SoulZ世代孤独指数报告- Just So Soul 研究院11

嘉嘉嘉世世咨咨询询询MARKETANALYSIS碳碳碳化化硅硅硅2025MCR行行行业业简简析析报报告告告THEBRIEFMARKETANALYSISREPORTONSILICON

CARBIDE版版版权权归归属属上上海海嘉嘉世世营营销销销咨咨咨询询有有限限公公司司司商商商业业合合作作//内内容容容转转载载//更更更多多报报告告告000。。行行业业定定义义：：第第三三代代半半导导体体主主流流材材料料料元元元素素素组组成成的的化化合合合材材料料，，具具有有有较较较高高硬硬度度和和和优优异异的的物物理理化化学学学性性能能。。碳碳化化化硅硅材材料料拥拥有有有耐耐耐高高压压、、耐耐高高频频、、高高热热导导性性性、、、高高温温稳稳定定定性性、、高高折折射射射率率率等等特特点点，，可可作作为为诸诸多多行行行业业业实实现现降降本本本增增效效的的关关关碳碳碳化化硅硅是是一一种种由由碳碳和和硅硅键键键性性材材料料。。。···碳碳化化硅硅材材料料率率先先促促进进半半半导导导体体行行业业变变革革革，，并并开开始始在在在更更更多多领领域域渗渗透透并并和和硅硅基基技技术术术相相互互补补充充。。。相相较较硅硅基基半半半导导导体体，，以以碳碳化化硅硅和和氮氮化化化镓镓为为代代表表的的宽宽禁禁带带半半导导体体从从材材材料料端端至至器器件件端端的的性性性能能能优优势势势突突出出，，具具备备备高高频频频、、高高高效效效、、高高功功率率、、耐耐高高压压压、、耐耐高高温温等等特特点点，，，是是是未未来来半半导导体体行行业业发发发展展展的的重重要要要方方向向。。。当当当前前半半半导导体体材材料料市市场场主主要要由由由第第第一一一代代半半导导体体材材材料料硅硅(((SSii)))及及及第第三三代代半半导导体体材材料料氮氮化化镓镓镓(((GGGaaNN))和和和碳碳碳化化硅硅((SSiiiCCC))主主导导。。22002244年年，，硅硅占占占据据据市市场场份份额额的的8833..44%%%，，，碳碳碳化化硅硅约约占占1155..11%%%，，，氮氮氮化化化镓镓则则约约占占111..55%%。。。半半半导导体体体材材材料料料的的的发发发展展展进进进程程程第第第一一代代代第第第二二代代代第第第三三代代代材材材料料料硅硅硅砷砷砷化化镓镓、、磷磷化化铟铟铟碳碳碳化化硅硅、、氮氮化化化化化电电优优优势势势频频传传输输输 强强强更更更快快电电子子迁迁移移率率，，，可可可实实现现高高硅硅硅储储量量丰丰富富可可可实实现现从从真真空空且且成成本本低低低，，，应应用用最最为为广广泛泛泛管管到到紧紧凑凑凑型型型电电子子设设备备转转换换换子子特特性性性，，，提提高高电电子子强强度度度及及及抗抗辐辐照照照性性，，，器器器件件尺尺寸寸精精精巧巧，，节节能能环环保保保产产产业业化化进进程程程制制制造造能能极极艺艺复复杂杂，，，限限，，， 化化化合合物物半半导导体体在在高高频频频高高高功功率率领领域域逐逐步步产产业业工工工艺艺成成熟熟且且接接近近

优优优，，，能能提提最最

但但已已性性性 升升空空达达到到物物理理性性间间小小小化化化 宽宽宽禁禁带带半半导导导体体体处处处于于产产仍仍业业化化应应用用初初期期期，，，生生生产产工工仍有有提提升升空空间间间应应应用用用费费电电子子、、、 光光光电电领领域域，，毫毫米米波波波装装装置置、、卫卫星星通通信信等等等 555GG、、、物物联联网网、、电电动动汽汽车车车、、光光电电等等领领域域域广广广泛泛应应用用于于信信息息化化及及自自动动化化化各各各个个领领域域，，消消汽汽汽车车电电子子、、通通信信等等等数数数据据来来源源：：公公开开数数据据整理；；嘉嘉嘉世世世咨咨询询研研究究结结论论论；；图图源源源网网络络络0022，，行行业业发发展展：：从从技技术术突突破破到到产产业业化化，，未未来来将将进进入入全全球球扩扩张张周周期期数数据据来来源源：：公公开开数数据据整理；；嘉嘉世世咨咨询询研研究究结结论论；；图图源源网网络络22000088年年之之前前，，碳碳化化硅硅产产业业尚尚处处于于萌萌芽芽阶阶段段，，其其发发展展源源于于关关键键技技术术的的突突破破。。