Track Configuration及功能简介资料

PHOTOEQ新暹同仁教育剃|幺束教材

程名耦:TrackConfiguration及功能^介

欲逢之目襟:期使新谨同仁熟悉了解TrackConfiguration及功能

撰瘾者:白昆明最彳芟修tf者：版本:1.0编虢:T・1

内容:

TRACKS台在黄光国最主要功能是符WAFER（晶片）作光阻覆/以倩STEPPER做型拗

曝光.接著揩已曝光彳发之WAFER予以DEVELOPERS影，使圜型能完全定羲

出.

TELMARK7,MARK8:

TEL之TRACK械台在黄光国可分^甬槿型式,MK・8,MK・7雨槿，主要差昇在MK-8

上有加装FILTER蟠滤器）,所以各（^CONTROLLER（控制器）可放在檄台上方以^省空

限至於MK-7檄台上方^^放式空置所以各彳固CONTROLLER（控制器）需放在檄台下方.

INLINE舆OFFLINE:

黄光TRACK檄台又依是否和STEPPER遛泉，可分IN-LINE及OFF-LINE雨

稹OFF-LINE又可再分COATER（光阻覆翻颗DEVELOPER例影陶,ADIREWORK

SCRUBBER（工程用刷洗拗，及POLYIMIDE（聚乙醯^）.IN-LINE基本上可看成COATER

典DEVELOPER合彳并.

主械依功能IS分：

IN-LINETRACK可分CARRIERSTATION,PROCESSSTATION,INTERFACE

STATION三部份.

OFFLINETRACK可分CARRIERSTATION,PROCESSSTATION雨部份.

CARRIERSTATION:收放WAFER用.言十有四A3STAGE可下材料，及一名且

CARRIERSTATIONARM用以停送晶片.

PROCESSSTATIONS.INLINE可分COATERUNIT（冷热

板,HMDS,COATER陷阱槽,MAINARM）.DEVELOPERUNIT（冷级,DEVELOPER陷阱

槽,WEEiSig曝光,MAINRMM）.

2.OFFLINECOATER只有冷热板,HMDS,COATER陷阱

槽,MAINARM.OFFLINEDEVELOPER只有冷黑板,DEVELOPER陷阱槽,MAIN

ARM.POLYIMIDE有冷热板,PICOATER,PIDEVELOPER,MAINARM.SCRUBBER有

冷热板，反傅横，晶背刷洗（噫洗），正面刷洗（超音波震谩）,MAINARM.

INTERFACESTATION:^TRACK典STEPPER之，『面,可分:冷板,BUFFER

STAGE圈存国INTERFACEARM.

RAP附匾1殳施：

INLINE:CHEMICALBOX（EBR及DEVELOPER自勤供Jg系统），

TEMPERATURE/HUMIDITYCONTROLLER（温混度控制J器）,MULTICONTROLLER（冷

板,CIRCULATOR控温）TRANSFORMER（燮屋器）.

OFFLINECOATER:CHEMICALBOX（EBR自勤供鹰系统）,

TEMPERATURE/HUMIDITYCONTROLLER（温漏度控

制器）,MULTICONTROLLER（冷板,CIRCULATOR控温）,TRANSFORMER（燮屡器）.

OFFLINEDEVELOPER:HEMICALBOX（DEVELOPER自勤供鹰系

统）,MULTICONTROLLER,令板,CIRCULATOR控温）,TRANSFORMER（燮Jg器）.

ADIREWORKSCRUBBER:MULTICONTROLLER,（冷板,CIRCULATOR

控制，TRANSFORMER（凝器）.至於CHEMICALBOX

即M并在檄台尾.

POLYIMIDE:只有TRANSFORMER（燮屡器）.至於CHEMICALBOX知M并在

械台尾）各UNIT之黜部国分：

CARRIERSTATION画再C/S）:

1.谩滤器：谩滤PARTICLE.

2.POWERSWITCH,WEESWITCH:械台甯源|^后机遇遏曝光甯源朗居队

3.RESISTAIRVENTOPERATIONPANEL（光阻打F氧泡操作面板）：

MODE:可逗OFF,MANUAL,AUTO.

