2025年模拟电路试卷及

2025年模拟电路试卷及一、单项选择题（每题2分，共20分）1.温度升高时，硅PN结的反向饱和电流Is将（）。A.基本不变B.指数级增大C.线性减小D.先增后减2.某增强型NMOS管的开启电压UT=2V，当栅源电压UGS=3V、漏源电压UDS=5V时，该管工作在（）。A.截止区B.可变电阻区C.饱和区D.击穿区3.共集电极放大电路的主要特点是（）。A.电压增益高、输入电阻小B.电压增益近似为1、输出电阻小C.电流增益低、输出电阻大D.频带窄、噪声抑制能力强4.差分放大电路抑制零点漂移的根本原因是（）。A.采用双电源供电B.电路参数对称C.引入共模负反馈D.输出端接负载电阻5.某放大电路的中频电压增益为40dB，上限截止频率fH=100kHz，下限截止频率fL=50Hz。当输入信号频率为10Hz时，实际电压增益约为（）。A.37dBB.40dBC.20dBD.0dB6.集成运放的输入级采用差分放大电路，主要是为了（）。A.提高电压增益B.增大输出功率C.抑制温漂和共模信号D.降低输出电阻7.设计一个同相比例运算电路，要求电压增益Av=100，若反馈电阻Rf=100kΩ，则输入电阻R1应取（）。A.1kΩB.10kΩC.100kΩD.1MΩ8.某OCL功率放大电路的电源电压VCC=±15V，负载电阻RL=8Ω，忽略晶体管饱和压降时，最大输出功率约为（）。A.14WB.28WC.56WD.7W9.串联型线性稳压电源中，调整管工作在（）。A.截止区B.饱和区C.放大区D.击穿区10.为了稳定放大电路的输出电流并提高输入电阻，应引入（）。A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈二、填空题（每题3分，共15分）1.某二极管的伏安特性近似为iD=IS(e^(uD/UT)-1)，其中UT为温度电压当量，当温度为300K时，UT≈______mV。2.某BJT的共射极输出特性曲线中，当IB=40μA时，IC=3.2mA；IB=60μA时，IC=4.8mA，则该管的交流电流放大系数β≈______。3.共基放大电路的输入电阻主要由______决定，其频率特性优于共射电路的原因是______。4.某集成运放的开环差模增益Aud=10^5，差模输入电阻rid=2MΩ，输出电阻ro=200Ω。当引入深度电压串联负反馈（反馈系数F=0.01）时，闭环电压增益Avf≈______，闭环输入电阻rif≈______。5.设计RC桥式正弦波振荡电路时，若选频网络的电阻R=10kΩ，电容C=0.01μF，则振荡频率f0≈______Hz（保留整数）。三、分析计算题（每题15分，共45分）1.图1所示为分压式偏置共射放大电路（注：VCC=12V，Rb1=47kΩ，Rb2=15kΩ，Rc=3kΩ，Re=1kΩ，RL=3kΩ，Rs=500Ω，晶体管β=80，UBE=0.7V，rbb'=200Ω，C1、C2、Ce为耦合/旁路电容且容量足够大）。（1）计算静态工作点Q（ICQ、UCEQ）；（2）画出小信号等效电路；（3）计算中频电压增益Av=uo/ui、输入电阻Ri、输出电阻Ro；（4）若Ce开路，重新计算Av、Ri（保留两位小数）。2.图2所示为双端输入-单端输出差分放大电路（注：VCC=VEE=12V，Rb=1kΩ，Rc=10kΩ，Re=10kΩ，RL=10kΩ，晶体管T1、T2特性对称，β=100，UBE=0.7V，rbe=2kΩ）。（1）计算差模电压增益Ad=uo/uid；（2）计算共模电压增益Ac=uo/uic；（3）计算共模抑制比KCMR（用分贝表示）；（4）若输入信号uid=20mV，uic=500mV，求输出电压uo的大小。3.图3所示为集成运放组成的运算电路（注：运放为理想器件，R1=10kΩ，R2=20kΩ，R3=30kΩ，Rf=60kΩ，C=1μF）。（1）说明A1、A2各自构成的运算电路类型；（2）推导uo1与ui1、ui2的关系式；（3）推导uo与uo1的关系式（设t=0时uo=0）；（4）若ui1=0.5V，ui2=1V，求t=1s时的uo值。四、设计题（20分）设计一个多级放大电路，要求满足以下指标：-电压增益|Av|≥1000-输入电阻Ri≥50kΩ-输出电阻Ro≤100Ω-负载电阻RL=1kΩ-电源电压VCC=+15V已知可用器件：NPN型晶体管（β=100，rbb'=200Ω，UBE=0.7V）、集成运放（理想特性）、电阻（1kΩ~1MΩ）、电容（1μF~100μF）。要求：