11997788年年，，PPVVTT晶晶体体生生长长法法成成功功改改良良，，以以此此为为基基础础，，2200世世纪纪8800年年代代末末至至22000000年年初初，，CCRREEEE等等公公司司推推动动其其初初步步产产业业化化。。22000011年年，，英英飞飞凌凌推推出出首首款款商商用用SSiiCC二二极极管管，，正正式式开开启启商商业业化化应应用用。。··步步入入2211世世纪纪1100年年代代，，技技术术成成熟熟度度大大幅幅提提升升，，产产业业进进入入培培育育期期。。SSiiCCMMOOSSFFEETT实实现现量量产产，，应应用用领领域域拓拓展展至至光光伏伏、、工工业业驱驱动动等等市市场场；；英英飞飞凌凌、、CCRREEEE推推出出一一系系列列SSiiCCFFEETT产产品品，，22001144年年，，CCRREEEE量量产产了了SSiiCCIIGGBBTT。。碳碳化化硅硅行行业业的的发发展展历历程程萌萌芽芽期期((11998800--22000077))培培育育期期（（22000088--22001155））发发展展期期（（22001166--至至今今））11998877年年CCRREEEE建建设设第第一一条条SSIICC产产线线，，11999988年年推推出出GGAANN--OONN--SSIICC。。22000011年年英英飞飞凌凌推推出出首首款款商商用用SSIICC二二极极管管。。22000055年年，，CCRREEEE生生产产44英英寸寸SSIICC。。22000066年年，，SSII//SSIICC混混合合模模组组诞诞生生。。意意法法半半导导体体推推出出汽汽车车级级SSIICC产产品品，，SSIICC进进入入汽汽车车领领域域应应用用。。22001177年年，，RROOHHMM推推出出高高可可靠靠11770000VVSSIICC产产品品，，SSIICC持持续续向向高高功功率率发发展展。。22001188年年特特斯斯拉拉大大规规模模采采用用SSIICC模模块块，，推推动动SSIICC在在新新能能源源汽汽车车渗渗透透。。22000088年年发发布布了了第第一一个个增增强强型型SSIICCFFEETT22001111年年CCRREEEE、、RROOHHMM量量产产SSIICC

MMOOSSFFEETT,,碳碳化化硅硅推推进进产产业业化化。。22001122年年英英飞飞凌凌发发布布11220000VV的的SSIICCFFEETT。。CCRREEEE

66英英寸寸SSIICC产产品品量量产产。。22001155年年RROOHHMM量量产产11220000VVSSIICC产产品品。。88英英寸寸SSIICC晶晶圆圆诞诞生生，，SSIICC进进入入88英英寸寸时时代代。。0033。。行行业业前前景景：：下下游游各各行行业业替替代代硅硅基基，，低低渗渗透透率率下下未未来来空空间间广广阔阔数数据据来来源源：：公公开开数数据据整理；；嘉嘉世世咨咨询询研研究究结结论论；；图图源源网网络络22002200年年至至22002244年年，，碳碳化化硅硅功功率率半半导导体体器器件件市市场场迅迅猛猛增增长长。。其其于于全全球球功功率率半半导导体体器器件件市市场场的的渗渗透透率率，，由由11..44%%跃跃升升至至66..55%%，，预预计计22003300年年将将达达2222..66%%。。当当前前行行业业尚尚处处早早期期，，未未来来渗渗透透率率提提升升空空间间广广阔阔。。碳碳化化硅硅渗渗透透率率攀攀升升主主要要得得益益于于碳碳化化硅硅器器件件在在各各行行业业的的广广泛泛应应用用，，尤尤其其是是xxEEVV与与光光伏伏领领域域。。22002200年年至至22002244年年，，应应用用于于XXEEVV的的碳碳化化硅硅功功率率半半导导体体器器件件全全球球收收入入，，复复合合年年增增长长率率高高达达6655..11%%；；而而22002244年年至至22003300年年，，该该领领域域复复合合年年增增长长率率仍仍保保持持3366..11%%的的高高位位。。光光伏伏储储能能、、电电网网、、轨轨道道交交通通领领域域，，碳碳化化硅硅用用量量亦亦稳稳步步增增长长，，未未来来预预测测期期内内，，复复合合年年增增长长率率将将分分别别达达2277..22%%、、2244..55%%及及2255..33%%。。