2025年二极管三极管测试卷附答案

2025年二极管三极管测试卷附答案一、单项选择题（每题2分，共30分）1.硅二极管在室温（25℃）下正向导通时的典型压降约为（）A.0.1VB.0.3VC.0.7VD.1.2V2.某二极管反向击穿电压为100V，若将其接入反向电压为120V的电路中，最可能出现的现象是（）A.正常截止B.因过热烧毁C.反向导通但不损坏D.正向导通3.稳压二极管正常工作时应处于（）A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.死区4.三极管放大的外部条件是（）A.发射结反偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结正偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结正偏5.共发射极放大电路中，输入信号与输出信号的相位关系为（）A.同相B.反相C.相差90°D.无固定关系6.某三极管的β=100，ICBO=10nA，则穿透电流ICEO约为（）A.1μAB.10μAC.100μAD.1mA7.二极管的伏安特性曲线中，反向电流随反向电压增大而缓慢增加的区域称为（）A.死区B.正向导通区C.反向截止区D.反向击穿区8.若三极管的集电极电流IC=2mA，基极电流IB=20μA，则发射极电流IE约为（）A.1.98mAB.2.02mAC.2mAD.2.2mA9.温度升高时，二极管的正向压降会（）A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小10.共集电极放大电路的主要特点是（）A.电压放大倍数高，输入电阻小B.电压放大倍数约为1，输入电阻大C.电压放大倍数低，输出电阻大D.电流放大倍数低，频率特性差11.用万用表R×100Ω档测量二极管正反向电阻，若正向电阻约500Ω，反向电阻约500kΩ，说明该二极管（）A.性能良好B.内部短路C.内部开路D.反向击穿12.三极管处于饱和状态时，其集电极与发射极之间的压降UCE约为（）A.0.1~0.3VB.0.7VC.电源电压D.随基极电流变化13.整流电路中使用电容滤波时，若负载电阻RL增大，输出电压平均值将（）A.增大B.减小C.不变D.先减小后增大14.某NPN型三极管的三个电极电位分别为：UBE=0.7V，UCE=0.2V，该三极管处于（）A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.反向击穿状态15.共基极放大电路的输入电阻（）A.很大B.中等C.很小D.与共射极电路相同二、填空题（每题2分，共20分）1.二极管的核心结构是________，其基本特性是________。2.三极管的三个工作区域为________、________和________。3.稳压二极管正常工作时需与负载________（串联/并联），且外加________（正向/反向）电压。4.三极管的电流放大系数β反映________电流对________电流的控制能力。5.温度每升高10℃，二极管的反向电流约________（增大/减小）________倍。6.共发射极放大电路中，若静态工作点设置过低，会导致________失真；设置过高会导致________失真。7.二极管的主要参数包括________、________和________（至少写三个）。8.三极管的穿透电流ICEO与温度________（正/负）相关，温度升高时ICEO________（增大/减小）。9.整流电路的作用是将________电转换为________电，滤波电路的作用是________。10.共集电极放大电路又称为________，其输出电压与输入电压________（同相/反相）。三、判断题（每题1分，共10分）1.二极管加正向电压时一定导通。（）2.三极管的β值越大，放大能力越强，电路性能越稳定。（）3.稳压二极管可以串联使用以提高稳压值。（）4.共射极放大电路既能放大电压，也能放大电流。（）5.温度升高时，二极管的正向导通压降会增大。（）6.三极管处于截止状态时，发射结和集电结均反偏。（）7.整流电路中，桥式整流的输出电压平均值比半波整流高约1倍。（）8.共基极放大电路的输出电阻较小，带负载能力强。（）9.测量三极管时，若任意两电极间电阻均很小，说明该管已击穿。（）10.放大电路的静态工作点是指无输入信号时三极管的电流和电压值。（）四、简答题（每题6分，共30分）1.简述二极管伏安特性曲线的主要组成部分及其特点。