A.在OFFMODE畤可依逗定管路手殳定排氧泡畤^.由UPDOWN

^定.一般得殳10秒.

B.在MANUALMODE日寺，可依逗定管路直接JESTART维作排氧泡,

不受^定排氧泡畤^影警,若手不一直屋START筵刖结束排氟泡勤作.

C.在AUTOMODE日寺,按一次START维畤，可依逗定管路依^定畤

排氧泡.按STOP维可立即停指排氧泡.

NOZZLESEL:可逗定要排氟泡之管路.可依COATER2・1或COATER

2-2MJ?RESIST1-1（光阻第一管第一瓶），RESIST2-1（光

阻第二管第一瓶）,RESIST3.（第三管光阻）.RESIST1-2（光阻第一管第二瓶），RESIST

2■（光阻第二管第二瓶）,RESIST3.（第三管光阻）.

STARTSTOP维：可轨行/停止料F氟泡.

4.STAGE1-1至IJ1-4可放四（0CASSETTE,有CASSETTESENSOR可值汛IJ是

否放CASSETTE.

5.CARRIERSTATIONARM:A.可Y,X,Z三方向移勤.

B.MAPPINGSENSOR可便冽［CASSETTE内

WAFER位置,捕瞄畤MAPPINGSENSOR可

伸出,结束峙收回.

C.WAFERSENSOR可削WAFER是否存在.

D.陶磁PINCETTE迤出CASSETTE内以便捞取

或存放WAFER.^非真空式吸取，可降低PARTICLE.

E.陶磁PINCETTE部份接斶晶背，降低

PARTICLE.

F.四堡PIN可上下以利停送WAFER.

6.WAFEREXTRUDESENSOR:可值哪/VAFER是否突出CASSETTE.可

侦测陶磁PINCETTE是否正硅停送及接收WAFER.

7.EMOSWITCH:繁急停止维.

8.CARRIERSTAGESWITCH:可START及STOPCASSETTE的虑理.放

CASSETTE日寺,CARRIER亮燎,STANDBY^燎.接著STANDBY亮燎日寺，MAPPING

SENSOR^始重力作.等MAPPINGS吉束彳爰,RUNNING亮燎.STANDBY熄燎.整他作完

日寺,RUNNING熄燎,FINISHED亮燎.

9.ARMPOUSE:可暂停C/SARM的停送.

10.LED燧：供AGV定彳立用.

11.操作面板.稍接再介貂.

12.光阻瓶存放位置:可放四槿光阻，或三槿光阻及一槿ARC.光阻一可雨瓶自

勒切换，光阻二可雨瓶自重力切换.光阻三不可互换.

13.PI/O:PHOTOI/O供AGV舆TRACKCOMMUNICATION用.

14.指示燎

COATERUNIT曾介：

1.璟境控制：由温漏度控制器控制温度23度C,漏度45%,凰速0.3米/秒的空

氟耀谩滤氟予以谩漏各有温舞十漏度"凰速料可俱洌I其值.已^谩二^RAP流显度控制

器控制之空氟由醇管接至械台，再^由手勤DAMPER可控制其凰速大小系蜃遇渡氟谩滤

PARTICLE接到陷阱槽上方.璟境之温度，漏度,凰速均曾影警光阻膜厚大小.

2.EBR:清起晶邃使用溶剜OK82.由ARM2移到晶遏位置再依程式内^定作

晶遏清洗.一般条勺2M

3.BACKRINSE1.BACKRINSE2:用以清洗晶背.使用溶剜OK82,防止晶

背PARTICLE.

4.SPINCHUCK:利用真空以吸住晶片，避免晶片在旋穗中掉片.清槽大接斶

面小可减少晶背PARTICLE.

5.陷阱糟：防止晶片在高速旋率朝寺揭起PARTICLE^真有抽凰）.

6.禹连：带勤CHUCK旋樽.在禹连上方有FLANGE,有冷郤水循琪，可避免禹

蓬因高速旋穗崖生熟最^由焉逵心物僖至CHUCK再停至晶片,谨而影警光阻膜厚.