家家用用电电器器、、低低空空飞飞行行与与数数据据中中心心等等新新兴兴应应用用领领域域，，碳碳化化硅硅功功率率半半导导体体器器件件展展现现出出更更快快增增速速，，全全球球收收入入预预测测复复合合年年增增长长率率预预计计达达3399..22%%。。随随着着下下游游各各领领域域逐逐步步采采用用碳碳化化硅硅替替代代硅硅基基功功率率半半导导体体，，未未来来行行业业前前景景一一片片光光明明。。碳碳化化硅硅渗渗透透率率8.0%6.9%%0'L5.8%6.0%5.0%3.7%4.0%3.0%2.4%2.0%1.4%1.0%0.0%2020202120222023202400044行行业业规规规模模模：：：下下下游游游需需需求求求旺旺盛盛，，，未未未来来有有望望突突破破111999000数数数据据来来源源：：公公开开数数据据整理；；嘉嘉嘉世世世咨咨询询研研究究结结论论论；；图图源源源网网络络络亿亿亿美美元元元2220022000年年，，全全球球碳碳化化硅硅市市市场场场规规模模仅仅66...4444亿亿美美元元元。。。此此后后，，新新能能源源汽汽车车续续航航航提提提升升升、、充充电电加加加速速，，推推动动高高高功功功率率碳碳化化硅硅替替代代传传统统功功率率半半半导导导体体。。同同时时，，，向向太太阳阳能能、、、风风风能能等等可可再再生生能能源源系系统统的的的转转转型型型，，促促使使逆逆逆变变器器及及电电电网网网基基础础设设施施对对碳碳化化硅硅硅元元件件需需求求大大增增。。。···碳碳化化硅硅半半导导体体能能量量转转换换效效效率率率卓卓越越，，能能降降降低低系系统统损损耗耗耗，，，是是太太阳阳能能逆逆变变器器、、风风力力涡涡涡轮轮轮机机转转换换器器及及及储储能能系系统统等等等应应应用用的的理理想想之之选选。。下下游游游核核心心应应用用需需求求旺旺盛盛，，驱驱动动行行业业快快快速速增增长长，，222000222444年年年规规规模模模扩扩至至333222...444亿亿美美美元元。。。未未未来来，，，数数数据据据中中中心心心、、、家家家用用用电电电器器、、低低空空飞飞飞行行行等等新新兴兴领领域域需需求求求爆爆发发，，叠叠加加新新能能能源源源在在主主要要领领域域持持续续渗渗透透，，行行业业有有望望在在在222003300年年突突破破1119900亿亿美美元元。。。222002200--2220033300EEE碳碳化化化硅硅市市市场场场规规规模模及及及增增速速速（（（亿亿亿元元；；；%%）））市市市场场规规模模（（亿亿元元）））一一一00一一增增速速((%%)))250.00250.00%197.45200.00200.00%197.45%157.96150.00150.00%121.51157.96%100.0080.04100.00%71.89%62.06%53.07%55.4840.5050.0032.4050.00%27.4617.9411.0744.27%51.81%6.4425.00%%66'90.000.00%202020212022202320242025E2026E2027E2028E2029E2030E00055...产产业业链链链：：：上上上游游游衬衬衬底底底主主主数数数据据来来源源：：公公开开数数据据整理；；嘉嘉嘉世世世咨咨询询研研究究结结论论论；；图图源源源网网络络络导导导成成成本本，，中中下下游游应应应用用驱驱动动动增增长长长衬衬衬底底制制造造商商属属于于整整个个碳碳化化硅硅半半导导体体体器器器件件产产业业链链的的上上上游游参参与与者者。。。碳碳化化化硅硅硅衬衬底底是是指指以以碳碳化化硅硅粉粉末末为为主主要要要原原原材材料料，，经经过过晶晶体体生生长长、、、晶晶晶锭锭加加工工、、切切割割、、研研磨磨、、、抛抛光光、、清清洗洗等等制制造造过过过程程程后后后形形成成的的单单片片材材料料，，，是是用用用于于于制制作作宽宽禁禁带带半半导导体体及及其其他他碳碳化化硅硅基基基器器器件件的的基基础础材材料料。。这这这些些衬衬衬底底制制造造商商是是是产产产业业链链中中将将原原材材料料转转化化为为可可供供下下游游参参与与与者者使使用用的的衬衬底底底产产品品品的的关关关键键环环节节。。。。。。