公制为单位制作的中等密度封装。

阐明：电感ind(inductor)背面的adh表达轴向水平安装(AxialDiameterHorizontalMounting),adv

表达轴向垂直安装(AxialDiameterVerticalMounting)o

5.5.3非原则电感

命名格式：

电感:ind_{Mfir.Name)_{PartNumber}{LevelI)

阐明：ind(inductor)指电感。本规范没有描述的电感类型都属于非原则电感。

5.5.4片状电感阵列

命名格式：

片状电感阵列(平面)：indcaf{pitch}p(Length}x{Width}x{Height}-{PinQty){Level}mm(mil)

片状电感阵列(凹面):indcav{pitch}p{Length}x{Width}x{Height}-(PinQty){Level}mni(mil)

引脚在侧面而非底部的非原则电感阵列：片状电感阵列(平面)：

indcaf_{Mfr.Name)_{PartNumber}{Level片状电感阵列(凹面):

indcav_{Mfr.Name}_{PartNumber}{Level}nim(mil)

阐明：ind背面的cav表达引脚凹陷的片状阵列(ChipArray,Concave),caf表达引脚平滑的片状阵

列(Chip.Array,Flat)。

5.6磁珠命名

5.6.1表贴磁珠

命名格式：

片状磁珠:fb{Length}x{Width}x{Height}{Level}mm(mil)

阐明:fb表达磁珠(Ferritebead)°

5.6.2插装磁珠

命名格式：

轴向磁珠(横向安装)：

fbadh{LeadSpacing}w{LeadDiameter)1{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level}mm(miI)

轴向磁珠(纵向安装)：

fbadv{LeadSpacing}w{LeadDiameter}1{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level}mm(mil)

径向磁珠：fbrd{LeadSpacing}w{LeadDiameter}d{BodyDiameter}h{BodyHeight){Level}mni(mil)

阐明：磁珠fb(Ferritebead)背面的)adh表达轴向水平安装(AxialDiameterHorizontalMounting),

adv表达轴向垂直安装(AxialDiameterVerticalMounting)0

5.6.3非原则磁珠

命名格式：

fb_{PartNumber}{Level}mm(mil)

阐明：fb(Ferritebead)表达磁珠。

5.7二极管命名

5.7.1表贴二极管

命名格式：

片状二极管：dioc(BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}{Level}inm(inil)模制

二极管：diom{BodyLength}x{BodyWidthJx{Height}{Level}mm(mil)圆柱体

二极管:diomelf{BodyLength}x{BodyDiameter){I,evel}mm(mil)两端凹面二极

管：diosc{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}{Level}nnn(mil)

£

p

M一

A

p

o

s

BodyLength

LeadSpanNominal

SOD二极管：sod{LeadSpan}x{BodyWidth}x{Height}{Level})

Height

扁平引脚SOD二极首:sodfl{LeadSpan}x{BodyWidth}x{Height}{Level}mm(mil)

例如：diom430x360x265nmm表达模制二极管长宽段)分别是4.3mm、3.6mm和2.65mm,以公制为单

位制作的中等密度封装。

阐明：二极管dio(diode)背面的c表达片状(chip),m表达模制(molded),meIf(Metal

ElectricalFace)表达圆柱。

5.7.2

命名格式：轴向二极管

(横向安装)：

dioadh{LeadSpacing}w{LeadWidthBodyLength}d{BodyDiameter){Level}nini(mil)

Width

LeadSpacing

轴向二极管（纵向安装）：

dioadv{LeadSpacing}w{LeadWidthIBodyLength}d{BodyDiameter){Level}nun(mil)

阐明：二极管dio(diode)背面的)adh表达轴向水平安装(AxialDiameterHorizontalMounting),adv

表达轴向垂直安装(AxialDiameterVerticalMounting)。

5.7.3非原则二极管

命名格式：

其他二极管(Diodes,Miscellaneous)：dio_{Mfr.Name}_{PartNumber}{Level

5.8晶体谐振器命名

BodyLength

命名格式：

表贴2引脚晶体谐振器：xtals{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height){Level}nnn(mil)

表贴多引脚晶体谐振器:xtals{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}-{PinQty){Levelmm(mil)

工

罟

工

K

e

u

o

d

E

。

。

二

插装2引脚晶体谐振器：xtal{BodyLength}x{BodyWidth}x{H