7.光阻管路:PR1,PR2,PR3.可依程式内3殳定抓取指定之光阻管.有循琪水

可控制光阻温度.光阻温度不同曾影簪膜厚,一般名勺23-24度C.依程式内光阻温度^定不同

而改燮.故在不同程式内可能因不同泡知殳定曾ALARM,但曾自勤升或降至鼓定温度而畿

行.

8.ARM1：可依程式内gg定抓取指定之光阻管，旋移到晶片正中心以利上光

阻.也可依程式内言殳定位置之不同而定位在不同位置.

9.SOLVENTNOZZLE:利用RRC功能可降低光阻消耗量.ARM1W

NOZZLE移至晶片正中心，上OK8215漏晶片，接著再上光阻.

10.SOLVENTBATH:iftOK82在NOZZLETIP下方.崖生能和蒸氟可避免光

阻乾掉.曾伴随光IaDUMMYDISPENSE的轨行作DISPENSE可防止DRAIN阻塞.

11.DRAIN:排光阻屡液至一液桶.

12.MASSFLOWCONTROLLER:在高架地板下方，用以控制旋稳定抽凰.

一般控制^度悬50%.

13.SPINCUPEXHPRESSURE:用以签洌I抽凰值的大小COATER一舟殳卷

4.0MMH20,可由手重力DAMPER^整大小.

14.EXHERRORRESETSW.:若靡獴系抽凰有昊常B寺可待系统恢彳复正常

彳爰按此维，此畤在陷阱槽内之崖品需作修改.

15.SPINNERVAC:用以测真空值的大小，可防止因真空度不足畤，造成破片.

一般在650以上.

16.DUMMYDISPENSEPANEL:光阻于控制器.fg防光阻喷嘴乾掉，觐查

DISPENSE辨兄.

A.AUTOMODE:依DUMMYDISPENSER定H寺^^行JR喧（一封殳察勺30

分余童），或每批的第一片ram-.

B.OFFMODE:不轨行颈口意

C.PR：依琪在的程式内^定管路及DISPENSE的^可孰行Jlift.

D.P1,P2,P3即光阻1,2,3管.

E.TIMER:DISPENSE次数.。次辗法软I行PR^ng,最多999次.

F.START,STOP:轨行/停止fa邕

G.MEASURE:喷量量源一般依RECIPE内容轨行,以检查噫量.

H.NOZZLEUP:定之Dg嘴予以升起以便椀查DISPENSE於兄.若生

滥羟品前作演官且忘舒特NOZZLEDOWNgIJMAINARM曾停在冷板前不勤作,且不曾

ALARM.

I.RECIPE燎表示有RECIPE.若瓢RECIPE同BgPR日寺辗法轨行御竟一

般逗PFU殳定001次,NOZZLEUP再按START秒桁•通喧檎查有辗氟泡，回吸辨兄.回吸高

度2MM有辗光阻残留在噫嘴旁，喷嘴是否有撞歪，损｛算

17.ARMPOUSE维：暂停ARM之移勃.勿任意使用，尤其MAINARM在高速

再加寺，曾折ta皮带.

18.SPINSTOP:强制停止晶片之旋穗，富晶片有殿重偏心旋醇H寺.可用此维

强制停止，可避免破片.但^晶片需作修改.

19.INTERLOCK:力有保18^跟若在生崖羟品中任意的故曾聚急停止潼品

需修改.

20.RESIST1,RESIST2AUTOCHANGEOPERATIONPANEL:光阻自

勤更凰E撵由指^可iSBOTTLE1,AUTO,BOTTLE2,一般逗在AUTO位置,以利自

勤更搀若只逗BOTTLE1或BOTTLE2表示只一直使用^瓶，而维法轨行自勤切搀L/E量

燎表示瓶光阻已用光，需更换.SUPPLY量燎表示正在使用^瓶光阻.

21.HMDSAUTOSUPPLYPANEL:

A.MODE可切换OFF,MANUAL,AUTO.一舟殳在AUTO可劾行自重力供鹰.