衬衬衬底底经经过过外外外延延生生长长后后，，被被用用用于于制制造造各各种种种功功率率器器件件、、、射射射频频器器件件等等。。这这些些器器件件广广泛泛泛应应应用用于于新新新能能能源源汽汽车车、、数数数据据据中中心心光光伏伏及及储储能能、、电电力力力供供供应应、、轨轨道道道交交通通及及新新新中中中下下游游包包括括器器件件制制造造商商、、、代代代工工制制造造商商和和和终终端端应应用用兴兴兴产产业业等等等领领域域域。。。碳碳碳化化硅硅硅产产产业业业链链链上上上下下下游游游上上上游游游中中中游游游下下下游游游原原原料料供供应应商商商器器器件件制制造造商商商应应应用用用衬衬衬底底提提供供商商商设设设计计计制制制造造造封封封装装测测试试试衬衬衬底底底衬衬衬底底底制制制造造商商商外外外延延片片片xEV数数数据据中中心心心光光光伏伏++储储能能系系统统统电电电力力供供应应应轨轨轨道道交交通通通新新新兴兴行行业业业其其其他他.....……...外外外延延片片提提供供商商商器器器件件制制造造商商可可以以选选择择采采购购衬衬衬底底底并并惊惊醒醒内内部部外外外延延工工艺艺，，，或或或者者选选择择从从外外部部部供供供应应商商处处购购买买预预制制外外延延片片片00066上上游游：：成成本本及及价价值值量量量数数数据据来来源源：：公公开开数数据据整理；；嘉嘉嘉世世世咨咨询询研研究究结结论论论；；图图源源源网网络络络最最最大大大，，衬衬底底保保持持持高高速速增增长长长在在在碳碳化化硅硅器器件件制制造造流流程程中中，，，由由由衬衬底底与与外外延延延共共同同构构成成的的的“““晶晶圆圆材材料料""环环节节，，占占据据据价价价值值值核核心心地地位位位。。此此环环节节技技技术术术壁壁垒垒最最高高，，且且约约占占总总成成本本本的的的7700%%（（（其其中中衬衬底底占占占比比比近近近半半，，约约4477%%）），，其其其质质质量量量直直接接界界定定定上上游游原原材材材料料料规规格格标标准准，，并并从从根根本本本上上上限限限定定下下游游SSBBDD、、、MMMOOSSFFEEETT等等最最终终终器器器件件件的的性性能能能上上限限。。。2220033000年年，，市市场场规规模模将将跃跃升升升至至至555888555亿亿亿元元元人人人民民民币币币，，，复复复合合合年年年增增增长长长率率率达达达333777...111%%，，持持持续续保保持持高高速速增增增长长态态势势。。。碳碳碳化化硅硅衬衬底底市市场场规规模模（（十十亿亿元元）））700■■■导导电电型型型碳碳化化化硅硅衬衬衬底底底■■■半半绝绝缘缘型型碳碳碳化化硅硅衬衬底底底60084500反反反权权所所有有有4006630053501200413313227100163120873454202020212022202320242025E2026E2027E2028E2029E2030E6600077．．中中游游游：：：全全全球球球被被被欧欧欧美美美大大厂厂寡寡寡头头头垄垄断断，，国国产产化化化替替代代数数数据据来来源源：：公公开开数数据据整理；；嘉嘉嘉世世世咨咨询询研研究究结结论论论；；图图源源源网网络络络空空空间间大大大占占占据据领领先先先，，中中国国厂厂商商（（（SSiiCCCccCC、、、TTTaannkkeeBBlluuee））已已实实现现突突突破破破，，稳稳居居全全球球球第第一一梯梯梯队队。。韩韩韩国国国巨巨头头（（SSKKssiillttrroonnn）））及及日日欧欧联联盟盟（（RRoooHHHMM//SSiiCCrrryyssttaall）））外外外巨巨头头主主导导。。。：：：据据富富士士经经济济数数据据，，22oo22444年年年美美国国依依托托WWooollffsssppeeeeeddd与与CCoohheerreenntt则则则凭凭借借集集团团优优势势奋奋力力追追赶赶。。。2220022244年年全全球球碳碳化化硅硅硅衬衬衬底底市市场场竞竞争争格格局局局11122002244年年年收收收入入入（（（百百百万万万日日日元元）））111222002255年年预预计计收收入入（（（百百百万万日日元元）））000———22002244年年市市场场占占比比比000一一22002255年年年预预计计市市场场占占比比比B000045.0%7000040.0%35.0%6000030.0%5000025.0%4000020.0%3000015.0%2000010.0%100005.0%0.0%WolfspeedSICCTankeBlueSK