2.三极管实现电流放大的内部条件和外部条件分别是什么？3.温度对二极管和三极管的参数各有哪些影响？4.比较共发射极、共集电极、共基极三种放大电路的性能特点（至少列出三项）。5.分析桥式整流电容滤波电路中，若滤波电容开路或短路，输出电压会如何变化？五、综合题（每题10分，共30分）1.图1所示为单相桥式整流电容滤波电路，输入交流电压u2=20√2sinωt（V），频率50Hz，负载电阻RL=1kΩ，滤波电容C=1000μF。（1）计算输出电压平均值UO（AV）；（2）若其中一只二极管开路，输出电压平均值如何变化？（3）若电容C容量减小为100μF，UO（AV）如何变化？2.图2所示为分压式偏置共射极放大电路，已知VCC=12V，Rb1=30kΩ，Rb2=10kΩ，Rc=3kΩ，Re=1kΩ，β=50，rbe=1kΩ（忽略UBEQ）。（1）计算静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ；（2）画出微变等效电路；（3）计算电压放大倍数Av、输入电阻Ri、输出电阻Ro。3.图3所示为三极管放大电路，测得三极管各极电位如下：①脚：6V，②脚：5.3V，③脚：12V。（1）判断三极管类型（NPN/PNP）；（2）确定各脚对应的电极（e、b、c）；（3）判断三极管的工作状态（放大/截止/饱和）。答案一、单项选择题1.C2.B3.C4.B5.B6.A7.C8.B9.B10.B11.A12.A13.A14.C15.C二、填空题1.PN结；单向导电性2.放大区；截止区；饱和区3.并联；反向4.基极；集电极5.增大；16.截止；饱和7.最大整流电流；最高反向工作电压；反向饱和电流（或其他合理参数）8.正；增大9.交流；脉动直流；减小输出电压的脉动程度10.射极跟随器；同相三、判断题1.×（需超过死区电压）2.×（β过大可能导致电路不稳定）3.√4.√5.×（减小）6.√7.√8.×（共基极输出电阻大）9.√10.√四、简答题1.伏安特性曲线分为正向特性和反向特性：（1）正向特性：①死区（电压小于死区电压，电流近似为0）；②正向导通区（电压超过死区电压后，电流随电压指数增长，硅管约0.7V，锗管约0.3V）。（2）反向特性：①反向截止区（反向电压小于击穿电压时，反向电流很小且基本不变）；②反向击穿区（反向电压超过击穿电压后，电流急剧增大，普通二极管会烧毁，稳压管可利用此特性稳压）。2.内部条件：①发射区掺杂浓度高（多子浓度大）；②基区薄且掺杂浓度低（减少复合）；③集电区面积大（利于收集载流子）。外部条件：发射结正偏（提供载流子注入动力），集电结反偏（建立电场收集载流子）。3.对二极管的影响：①温度升高，正向压降减小（约-2mV/℃）；②反向电流增大（温度每升10℃，反向电流约翻倍）。对三极管的影响：①β增大（约0.5%~1%/℃）；②ICBO增大（温度每升10℃，ICBO约翻倍）；③UBE减小（约-2mV/℃）。4.共射极：电压和电流放大能力强，输入输出反相，输入电阻中等，输出电阻较大；共集电极：电压放大倍数≈1（跟随特性），电流放大能力强，输入电阻大，输出电阻小，带负载能力强；共基极：电压放大能力强，电流放大倍数≈1，输入电阻小，输出电阻大，频率特性好。5.电容开路：滤波作用消失，输出为桥式整流的脉动直流电压，平均值约为0.9U2（无滤波时为0.9U2，原电容滤波时约1.2U2）；电容短路：整流二极管因电流过大被烧毁，输出电压近似为0（或电源短路）。五、综合题1.（1）U2有效值=20V，电容滤波时UO（AV）≈1.2U2=24V；（2）一只二极管开路，电路变为半波整流电容滤波，UO（AV）≈1.0U2=20V（或近似1.2U2但脉动增大）；（3）C减小，滤波效果变差，UO（AV）下降（约1.0~1.1U2）。2.（1）UB=VCC×Rb2/(Rb1+Rb2)=12×10/(30+10)=3V，UE=UB-UBEQ≈3V（忽略UBEQ时UE≈UB），IE=UE/Re=3/1=3mA，ICQ≈IE=3mA，IBQ=ICQ/β=3/50=0.06mA；UCEQ=VCC-ICQ(Rc+Re)=12-3×(3+1)=0V（此处假设UBEQ=0，实际应保留UBEQ=0.7V，UE=3-0.7=2.3V，IE=2.3/1=2.3mA，ICQ≈2.3mA，UCEQ=12-2.3×(3+1)=12-9.2=2.8V）；（2）微变等效电路：输入侧Rb1、Rb2并联后与rbe串联，输出侧Rc与负载并联（若有负载），受控源βIb；（3）Av=-β(Rc∥RL)/rbe（假设RL无穷大，A