在MANUALMODE日寺，按SUPPLY可由HMDS瓶供BgHMDS至BUBBLINGTANK.按多久

可襁充多久看EMPTY或HMDSHIGH亮麒寺即不再神充.

B.DRAIN:强制揩HMDS由BUBBLINGTANK排至DRAINTANK.

C.STOP:可停止HMDS供J想

D.各指示燎及意羲.

HMDSSUPPLY:HMDS供愿中.

BUBBLING:正在作BUBBLING（冒泡）

BUBBLERHIGH:表液位已襁充至高钻自勤停止HMDS襁充.

BUBBLERLOW:表液位已彳氐，须衲充HMDS.

LIQUIDEMPTY:CAPACITYSENSOR侦测至［BUFFERTANK已空,

需换HMDS新瓶.

OVERFLOW:表示DRAINTANKJi液已满.

E.TIMER1:（AIRVENTTIME）表HMDSE供鹰至BUBBLINGTANK^吉

束彳爰需再排氟日寺

F.TIMER2:

22.AD2-3,2-7HMDSPRESSUREGAGE:HMDS瓶N2力口|gjg力，

0.5KG/CM2.

23.AD2-3,2-7HMDSBUBBLINGPRESSUREGAGE:BUBBLING瓶内作

BUBBLING（冒泡）及DILUTION（稀释用）N2J魅力，1KG/CM2.

24.流量号十:

EBR:10ML/MIN.

SOVLENTNOZZLE:一般卷OFF.(有RRC功能畴才使用).

BACKRINSE1,BACKRINSE2:50ML/MIN.

SOLVENTBATH:一般卷OFF.

2-3,2-7HMDSBUBBLING(N2):3NL/MIN.

2-3,2-7HMDSDILLUTION:4NL/MIN.

2-3,2-7HMDSVAPORLINE:7NL/MIN.

25:光阻管路：

光阻瓶-BUFFERTANK--PUMP--FILTER及回吸^整^

-NOZZLE.

BUFFERTANK:暂存光阻，避免氟包直接迤人管^中，造成MICRO

BUBBLE.装有CAPACITYSENSOR可侦测光阻是否用光.上方有自勤排氟泡系统可方便

光阻瓶排氧泡.

PUMP:DISPENSED寺掷屋光阻至FILTER,回程日寺;将光阻瓶内光阻吸出,

以借下次DISPENSE.可精硅控制喷量及喷速麻，居港g重力方式.

FILTER:遇滤光阻PARTICLE.有排氟泡R显

昌及回吸^整础脚寺可DISPENSE光阻，脚寺结束DISPENSE

速度可^整.回吸^整口哥可^整回吸速度及回吸高度.

NOZZLE：前端有温度控制.

26:HMDS管路:

HMDS瓶一BUFFERTANK-FILTER-BUBBLINGTANK一流量含十

-HMDS熟板.

-BUFFERTANK:暂存HMDS,避免氟泡直接迤入管^中，造成MICRO

BUBBLE.装有CAPACITYSENSOR可侦测HMDS是否用光.上方有手勤排籥包花喝可方便

排氧泡.

FILTER:®WHMDSPARTICLE.有手勤排氟泡树可排氟泡.

BUBBLINGTANK:A.液位言十（浮球式）可知液位高低，密侦测到

BUBBLINGLOW日寺可自咖f充.

B.BUBBLING管：N2加）E在液位下方作冒泡以崖生

HMDS蒸氟

C.DILLUTION:N2稀^HMDS蒸寂震度.

D.HMDSSUPPLY:襁充HMDS到BUBBLINGTANK.

E.HMDSVAPOR:供凝MDS蒸氧至HMDS热板.

DRAINTANK:容纳HMDS）较液（由BUFFERTANK及FILTER排氧泡日寺

之鹰HMDS液.）有液位浮球SENSOR可侦测是否屡液满.

27.EBR,BACKRINSE,SOLVENTBATH管路：

CSS-EBRPUMP—FILTER—流量含十一^信时身一NOZZLE.