siltronCoherentSicrystalOthersSemiconductor00088。。下下游游：：新新新能能源源源汽汽车车车应应用用用最数数数据据来来源源：：公公开开数数据据整理；；嘉嘉嘉世世世咨咨询询研研究究结结论论论；；图图源源源网网络络络最最广广广泛泛，，，光光伏伏伏、、风风风电电紧紧紧随随随其其其后后后SSSiiCCC器器器件件应应用用范范畴畴广广泛泛，，，涉涉涉及及新新能能源源汽汽汽车车、、充充电电桩桩桩、、、光光伏伏、、轨轨道道交交通通及及智智能能能电电电网网网等等领领域域。。。受受55GG、、新新新能能能源源汽汽车车及及数数据据中中心心等等需需求求求推推推动动，，市市场场正正呈呈现现高高速速速发发发展展展态态势势。。新新能能源源汽汽车车为为为最最最大大大应应用用领领域域域（（占占比比约约约44400%%%）），，尤尤其其在在电电机机机驱驱驱动动与与DDCC//DDCC转转转换换换等等环环节节，，节节能能效效果果显显显著著著。。光光伏伏、、风风电电等等新新新能能能源源发发电电应应用用亦亦稳稳步步拓拓展展。。数数据据中中心心、、家家电电等等等新新兴兴领领域域虽虽占占比比比有有有限限限，，但但发发展展潜潜力力巨巨大大大···细细分分而而言言，，中中高高压压领领域域中中中，，，碳碳化化硅硅基基电电电力力电电子子器器件件件将将将持持续续渗渗透透，，新新能能源源汽汽车车车仍仍仍为为为最最大大应应用用用市市场场；；低低压压压小小小功功率率电电源源领领域域，，包包括括LLEEEDDD驱驱动动电电源源、、电电动动工工具具电电电源源源、、消消费费电电源源及及DD类类音音频频频等等等，，，GGaaNN电电电力力电电子子器器器件件件将将成成成为为为主主主导导导，，，驱驱驱动动动市市市场场场新新增增长长；；中中中压压压领领域域，，GGaaaNN与与与SSiiCC电电力力电电子子子器器器件件在在数数据据中中心心服服务务器器、、路路由由器器及及网网网络络络交交换换机机中中的的应应用用用正正持持续续增增长长。。。碳碳碳化化硅硅下下下游游游应应应用用用市市市场场场结结构构构碳碳碳化化化硅硅材材料料在在新新能能源源源汽汽车车车中中的的应应用用用1.0%主主主要要应应用用用主主主要要功功能能能碳碳碳化化化硅硅带带来来的的的关关键键效效益益益2.5%.5%6.5%电电电机机驱驱动动动

(((主主逆逆变变器器)))控控控制制驱驱动动电电机机机损损损耗耗降降低低77700%%--9900%%%续续续航航里里程程提提升升1100%%%12.0%40.0%车车车载载充充电电器器((OOBBCC)))将将将交交交流流电电转转为为直直流流电电电为为为电电池池充充电电电损损损耗耗降降低低4400%%%充充充电电速速度度更更快快快19.0%15.5%DDDCC//DDCC转转换换器器器将将将高高高压压供供供车车载载电电转转为为低低压压设设备备使使用用用电电电 损损损耗耗降降低低88800%%--9900%%%减减减少少少对对续续航航的的影影响响响其其其他他他部部件件（（空空调调压压缩缩机机等等）））辅辅辅助助系系系统统统供供电电与与控控制制制提提提升升升系系统统效效率率与与效效能能能■■■新新能能源源汽汽车车■■光光伏伏发发电电■■■消消消费费类类电电源源■■机机机床床■■风风力力发发发电电电■■UUPPSS■■■工工业业电电机机■■其其其他他他新新兴兴领领域域域00099，，下下游游：：数数数据据中中中心心、、、家家电电电应数数数据据来来源源：：公公开开数数据据整理；；嘉嘉嘉世世世咨咨询询研研究究结结论论论；；图图源源源网网络络络应应用用用作作为为为新新兴兴兴领领域域域，，，增增增长长潜潜潜力力大大大下下下游游所所有有应应用用的的共共同同驱驱动动动力力力都都是是““提提升升升能能效效””和和“““缩缩缩小小体体积积//减减轻轻轻重重量量””，，碳碳碳化化硅硅器器件件通通通过过实实现现电电源源源的的的高高功功率率密密度度和和高高效效率率，，恰恰恰好好好击击中中了了现现现代代科科科技技发发展展展在在在能能源源和和环环境境方方面面面面临临的的的核核核心心痛痛点点，，，成成为为支支持持持AAAII数数据据中中心心爆爆发发式式增增长长长、、、降降低低其其巨巨大大大能能耗耗的的关关键键键技技技术术解解决决方方案案，，市市场场潜潜力力巨巨巨大大。。