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文档简介
变频器系统中下变频模块的设计案例变频器系统中下变频模块的设计案例 11.1下变频模块技术指标 11.2方案设计 2 31.3.2混频器 41.3.3中频放大器 41.4下变频通道指标分析 51.4.1杂散指标分析 5 61.4.31dB压缩点指标分析 7 71.6下变频通道的实现和测试 1.7下变频通道的测试结果 91.8小结 下变频模块主要由本振源单元、下变频单元、控制单元和电源单元组成,利用宽带本振源实现将23.5-30.5GHz的射频频率下变频到3-6GHz中频信号。与上变频设计一样,下变频单元也是两路,下变频选频组件的主要考虑滤除下变频过程出现的镜像信号。1.1下变频模块技术指标1)射频输入频率:23.5~30.5GHz;2)增益:50dB;4)输出频率范围:4.5GHz±1GHz;6)带内平坦度:≤±3dB@BW=3GHz;9)噪声系数:≤7dB(满增益时)10)相位噪声:,-90dBc/Hz@100KHz;-100dBc/Hz@1MHz11)工作温度:-45~+80℃;12)工作电压:12V±1V,5V±0.3V,-5V±0.3V标,本文提出了如图1.1所示的设计方案,本方案同前上变频模块一样采用了MMIC单片混合集成平面电路进行设计实现小型化。下变频通道链路参见图1.1上下变频器组成框图。首先在射频信号输入部分HMC-ALH369ILA-1840GHMC560HKC1840HMC1122HMC1840HMC1122以要求整个模块的增益在大约55dB左右才能满足指标要求。由于产品小型化在同型号的高增益高P-1放大器,能够实现指标中1dB压缩点要求。1.3下变频通道关键器件有芯片市场中很少有高频率超宽带噪声系数优异的芯片,发现ADI公司的一款HMC-XXX的芯片,此器件工作频段在24GHz-40GHz,虽芯片低频段未能达到此产品的23.5GHz频率,通过单独测试此器件用于23.5GHz频点时不影响产品性能,此放大器可提供22dB的增益,有这优异的噪声系数,噪声值为2dB,并且HMC-XXX放大器芯片是集成到多芯片模块的理想选择。图1.242为主要参数。求功率不压缩,射频放大部分级联3级放大器,需在每级放大器间放置固定衰减器。前两级放置HMC-XXX同型号的低噪声放大器,末级低噪声放大器选用了带低噪声放大器芯片,频率范围覆盖18GHz~40GHz,小信号增益11dB,带内噪声系数2.9dB。回波损耗高达25dB,保证了输入驻波系数。输出P-1为15dB,ILA-XXX采用正5V供电。图1.343为典型参数曲线图。图1.3ILA-XXX典型参数曲线相同,在上一章节已经详细介绍了。本振功率为13dBm驱动混频器时,本振与射频端□隔离度达35dB,可以有效的抑制本振反向泄漏带来的杂散。指标要求输出1dB压缩点功率>15dBm,假设射频输入功率为-20dBm,由设计方案可计P=-20dBm-3dB+17dB+17dB+11dB-10dB-3dB-9dB=1dBm,从芯片资料中可知芯片最大可承受射频输入功率为11dBm,完全可以满足该要求。器与上变频单元一样采用了ADI公司的HMCXXX,其在工作频率范围内提供块后,增益仅为8dBm,而整体增益需要55dB,为了补偿通道增益中频放大部分需要47dB,同时需要保证系统的动态范围,在级联放大器之间放置ADI公司的一款数控衰减器芯片HMCXXX,为了不会使得放大器饱和,而恶化通道的杂1.4下变频通道指标分析单元相对简单,本振信号泄露频率和低阶的交调杂波都距离中频输出频率较远。同上变频单元一样,本文Agilent公司提供的互调分量分析软件APPCAD中“MixerSpur”对混频器的输出产物进行俩了分析。图1.4、1.5以及1.6展示小方框内的互调分量均在五阶以上,相对于所需的混频产物LO+IF,其抑制度均在100dBc以上,需要注意的是超外差接收机固有的镜像频率干扰镜像频率与射频频率相差两个中频频率,方案选择了23.5~26.5GHz、21.5~28.5GHz、27.5~30.5GHz三个滤波通道进行选频,以23.5~26.5GHz通道为例,本振为20.5GHz,镜像频率为LO-IF=16GHz,离射频输出信号较远,只要设计性能优良6图1.521.5-28.5GHz下变频混频输出M*N谐波图Nole:Frequencyunritsconistent.Displaydecmalplaces图1.627.5-30.5GHz下变频混频输出M*N谐波图如图1.1所示,在方案中可以看到射频频链路设计了一个3级放大器级联的放大链路,根据数据手册可以悉知RF低噪声放大器HMC-XXX能提供17dB的增益,,后进过开关滤波组,由于高频率高指标滤波器采用腔体滤波器,根据经验预计2dB的插入损耗。信号进入混频模块,混频器HMC560由数据手册可知变频损耗10dB,经过混频模块,将射频信号搬移至中频信号,中频放大链路增益,信号输出端口预留衰减匹配位置,通过上述简单分析,应用SysCalc4射频电路计算软件,最后总的通道增益为50dB,满足指标所要求的50dB通道增图1.7下变频链路计算1dB压缩点的指标要求为>15dBm。