CSS:CHEMICALSUPPLYSYSTEM:由摩矜提供之自勤供Bg系统.

EBRPUMP:由RAP)ffOK82供jg至檄台.

FILTER:遇惭ARTICLE.

mm决定EBR,BACKRINSE等是否作清洗酬乍.

MAINARM麓介:COATER及DEVELOPER架横相同

A.可X,Y,Z,TH四轴逋勤.

B.手臂有三集由上而下分别是ARM3,ARM1,ARM2.探用^取方式抓

或放晶片.非真空吸取方式.

C.ARM3悬由冷板抓晶片至COATER或DEVELOPER事用,可避免ARM

揩热量停到冷晶片上，造成OATINGH寺膜候不均，或DEVELOPING8寺CD不德

D.ARM3舆ARM倜有徽篮隔隔可避免ARM1或ARM2之都的晶片揩熟

量停至ARM3的冷晶片上，造成COATING峙膜候不均，或DEVELOPING峙CD不稳.

E.MAINARM前端有SENSOR可俱冽JWAFER是否存在.用以检查MAIN

ARM上的晶片，是否正硅送出正硅停回.

F.MAINARM俾送WAFER位置要非常精硅，否刖曾造成RBR清洗大小

遏，或在冷热板上掉片，费片.

DEVELOPERUNIT曾介：

1.璟境控制：受FAB激晟度控制温度23度C再度40%盗通H氟予以造意

璟境之温度，漏度，凰速沟曾影警CD大小,但燮化不大.

2.DIRINSE:由ARM2移到晶片正中心位置再依程式内^定作颈泳或清洗.

3.BACKRINSE:用DI水清洗晶背，防止晶背PARTICLE及符渗到晶背的^

影液清洗乾浮.避免污染晶片,MAINARM及冷热板.

4.SPINCHUCK:利用真空以吸住晶片，避免晶片在旋穗中掉片.清槽大接斶

面小可减少晶背PARTICLE.

5.陷阱糟：防止晶片在高速旋率朝寺揭起PARTICLE^真有抽凰）.

6.禹连：带勤CHUCK旋樽.在禹连上方有FLANGE,有冷郤水循琪，可避免禹

蓬因高速旋穗崖生熟最^由焉逵心物僖至CHUCK再停至晶片，迤而影警CD.

7.E2NOZZLE:可同日寺由一百多彳固小孔喷在晶片上灌到均匀覆盖目地有循

璟水可控制SH影液温度影液温度不同曾影簪CD.一般条勺23度C.^影液同畤由E2

NOZZLE丽端刖管祷充，由中央一管排氟泡.

8.E2NOZZLE:HOME位置有N2作密氟防止^影液晨日寺^下滴落，造成氟泡.

9.ARM1：可依程式内容符E2NOZZLE移到晶片正中心以利上^影液.也可

依程式内含殳定之不同而定位在不同位置.

10.DRAIN:排影液至矜屡水虑理.

11.SPINCUPEXHPRESSURE:用以盛洌I抽凰值的大小,DEVELOPER一

般卷7.0MMH20,可由手重力DAMPER^整大小.

12.EXHERRORRESETSW.:若靡谢系抽凰有昊常畤可待系统快彳复正常

接按此维，此畤在陷阱槽内之崖品需作修改.

13.SPINNERVAC:用以洌J真空值的大小，可防止因真空度不足日寺，造成破片.

一般在650以上.

14.DUMMYDISPENSEPANEL:影液fg喷控制器.可防止喷嘴乾掉查

DISPENSE扰兄.

A.AUTOMODE:依DUMMYDISPENSER定日寺^^行覆喷（一般祭勺30

分^）,或每批的第一片mn>.

B.OFFMODE:不轨行

C.PR:依现在的程式内^定DISPENSE的日寺置轨行道真

D.S1,S2即^影液1,2管,S3^RINSE管,S4未指定.

E.TIME:DISPENSER寺队最多999秒.

