2026工艺整合招聘面试题及答案

2026工艺整合招聘面试题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）1.光刻工艺中，光刻胶的作用是（）A.保护晶圆B.图案转移C.增加导电性D.散热2.以下哪种气体常用于化学气相沉积（CVD）工艺？（）A.氧气B.氮气C.硅烷D.氢气3.离子注入的主要目的是（）A.改变晶圆表面粗糙度B.改变晶圆电学性质C.去除晶圆表面杂质D.增加晶圆硬度4.清洗工艺的主要作用是（）A.去除晶圆表面颗粒和杂质B.改变晶圆颜色C.提高晶圆透明度D.使晶圆表面更光滑5.化学机械抛光（CMP）的作用是（）A.去除晶圆表面有机物B.使晶圆表面平整C.增加晶圆厚度D.提高晶圆韧性6.以下哪种工艺用于制造晶体管的栅极？（）A.光刻B.刻蚀C.氧化D.以上都是7.工艺整合的核心目标是（）A.降低成本B.提高产量C.实现各工艺步骤协同优化D.减少设备损耗8.热退火工艺的作用是（）A.去除晶圆内部应力B.降低晶圆温度C.增加晶圆重量D.改变晶圆形状9.湿法刻蚀和干法刻蚀相比，湿法刻蚀的优点是（）A.刻蚀精度高B.各向异性好C.设备成本低D.无化学污染10.晶圆制造中，常用的衬底材料是（）A.玻璃B.硅C.铜D.铝多项选择题（每题2分，共20分）1.工艺整合中需要考虑的因素有（）A.工艺顺序B.设备兼容性C.成本D.良率2.光刻工艺的关键步骤包括（）A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀3.影响化学气相沉积（CVD）质量的因素有（）A.气体流量B.温度C.压力D.反应时间4.离子注入过程中可能出现的问题有（）A.晶格损伤B.杂质分布不均C.注入能量不稳定D.晶圆破裂5.清洗工艺常用的试剂有（）A.氢氟酸B.氨水C.过氧化氢D.硫酸6.化学机械抛光（CMP）的关键参数有（）A.压力B.转速C.抛光液成分D.抛光垫材质7.刻蚀工艺可分为（）A.湿法刻蚀B.干法刻蚀C.等离子刻蚀D.反应离子刻蚀8.热工艺包括（）A.氧化B.扩散C.退火D.沉积9.提高工艺良率的方法有（）A.优化工艺参数B.加强设备维护C.严格人员操作规范D.增加检测环节10.半导体工艺中常用的金属有（）A.铜B.铝C.金D.银判断题（每题2分，共20分）1.光刻工艺只能用于制造晶体管。（）2.化学气相沉积（CVD）只能沉积绝缘材料。（）3.离子注入剂量越大，半导体电学性能越好。（）4.清洗工艺在整个晶圆制造过程中只需要进行一次。（）5.化学机械抛光（CMP）可以完全消除晶圆表面的粗糙度。（）6.湿法刻蚀是各向同性刻蚀，干法刻蚀是各向异性刻蚀。（）7.热退火工艺会降低晶圆的纯度。（）8.工艺整合只需要考虑工艺本身，不需要考虑设备因素。（）9.光刻胶在曝光后会发生化学变化。（）10.半导体工艺中，所有金属都可以作为互连材料。（）简答题（每题5分，共20分）1.简述工艺整合的主要任务。工艺整合主要任务是协调各工艺步骤，确定合理顺序，保证设备兼容，优化工艺参数，控制成本，提高产品良率和性能，实现各环节协同以满足生产要求。2.光刻工艺的基本原理是什么？光刻利用光刻胶感光特性，通过掩膜版将设计图案投影到涂有光刻胶的晶圆上，经曝光、显影，光刻胶图案化，为后续刻蚀或离子注入等提供模板。3.离子注入后为什么需要进行热退火处理？离子注入会造成晶格损伤和杂质分布不均。热退火可修复晶格损伤，消除应力，使杂质激活并达到合适分布，改善半导体电学性能。4.化学机械抛光（CMP）的工作原理是什么？CMP利用抛光液化学作用和抛光垫机械摩擦，在压力和相对运动下，对晶圆表面进行材料去除和抛光，使表面达到平整。讨论题（每题5分，共20分）1.讨论在工艺整合中如何平衡成本和良率的关系。可通过优化工艺参数提高良率，减少废品降低成本；选择性价比高设备和材料；合理安排生产流程，避免不必要工序；加强人员培训，提高操作效率和质量。2.谈谈光刻工艺中影响图案转移精度的因素。光刻胶性能、曝光设备精度、掩膜版质量、曝光剂量和时间、显影条件等都会影响图案转移精度。如光刻胶分辨率低、曝光不准都会使图案偏差。3.分析离子注入技术在半导体制造中的优势和挑战。优势是精确控制杂质种类、剂量和深度，可低温操作。挑战是造成晶格损伤，需退火修复；注入能量和剂量控制难，易影响性能；设备昂贵，维护成本高。4.探讨化学机械抛光（CMP）工艺可能面临的问题及解决方法。问题有表面划伤、不均匀磨损、腐蚀等。解决方法是优化抛光参数，如压力、转速；选择合适抛光液和抛光垫；加强过程监测和控制。答案单项选择题答案1.B2.C3.B4.A5.B6.D7.C8.A9.C10.B多项选择题答案1.ABCD2.ABC3.ABCD4.AB