存储行业深度跟踪：长鑫IPO募投拉动产能升级把握存储产业链自主可控机遇

一、长营与润增长大金期产资本股资 41、鑫全第大DRAM厂核产涵盖DDR5LPDDR5/5X等 42、收比续增润受于储价幅善 5二、三产协优品结，投目势一代术坚 81、大产地于G3/G4协布，计2026年三产全达产 82、投295亿用级改及瞻发有拉动产备料导入 8三、资议 10图表目录图1：长科产布及发历程 4图2：公股架构 5图3：司2022-2025E营业入（2025营预测值） 6图4：公分品收比情况 6图5：公分游用收占情况 6图6：公毛率况 7图7：公期费率况 7图8：司2022-2025E归母利（2025年测中） 7图9：公扣归净润（2025年预中） 7图10：电子业史PEBand 11图11：电子业史PBBand 11表1：公主生厂区 8表2：公募项目 9表3：长链细领上市司理 10资本持股投资资本持股投资1、长鑫是全球第四大DRAM原厂，核心产品涵盖DDR5、LPDDR5/5X等长鑫科技专注DRAM产品研发与制造，已成为中国第一、全球第四大DRAM厂商。公司从2016年成立以来便专注DRAM研发与生产，通过跳代研发策略实现了从第一代到第四代工艺平台的快速更迭，核心产品涵盖DDR5、LPDDR5/5XOmdiaDRAM12EDADRAM公司加快产品与服务迭代更新，构建起覆盖全场景的DRAM产品体系。2019年9月，公司推出8GbDDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业从零到一的重大突破，并快速进行产品迭代，现已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，并可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化产品方案，有效满足服务器、个人电脑、移动设备等市场需求。图1：长鑫科技产品布局及发展历程长鑫科技招股说明书DRAM140.682025695%。图2：公司股权架构长鑫科技招股说明书2、营收同比持续高增，利润受益于存储涨价大幅改善2022-2024CAR达70804年营收218166.7，主要系1）公司产能建设与工艺迭代等带来公司产量与销量的迅速增长。2022-2024年公司主要DRAM产品CAGR高达82.34%，实现快速增长，总体呈现供不应求的状态。同时公司持续加大产能建设，陆续搭建第一代、第三代、第四代并持续迭代的工艺平台；2）DRAM市场需求旺盛。随着服务器、智能汽车等下游市场的快速发展显著提升对DRAM的需求，同时中国是全球主要的DRAM需求大国之一，三星电子、海力士、美光等国际厂商占据主要市场份额，自主开发空间广阔，公司目前已成为国内最大的DRAMIDM企业；3）加深头部客户合作，持续优化产品结构。公司成功进入阿里云、腾讯、字节等行业头部客户供应链，同时持续优化产品结构，LPDDR5、DDR5、LPDDR5X等产品在中高端市场渗透率快速提高。随着公司营收规模持续增长、产品结构持续优化，叠加2025下半年DRAM产品价格的快速上涨，公司营收加速增长，2025Q1-3公司营收320.8497.79%2025550-5803362542916296210.%/环比+46.68%。图3：公司2022-2025E营业收入（2025年营收为预测中值）0

营业收入 同比2022 2023 2024

200%150%100%50%0%公告25H1LPDDR2025年DDR5放量带动DDR系列营收占比快速提升。DRAMDDRLPDDRLPDDR2024DDR52025DDRLPDDRDDR5ADAS图4：公司分产品营收比情况 图5：公司分下游应用收占比情况0%

DDR系列 LPDDR系列 其他2.395.3042.4479.3774.542.395.3042.4479.3774.5469.7482.7418.2420.1613.2627.82

0%

服务器 移动设备 个人电脑 智能汽车 其他24.990.7825.620.0112.490.771.5924.990.7825.620.0112.490.771.599.500.122.235.1664.4376.7771.8364.622.404.608.3923.72公告 公告公司25Q4毛利率将大幅提升至40%2022-2023202420252025年下半年来DRAM3440%以上。年将维持较高水平。图6：公司毛利率情况 图7：公司期间费用率况15%10%5%0%-5%

毛利率2022 2023 2024 2025H1

0%

销售费用率 管理费用率 研发费用财务费用率 期间费用率2022 2023 2024 2025H1公告 公告202520262023202620272025-16至-6亿25Q436.8-46.8202528-3038.6-40.6图8：公司2022-2025E归母净利润（2025年为测中值） 图9：公司扣非归母净润（2025年为预测中值）0

2022公告

2023

2024

2025E

500

2022 2023 2024 2025E公告二、三大产线协同优化产品结构，募投项目蓄势下二、三大产线协同优化产品结构，募投项目蓄势下一代技术攻坚1、三大生产基地基于G3/G4协同布局，预计2026年三厂产能全部达产12寸DRAMDDR4LPDDR4X20222023DDR4LPDDR4X2024DDR4LPDDR4XLPDDR5/5X及DDR5等产品，其中DDR5预计2026年三厂产能全部达产。公司将相关工艺技术平台从合肥一期生产线扩2023LPDDR4X、LPDDR5DDR5品，20242025LPDDR5X2025厂区主要生产产品合肥一期2022-2023厂区主要生产产品合肥一期2022-2023年主要用于生产DDR4与LPDDR4X产品，2024年起产能转移至LPDDR4X、LPDDR5/5X、DDR5等合肥二期2024年开始量产，主要生产LPDDR4X、LPDDR5X等产品北京2023年开始量产，主要生产LPDDR4X、LPDDR5、DDR5等产品长鑫科技第二轮问询函2、募投295亿元用于升级改造及前瞻研发，有望拉动国产设备材料等导入公司本次计划募集资金295造量产线技术升级改造项目主要用于逐步实现向中高端产品生产线工艺技术的2027DRAMDRAM2027DRAM2026年12DRAM1212项目名称项目投资金额拟使用募集资金金额验收时间存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目项目名称项目投资金额拟使用募集资金金额验收时间存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目75亿元75亿元2028年上半年DRAM存储器技术升级项目180亿元130亿元2028年上半年动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目90亿元90亿元2028年12月前完成前瞻技术平台工艺与架构的完善长鑫科技招股说明书三、投资建议 25Q2长鑫存储占全球份额约4%DDR5126-271-N95%，DRAMDRAMEUV1C4F2+CBADRAM3DDRAM为3DDRAM细分领域标的设备份、芯源微、精测电子、精智达、矽电股份等材料细分领域标的设备份、芯源微、精测电子、精智达、矽电股份等材料子、神工股份、艾森股份等代工中芯国际、华虹公司、晶合集成、燕东微等封测长电科技、通富微电、华天科技、汇成股份、甬矽电子等存储兆易创新、江波龙、东芯股份、佰维存储、德明利、北京君正、深科技等整理图10：电子行业历史PEBand 图电子行业历史PBBand3500300025002000150010005000Jan/24 Jul/24 Jan/25 Jul/25

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