F.START,STOP:轨行/停止JI喷

G.NOZZLEUP/DOWN:符E2NOZZLE予以升起以便检查DISPENSE

状况若生崖羟品前作fS真且忘言己招NOZZLEDOWNRIJMAINARM曾停在冷板前不勤作，

且不曾ALARM.

H.NOZZLEIN/OUT:E2NOZZLE曾移至IJCHUCK中心，且CHUCK曾下

降,CHUCK真空曾勤作.可利画莆检查E2NOZZLE典晶片^隙1.0MM.

I.RECIPE烯表示有RECIPE.若辗RECIPE即塘PRH寺辗法轨行E2

NOAZZLEfM真

J.AIRVENTSTOPSW:作fg要寺可同畤!将AIRVENTR期昌起不作排氟

泡.一般逗PR音殳定002秒,NOZZLEUP再按START轨行演盾.检查有辗氟泡回吸状况

影液是否正常而一致地廉状喷出，且不曾打结.若i8S1B寺W殳定之日寺^不要超出002秒，否袁

喷量曾不足，瓢法正常神充疑!影液，且喷的状况曾很奇怪造成^判.

15.ARMPOUSE维：暂停ARM之移助.勿任意使用，尤其MAINARM在高速

建勤日寺,曾折损皮带.

16.SPINSTOP:强制停止晶片之旋常晶片有殿重偏心旋申副寺.可用此维

强制停止，可避免破片.坦^晶片需作修改.

17.INTERLOCK:「鸟有保随若在生崖崖品中任意^启攵曾繁急停止建品

需修改.

18.COATERWINDVELOCITY:COATER陷阱槽凰速示器.

19.SUBTANKAUTOSUPPLYOPERATIONPANEL:可作SUBTANK^

影液衲充.

RESTS：富SUBTANK出现EMPTYB寺,可按此维再作SUPPLY的H式.

STOP徽停止.

SUPPLY燎：^示正在供名合状熊.

FULL®:表示已襁充至满的状慝.

OVERFLOW:表示未在指定的^^内神充满i液位，或OVERFLOW

SENSOR勤作.

EMPTY:表示未祷充到满的位置.

20.SUBTANKDRAINSW:勿使用.强制力n!EN2至SUBTANK以排^影液

至DRAIN.曾造成OVERFLOWSENSOR咖乍.

21.LEAKMONITORPANEL:用以指示漏;夜位置.一舟殳其LEAKSENSORIE

常，侦测到有漏畤穗悬缸色燎.

A.C/S亮燎表示CARRIERSTATION有漏光阻.

B.P/SHMDSCART亮燎HMDS有漏.

C.P/SCOATER1亮燎:2-1COATER陷阱槽有漏.

D.P/SCOATER2亮燎:2-2COATER陷阱槽有漏.

E.P/SDEV1亮燎:3-2DEVELOPER陷阱槽有漏.

F.P/SDEV2亮域3-3DEVELOPER陷阱槽有漏.

G.TEMPHUMIDCONT亮燎：二1#的温晟度控制器有漏.

H.EXTERNALCABINET亮燎：二;®的CSS系统有漏.

22.流量升及屋力表：

A.E2NOZZLE:1.2L/MIN.^影液流量.

B.E2NOZZLEBLOW:20ML/MIN.吹N2防止^景乡液滴落.

C.RINSENOZZLE:0.9L/MIN.DIRINSE.

D.BACKRINSE:100ML/MIN.晶背DI水清洗.

E.影液祷充至SUBTANK之屋力言十表：整曾改^^影液祷充速度.

F.E2NOZZLEBLOW屋力表：1.0KG/CM2.

G.RINSENOZZLEJ1力表:1.0KG/CM2.

H.BACKRINSEg^j^:1.0KG/CM2.

23.SUBTANKRHIGHLOWLEVELSENSOR:影液暂存椎及液位侦测

器.

24.JACKET:影液温度控制器徽交换氮.由CIRCULATOR流出之冷郤水

在此舆影液作低一次热交换.注意：由CIRCULATOR流出之冷谷U水在E2NOZZLE日寺仍

曾有温控.

25.^影液管路:CSS-DEVELOPERPUMP-SUBTANK--流量多十

--FILTER-^翩卧-E2NOZZLE.