同同时时，，，从从新新能能源源汽汽汽车车车、、工工业业等等对对性性能能和和效效率率极极极度度度敏敏感感的的领领领域域域开开始始始，，逐逐逐步步步向向向消消费费费电电子子子、、家家家电电等等等量量量大大大面面广广广的的领领领域域渗渗渗透透。。。碳碳碳化化硅硅材材材料料料在在在数数数据据据中中中心心的的应应用用用碳碳碳化化硅硅材材料料在在家家用用用电电器器中中中的的应应用用用应应应用用领领域域域核核核心心优优势势势具具具体体效效效益益益与与市市场场前前景景景应应应用用领领域域域核核核心心优优势势势主主主要要应应用用部部件件件提提提高高高能能能效效，，使使产产品品更更环环保保高高高功功功率率密密度度可可可达达达硅硅基基器器件件的的22倍倍以以上上。。。功功功率率因因数数校校正正正（（PPFFCCC））电电路路路更更更高高开开关关频频率率&&更更低低低损损损耗耗耗高高高功功功率率家家用用电电器器器%%%，，，减减少少能能源源源电电电机机驱驱动动、、、升升升压压电电电路路、、高高压压压提提提升升功功率率密密度度&&转转换换换效效效率率率(((空空空调调)))转转转换换效效率率最最高高提提升升约约11浪浪浪费费。。。电电电源源源效效效；；提提升升功功率率密密度度，，实实现现产产产品品品小小型型化化；；减减减少少少元元件件体体积积和和和成成成本本（（散散热热器器、、磁磁性性元元件件）））机机机架架电电源源((PPSSUU)))（（（特特别别是是PPFFCC电电路路）））将将将现现现有有供供电电系系统统效效效率率从从从

88855%%--8888%%进进进未未未来来来拓拓展展品品类类类（（冰冰箱箱、、、提提提升升能能效效，，降降低低运运营营成成本本本(OPEX)步步步提提升升，，减减少少高高达达1122%%%---1155%%的的能能能洗洗洗衣衣机机、、微微波波炉炉、、电电磁磁磁潜潜潜力力力巨巨巨大大，，将将更更更广广泛泛应应用用用支支支持持高高功功率率AAII服服务务务器器的的供供电电源源浪浪费费。。。在在在有有限限的的机机架架空空间间内内满满足足AAIII炉炉炉、、、电电电烤烤箱箱、、、电电饭饭煲煲、、、需需需求求。。。服服服务务器器更更高高高的的的功功耗耗要要求求。。。电电电视视等等）））1100，，下下游游：：半半绝绝缘缘体体碳碳化化硅硅，，射射频频是是主主要要应应用用数数据据来来源源：：公公开开数数据据整理；；嘉嘉世世咨咨询询研研究究结结论论；；图图源源网网络络在在无无线线通通信信领领域域，，基基于于半半绝绝缘缘型型碳碳化化硅硅衬衬底底的的碳碳化化硅硅射射频频器器件件极极为为关关键键。。其其具具备备高高功功率率、、高高效效率率及及适适配配高高频频工工作作的的特特性性，，尤尤其其适适用用于于55GG通通信信基基站站功功率率放放大大器器，，可可显显著著提提升升信信号号覆覆盖盖质质量量与与数数据据传传输输速速率率。。射射频频应应用用市市场场增增长长动动力力充充沛沛，，22002244年年，，该该市市场场规规模模达达1100..99亿亿美美元元。。伴伴随随55GG技技术术普普及及，，此此类类器器件件正正加加速速替替代代传传统统LLDDMM0055技技术术，，预预计计22003300年年市市场场规规模模将将达达2277..55亿亿美美元元，，其其间间复复合合年年增增长长率率高高达达1166..88%%，，彰彰显显巨巨大大市市场场潜潜力力与与发发展展速速度度半半绝绝缘缘体体碳碳化化硅硅射射频频应应用用市市场场规规模模及及增增速速（（亿亿美美元元：：%%））市市场场规规模模（（亿亿元元））一一00一一增增速速((%%))30.022.22%25.00%20.32%18.35%25.0O20.00