GB/T 4937.37-2025半导体器件机械和气候试验方法第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T493737—2025/IEC60749-372022

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第37部分采用加速度计的板级跌落

:

试验方法

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part37Boardleveldrotestmethodusinanaccelerometer

:pg

IEC60749-372022IDT

(:,)

2025-12-31发布2026-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T493737—2025/IEC60749-372022

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅴ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

试验设备和器件

4…………………………2

试验程序

5…………………4

失效判据和失效分析

6……………………7

说明

7………………………7

附录资料性标准电路板结构材料设计和版图

A()、、…………………9

参考文献

……………………13

Ⅰ

GB/T493737—2025/IEC60749-372022

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件机械和气候试验方法的第部分已经发布了

GB/T4937《》37。GB/T4937

以下部分

:

第部分总则

———1:;

第部分低气压

———2:;

第部分外部目检

———3:;

第部分强加速稳态湿热试验

———4:(HAST);

第部分密封

———8:;

第部分机械冲击器件和组件

———10:;

第部分快速温度变化双液槽法

———11:;

第部分扫频振动

———12:;

第部分盐雾

———13:;

第部分引出端强度引线牢固性

———14:();

第部分通孔安装器件的耐焊接热

———15:;

第部分粒子碰撞噪声检测

———16:(PIND);

第部分中子辐照

———17:;

第部分电离辐射总剂量

———18:();

第部分芯片剪切强度

———19:;

第部分塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响

———20:;

第部分对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作包装标志和运输

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分键合强度

———22:;

第部分高温工作寿命

———23:;

第部分加速耐湿无偏置强加速应力试验

———24:;

第部分温度循环

———25:;

第部分静电放电敏感度测试人体模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分静电放电敏感度测试机器模型

———27:(ESD)(MM);

第部分闩锁试验

———29:;

第部分非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性内部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐湿无偏置高压蒸煮

———33:;

第部分功率循环

———34:;

第部分塑封电子元器件的声学显微镜检查

———35:;

第部分稳态加速度

———36:;

第部分采用加速度计的板级跌落试验方法

———37:;

第部分带存储的半导体器件的软错误试验方法

———38:;

Ⅲ

GB/T493737—2025/IEC60749-372022

.:

第部分半导体器件用有机材料的潮气扩散率和水溶解度测量

———39:;

第部分采用应变仪的板级跌落试验方法

———40:;

第部分温湿度贮存

———42:;

第部分半导体器件的中子辐照单粒子效应试验方法

———44:(SEE)。

本文件等同采用半导体器件机械与气候试验方法第部分采用加速度

IEC60749-37:2022《37:

计的板级跌落试验方法

》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所广州毅昌科技股份有限公司河北中电科

:、、

航检测技术服务有限公司安徽钜芯半导体科技有限公司广州海关技术中心广东仁懋电子有限公司

、、、。

本文件主要起草人高东阳魏兵陈汝文彭浩赵海龙裴选宋玉玺武利会曹孙根王英程

:、、、、、、、、、、

吴福娣蓝春浩仇亮

、、。

Ⅳ

GB/T493737—2025/IEC60749-372022

.:

引言

半导体器件是电子行业产业链中的通用基础产品为电子系统中的最基本单元半导

,,GB/T4937《

体器件机械和气候试验方法是半导体器件进行试验的基础性和通用性标准对于评价和考核半导体

》,

器件的质量和可靠性起着重要作用拟由个部分构成

。44。

第部分总则目的在于规定半导体器件机械和气候试验方法的通用准则

———1:。。

第部分低气压目的在于测定元器件和材料避免电击穿失效的能力

———2:。。

第部分外部目检目的在于验证半导体器件的材料设计结构标志和工艺质量是否符合

———3:。、、、

采购文件的要求

。

第部分强加速稳态湿热试验目的在于规定强加速稳态湿热试验以评

———4:(HAST)。(HAST),

价非气密封装半导体器件在潮湿环境下的可靠性

。

第部分稳态温湿度偏置寿命试验目的在于规定稳态温湿度偏置寿命试验以评价非气密

———5:。,

封装半导体器件在潮湿环境下的可靠性

。

第部分高温贮存目的在于在不施加电应力条件下确定高温贮存对半导体器件的影响

———6:。,。

第部分内部水汽测量和其他残余气体分析目的在于考核封装过程的质量并提供有关气

———7:。,

体在管壳内的长期化学稳定性的信息

。

第部分密封目的在于检测半导体器件的漏率

———8:。。

第部分标志耐久性目的在于对半导体器件上的标志耐久性进行试验和验证

———9:。。

第部分机械冲击目的在于确定半导体器件和印制板组件承受中等严酷程度冲击的适应

———10:。

能力

。

第部分快速温度变化双液槽法目的在于规定半导体器件的快速温度变化双液槽法

———11:。()

的试验程序失效判据等内容

、。

第部分扫频振动目的在于测定在规定频率范围内振动对半导体器件的影响

———12:。,。

第部分盐雾目的在于确定半导体器件耐腐蚀的能力

———13:。。

第部分引出端强度引线牢固性目的在于测定半导体器件引线封装界面和引线的牢

———14:()。/

固性

。

第部分通孔安装器件的耐焊接热目的在于确定通孔安装的固态封装半导体器件承受波

———15:。

峰焊或烙铁焊接引线产生的热应力的能力

。

第部分粒子碰撞噪声检测目的在于规定空腔器件内存在自由粒子的检测方法

———16:(PIND)。。

第部分中子辐照目的在于测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性

———17:。。

第部分电离辐射总剂量目的在于提供了评估低剂量率电离辐射对半导体器件作用的

———18:()。

加速退火试验方法

。

第部分芯片剪切强度目的在于确定半导体芯片安装在管座或基板上所使用的材料和工

———19:。

艺步骤的完整性

。

第部分塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响目的在于通过模拟贮存在仓库或干

———20:。

燥包装环境中定了塑封表面安装半导体器件吸收的潮气进而对其进行耐焊接热性能的评价

,。

第部分对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作包装标志和运输目的

———20-1:、、。

在于为对潮湿和焊接热综合影响敏感的塑封表面安装半导体器件承制方和用户提供操作包

、

装运输和使用的方法

、。

第部分可焊性目的在于规定了采用铅锡焊料或无铅焊料进行焊接的元器件封装引出端

———21:。

Ⅴ

GB/T493737—2025/IEC60749-372022

.:

的可焊性试验程序

。

第部分键合强度目的在于测量键合强度或确定键合强度是否满足规定的要求

———22:。。

第部分高温工作寿命目的在于规定随时间的推移偏置条件和温度对固态器件影响的

———23:。,

试验方法

。

第部分加速耐湿无偏置强加速应力试验目的在于评价非气密封装固态器件在潮湿环

———24:。

境下的可靠性

。

第部分温度循环目的在于确定半导体器件元件及电路板组件承受由极限高温和极限

———25:。、

低温交变作用引发机械应力的能力

。

第部分静电放电敏感度测试人体模型目的在于建立一种能够复现

———26:(ESD)(HBM)。

失效的测试方法以提供可靠可重复的测试结果

HBM,、HBMESD。

第部分静电放电敏感度测试机器模型目的在于建立一种能够复现

———27:(ESD)(MM)。MM

失效的测试方法以提供可靠可重复的测试结果

,、MMESD。

第部分静电放电敏感度测试带电器件模型器件级目的在于建立一种

———28:(ESD)(CDM)。

能够复现失效的测试方法以提供可靠可重复的测试结果

CDM,、CDMESD。

第部分闩锁试验目的在于建立一种判断集成电路闩锁特性的方法和规定闩锁的失效

———29:。

判据

。

第部分非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理目的在于规定非密封表面安装器

———30:。

件在可靠性试验前预处理的标准程序

。

第部分塑封器件的易燃性内部引起的目的在于确定塑封器件是否由于过负荷引起内

———31:()。

部发热而燃烧

。

第部分塑封器件的易燃性外部引起的目的在于确定塑封器件是否由于外部发热造成

———32:()。

燃烧

。

第部分加速耐湿无偏置高压蒸煮目的在于确认半导体器件封装内部失效机理

———33:。。

第部分功率循环目的在于通过对半导体器件内部芯片和连接器施加循环功率损耗来确

———34:。

定半导体器件耐热和机械应力能力

。

第部分塑封电子元器件的声学显微镜检查目的在于提供一种使用声学显微镜对塑封电

———35:。

子元器件进行缺陷分层裂纹空洞等检测的方法

(、、)。

第部分稳态加速度目的在于规定空腔半导体器件稳态加速度的试验方法以检测其结

———36:。,

构和机械类型的缺陷

。

第部分采用加速度计的板级跌落试验方法目的在于规定采用加速度计的板级跌落试验

———37:。

方法对表面安装器件跌落试验可重复评估同时复现产品级试验期间常见的失效模式

,,。

第部分带存储的半导体器件的软错误试验方法目的在于确立了带存储的半导体器件工

———38:。

作在高能粒子环境下如阿尔法辐射的软错误敏感性的试验方法

()。

第部分半导体器件用有机材料的潮气扩散率和水溶解度测量目的在于确立了应用于半

———39:。

导体器件封装用有机材料的潮气扩散率和水溶解度的测量方法

。

第部分采用应变仪的板级跌落试验方法目的在于规定采用应变仪的板级跌落试验方

———40:。

法对表面安装器件跌落试验可重复评估同时复现产品级试验期间常见的失效模式

,,。

第部分非易失性存储器可靠性试验方法目的在于系统地规定了非易失性存储器有效耐

———41:。

久性数据保持和温度循环试验的要求

、。

第部分温湿度贮存目的在于规定了评价半导体器件耐高温高湿环境能力的试验方法

———42:。。

第部分半导体器件的中子辐照单粒子效应试验方法目的在于确立了一种测量高

———44:(SEE)。

密度集成电路单粒子效应的试验方法

(SEE)。

所有部分一一对应采用所有部分以保证半导体器件试验方法与国际标

GB/T4937()IEC60749(),

Ⅵ

GB/T493737—2025/IEC60749-372022

.:

准一致实现半导体器件检验方法可靠性评价质量水平与国际接轨通过制定该系列标

,、、。

准确定统一的试验方法及应力评价半导体器件的环境适应性对半导体器件的研究生产

,,,、、

检验和使用具有重要意义同时补充完善半导体器件标准体系为半导体器件行业的发展起到

,,

指导作用

。

Ⅶ

GB/T493737—2025/IEC60749-372022

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第37部分采用加速度计的板级跌落

:

试验方法

1范围

本文件描述了一个在加速试验环境中评估和比较手持电子产品中表面安装器件跌落性能的试验方

法跌落试验过程中电路板过大弯曲会引起电子产品的失效本文件目的是使试验电路板和试验方法

,。

标准化能提供对表面安装器件跌落试验的可重复评估使在产品级测试中可得到相同的失效模式

,,。

本文件规定了一个标准的试验方法和报告要求本文件与器件鉴定试验判定手持电子产品合格

。、

与否的系统级跌落试验模拟运输和搬运器件或印制电路板组件产生的相关振动试验不同例如

、,

中规定了这些试验的方法要求本方法适用于面阵列封装和四边引线表面安装

GB/T4937.10—2025。

封装

。

本试验方法使用加速度计测量机械冲击的持续时间和振幅振幅与安