CSS:CHEMICALSUPPLYSYSTEM:由I®矜提供之IS影液自勤供d

系统.

DEVELOPERPUMP:由RAP揩DEVELOPER供至械台.

SUBTANK:If影液暂存桶，利用N2加屋以便供鹰至E2NOZZLE

FILTER:遇惭ARTICLE.

mm决定DEVELOPER^ME及回吸^整.

E2NOZZLE:均匀的；lOg影液嗔出.

26.RINSE及BACKRINSE管路：

矜DI水一流量言十--FILTER■扁哪蜀—NOZZLE.

FILTER:遁l意PARTICLE.

决定DI水^层目及回吸^整.

NOZZLE:稳定的符DI水嘀出.

FLOWMETERAMP:檄台所有的流量侦测器的放大器：

一般流量侦测器未侦测到流量畴（浮球未升起）亮符崂旗测到流量畤（浮球升

起日寺）亮幺工^燎.

COATER:BACKRINSE1,2,HMDS,EBR.

DEVELOPER:E2NOZZLE,RINSENOZZLE,BACKRINSE.

INTERFACED介：

A.4・1可作PICKUP（PILOT用），也可作^^影暂存Ig.生崖用晶舟.

B.4-2,4-3:STEPPER暂存显敏晶舟.

C.4-6:FIXCOOLINGPLATE置除上只是DEVELOPER及INTERFACE的

MAINARM交换晶片未置.

D.4-4:COOLINGPLATE:冷板，有PIN可UP/DOWN.

E.4-5:STEPPER.

F.MAINARM:同CARRIERSTATIONARM,但多了TH轴可旋穗.

G.ARMPOUSE:同C/SARM.

H.WAFEREXTRUDESENSOR:同C/SARM.

I.INTERLOCK:同C/SARM.

J.操作面板：同C/S.

械台接方檄情：

冷热板曾介：

A.可^由程式中含殳定不同加热及冷郤温度及畤

B.株用PROXIMITYTPYE近接式加热或冷窗I,而不是探用接斶式加热或冷

sn,

可避免造成晶背污染.

C.PROXIMITYGAPE:0.1MM陶瓷薄片，在晶遏位置，言十六黠.

D.防滑装置：2.0MM陶瓷，避免晶片位移.

E.PINUP/DOWN:三集PIN用以接晶片.由氟屋缸作僖重力.

F.BEFOREBAKE,AFTERBAKE:

BEFOREBAKE:三堡PIN接晶片接不直接下降至熟板加热依程式内日寺

^作fg熟彳乳PIN下降再加热晶片.

AFTERBAKE：三堡PIN接晶片接直接下降至熟板加热，依程式内日寺^加

熟彳麦,PIN上升在熟板上方等待.

G.COVERUP/DOWN:HMDS盖板需密氟抽真空及上HMDS蒸氧再排廖氟,

需有COVER及密封璟昨密氟.由氟屋缸作僖重力.

H.SHUTTERUP/DOWN:一般熟板不必完全密氯作加熟，需有通凰及抽氧.

作成璟;1犬,由氟屋缸作停勤.

I.冷板盖板：触冷谷几不^^^板，可直接抽出，不必作UP/DOWN.

WEE曾介：

A.WAFEREDGEEXPOSURE:晶遏曝光系勺3MM大小.

B.水金艮燎光源^谩光傅至聚焦翔乍FOCUS控制，再由SHUTTER控制光的

通谩，可封晶片做外遇圜圈;（犬曝光，或3泉）伏曝光（可曝平遏）.

C.水金艮燎奔命2000小畴.

D.水金艮烧降温抽凰：11MM/H2O.摩矜若抽凰停止超出7分呈里以上，水金艮燎温

度超谩90度C曾自勤招水金艮燎熄滋，若抽凰辗法立即供鹰位避免水至艮燎不正常升温可先符

WEE重源切掉.

E.温度控制：温度超遇90度C曾自勃捋水童艮燎熄;威.

CIRCULATOR:

可封光