%16.18%13.33%O20.015.00%10.09%O9.88%15.07.37%7.92%10.00%6.74%O10.05.00%-0.98%0.00%8.18.99.510.210.110.912.013.615.818.722.527.5202020212022202320242025E2026E2027E2028E2029E2030E5.00%0.0201911：：企企业业案案例例：：天天岳岳先先进进，，中中国国碳碳化化硅硅半半导导体体材材料料领领域域的的领领军军企企业业数数据据来来源源：：公公开开数数据据整理；；嘉嘉世世咨咨询询研研究究结结论论；；图图源源网网络络天天岳岳先先进进是是全全球球领领先先的的宽宽禁禁带带半半导导体体材材料料企企业业，，主主要要产产品品包包括括导导电电型型与与半半绝绝缘缘型型碳碳化化硅硅衬衬底底，，同同时时是是全全球球少少数数能能实实现现88英英寸寸碳碳化化硅硅衬衬底底量量产产、、率率先先完完成成22英英寸寸至至88英英寸寸碳碳化化硅硅衬衬底底商商业业化化的的企企业业之之一一也也是是率率先先推推出出1122英英寸寸碳碳化化硅硅衬衬底底的的企企业业。。目目前前，，公公司司已已与与全全球球前前十十大大功功率率半半导导体体器器件件制制造造商商（（按按22002233年年收收入入计计））中中半半数数以以上上建建立立业业务务合合作作关关系系。。碳碳化化硅硅衬衬底底经经客客户户制制成成功功率率器器件件及及射射频频器器件件后后，，最最终终应应用用于于电电动动汽汽车车、、AAII数数据据中中心心及及光光伏伏系系统统等等多多领领域域终终端端产产品品。。公公司司22002200至至22002255年年实实现现收收入入高高速速增增长长，，从从22002222年年44..1177亿亿元元大大幅幅增增长长至至22002244年年1177..6688亿亿元元净净利利润润达达11..7799亿亿元元。。通通过过持持续续研研发发投投入入保保持持技技术术领领先先，，天天岳岳先先进进22002200--22002255HH11营营收收及及净净利利润润（（亿亿元元））天天岳岳先先进进22002200--22002255HH11研研发发支支出出及及同同比比增增速速（（亿亿元元：：%%））11营营业业收收入入((亿亿元元））00一一净净利利润润（（亿亿元元））研研发发支支出出（（亿亿元元））一一00一一增增速速((%%))20.003.0017.681.601.4280.00%18.002.001.371.4070.00%16.001.791.0072.9701.2060.00%14.000.9012.510.0060.87%0.1150.00%12.001.001.00-0.460.740.7640.00%10.007.94-2.000.808.001.753.0030.00%0.600.4635.71%6.004.254.944.0020.00%4.174.00-5.000.4010.00%2.00-6.000.207.03%0.00%3.65%0.007.000.0010.00%26:2820212022202320242025H1202020212022202320242025H120062010201420152018202120222023202420250000公公司司成成立立，，44英英寸寸导导电电型型退退出出国国内内首首绑绑定定新新能能源源66英英寸寸产产能能达达66英英寸寸产产能能国国内内首首款款88英英88英英寸寸光光波波导导88英英寸寸全全球球出出累累计计销销量量破破切切入入SSiiCC赛赛道道 衬衬底底量量产产 款款66英英寸寸SSiicc龙龙头头，，启启动动661100万万片片//年年5500万万片片//年年，，寸寸导导电电型型衬衬衬衬底底货货1100万万片片，， 110000万万片片，，晶晶片片英英寸寸产产线线全全球球前前五五底底量量产产((AARR//AAII散散热热))启启动动1122英英寸寸 1122英英寸寸技技术术研研发发 突突破破数数据据来来源源：：公公开开数数据据整理；；嘉嘉世世咨咨询询研研究究结结论论；；图图源源网网络络1122。。企企业业案案例例：：天天科科合合达达，，中中国国碳碳化化硅硅半半导导体体材材料料领领域域的的标标杆杆企企业业位位于于北北京京，，拥拥有有北北京京研研发发中中心心及及江江苏苏、、深深圳圳等等多多个个生生产产基基地地，，产产业业布布局局覆覆盖盖碳碳化化硅硅单单晶晶炉炉制制造造、、原原料料合合成成、、单单晶晶生生长长、、衬衬底底加加工工及及外外延延制制备备全全产产业业链链，，形形成成““设设备备--材材料料--衬衬底底--外外延延””一一体体化化能能力力，，是是全全球球少少数数具具备备碳碳化化硅硅（（SSiiCC））衬衬底底全全产产业业链链研研发发与与规规模模化化生生产产能能力力的的企企业业之之一一，，也也是是国国内内碳碳化化硅硅半半导导体体材材料料领领域域的的标标杆杆企企业业。。公公司司在在碳碳化化硅硅衬衬底底技技术术上上实实现现多多代代际际突突破破：：66英英寸寸导导电电型型衬衬底底已已实实现现规规模模化化量量产产，，占占据据国国内内主主流流市市场场；；88英英寸寸导导电电型型衬衬底底于于22002233年年小小批批量量量量产产，，22002244年年北北京京二二期期项项目目投投产产后后，，88英英寸寸年年产产能能达达1133..55万万公公司司累累计计服服务务全全球球550000余余家家客客户户，，与与比比亚亚迪迪、、英英飞飞凌凌、、芯芯联联集集成成、、华华为为、、中中芯芯国国际际、、国国家家电电网网等等头头部部企企业业形形成成了了稳稳定定合合作作关关系系，，产产品品大大量量出出口口欧欧美美、、日日本本等等2200多多个个国国家家和和地地区区，，其其产产品品广广泛泛应应用用于于全全球球主主流流新新能能源源汽汽车车、、55GG通通信信设设备备。。天天科科合合达达SSiicc衬衬底底技技术术发发展展时时间间轴轴1133。。碳碳化化硅硅行行业业未未来来发发展展的的挑挑战战数数据据来来源源：：公公开开数数据据整理；；嘉嘉世世咨咨询询研研究究结结论论；；图图源源网网络络技技术术门门槛槛高高，，缺缺陷陷控控制制难难成成本本压压力力巨巨大大，，降降本本需需求求迫迫切切碳碳化化硅硅衬衬底底的的长长晶晶环环节节技技术术壁壁垒垒极极高高，，对对温温度度和和压压力力的的控控制制要要求求极极为为苛苛刻刻。。晶晶体体生生长长过过程程中中极极易易产产生生微微管管、、位位错错等等缺缺陷陷，，这这些些缺缺陷陷会会直直接接影影响响最最终终器器件件的的性性能能和和良良率率，，是是制制约约高高质质量量、、低低成成本本量量产产的的核核心心技技术术瓶瓶颈颈。。衬衬底底是是碳碳化化硅硅器器件件成成本本的的大大头头，，占占比比高高达达4477%%。。目目前前原原材材料料利利用用率率低低、、长长晶晶速速度度慢慢、、生生产产能能耗耗大大，，导导致致碳碳化化硅硅器器件件的的价价格格远远高高于于传传统统硅硅基基器器件件。。如如何何通通过过技技术术改改进进（（如如向向88英英寸寸晶晶圆圆过过渡渡））和和规规模模效效应应来来持持续续降降本本，，是是市市场场大大规规模模渗渗透透的的关关键键挑挑战战。。LO02国国际际竞竞争争激激烈烈，，国国产产替替代代任任重重道道远远供供需需平平衡衡与与产产能能爬爬坡坡的的挑挑战战全全球球碳碳化化硅硅器器件件市市场场由由意意法法半半导导体体、、WWoollffssppeeeedd、、英英飞飞凌凌等等欧欧美美日日巨巨头头垒垒断断，，

TTOOPP66企企业业占占据据9999%%的的市市场场份份额额。。国国内内企企业业虽虽然然在在上上游游衬衬底底领领域域有有所所突突破破，，但但全全产产业业链链能能力力尤尤其其是是高高端端器器件件设设计计制制造造方方面面仍仍较较薄薄弱弱，，国国产产化化率率不不足足11%%，，实实现现全全面面追追赶赶和和替替代代面面临临巨巨大大压压力力。。下下游游需需求求（（尤尤其其是是新新能能源源汽汽车车））爆爆发发式式增增长长，，对对上上游游衬衬底底产产能能提提出出了了极极高高要要求求。。然然而而，，衬衬底底产产能能扩扩张张周周期期长长、、难难度度大大，，易易出出现现供供需需失失衡衡风风险险。。如如何何精精准准规规划划产产能能、、高高效效爬爬坡坡，，并并应应对对可可能能出出现现的的价价格格波波动动，，是是产产业业链链各各环环节