由前文介绍,低噪声放大器HMC-XXX的输出1dB压缩点约10dBm,假设射频信号功率为-30dBm,经过放衰电电路后,通过一级的开关滤波组后,输入给混频器的最大功率约-7dBm。而混频器HMC560在我们需要的23.5~30.5GHz,即使是在+85℃高温情况下输入1dB压缩点最差也有10dBm,那么考虑到8dB的变频损耗,混频器最大可输出1dBm考虑到混频器与中频一级放大器之间2dB左右的滤波器的插损衰减,理论上第一级HMCXXX刚好可以输出8dBm的功率。而级联放大器之间还有两个数控衰减器,可知此功率会一直工作在线性放大区。算上最末级2dB的贴片固定衰件器,最终1dB压缩点会大于17dBm,完全可以满足指标要求。滤除。由3.3.4.2节的杂散分析可以得出滤波器带外需要至少提供额外的50dBc抑制度来达到通道的杂散抑制指标。综合以上考虑,设计的滤波器中心频率为4.5GHz,带宽3GHz。为了达到系统的平坦度要求,因此在设计时将带内平坦度定为小于3dB,滤波器驻波为1.5,减小调试驻波系数难度。由于技术上的问题,图1.8给出了经过前期分析准备以及设计后最终得到的一体化变频组件实物厚度为0.508mm的Rogers5880厚基片,射频信号放大模块应频率较高,使用输入端口均采用西安华普高质量SMA-K接头,为了减少传输损耗。另外,在组图1.8中频放大模块下变频单元射频放大电路图1.9射频放大模块本次测试环境我们使用了罗德与施瓦茨公司出品的频谱分析仪FSV40,输入射频信号我们使用了安捷伦公司出品的83640B信号源,此设备输出频率范围10MHz-40GHz,完全覆盖了23.5-30.5GHz,矢量网络分析仪我们使用安捷伦公司出品的N5230C型号。在测试时需要注意的保持测试环境符合设备正常使用的范围,所有参与测试的陪测设备和测量仪器均工作正常,属于必须要校准的设备处于已校准状态。。在测试过程中,测试人员需着防静电工作服,带防静电手腕,做好静电防护等。根据设计指标测试产品的输出带内平坦度,测试方案框图如下:首先将待测件的输入端连接信号源,输出端接频谱仪的输入端;测试数据较多,以性能较差的通道为例,设置信号源的频率范围为23.5-26.5GHz待测件工作频率,然后将信号源设置为扫频模式,将信号源的输出电平设置为-50dBm,通过PC机将变频模块设置为通道级(高增益模式),记录频谱仪上对应输出电平在对应带宽内的最大值与最小值,其差值应满足技术指标在3GHz带宽内,波动小于3dB。测试数据如下图1.10中频输出3GHz带宽平坦度如上图1.9所示,3GHz带宽平坦度为4dB,虽然测试结果没有达到指标要求,但对下变频模块的整体性能影响不大,不影响其产品使用。根据设计指标测试产品的三阶截断点,测试方案框图如下:根据设计指标测试产品的镜像抑制,测试方案框图如下:将信号源连接待测件的射频输入端,选取中心工作频点设置为信号源的输出频率,测试镜像抑制要求输入电平Pin为-50dBm高增益模式,待测件的中频输出端接频谱分析仪的输入端口;读出频谱分析仪频谱仪中频输出信号电平P1;设置为信号源的输出频率为所选频点的镜像频率(fLo-fir),输出电平Pin为-50dBm(高增益模式);读取频谱分析仪此时的输出信号电平P₂;计算P₁-P₂得出镜频抑制。,通过PC机切换到27.5-30.5GHz通道,由于频点较多,测试点选择为28GHz,本振为24.5GHz,根据公式计算得出镜像频率为24GHz,.测试数据如下图1.11、1.12:图1.1128GHz频点输出功率CF3.5GHz图1.1221GHz频点输出功率技术指标中镜像抑制要求大于等于40dBc,由上图测试得出镜像抑制为63dBc,符合技术指标要求。根据设计指标测试产品交调抑制。测试方案框图如下:频率fRF,输出电平Pin为-50dBm(高增益模式)/OdBm(低增益模式),记录本振频率fuo,待测件的中频输出端接频谱分析仪的输入端口;读出频谱分析仪频读取频谱分析仪此时的输出信号电平P₂;计算P₂-P₁得出三阶交调抑制,并记录。设置为频谱仪的频率为所fir3(2fRF-2fLo);读取频谱分析仪此时的输出信号电平P₃;计算P₃-P1得出四阶交调抑制,并记录。现选择射频24GHz频点、本RefLevel20.00demCF3.5GHz图1.13中频输出电平P1M1[1]图1.1417GHz输出信号电平P₃RefLevel-10.00demp1c图1.157GHz输出信号电平P₃技术指标中交调抑制要求大于等于50dBc,根据上图测试可得出三阶交调为85dBc,四阶交调为45dBc,均符合技术指标。根据设计指标测试本振外泄电平。测试方案框图如下:率;记录频谱仪上本振频率频点幅度的最大值,内置本振功率为+13dBm,计算图1.1620.5GHz频点本振外泄电平技术指标中本振外泄要求大于等于70dBc,根据上图测试得出本振外泄92dBc。根据设计指标测试噪声系数,测试方案框图如下:对接收电路的噪声系数进行测试时,需要校准噪声系数测试仪,为了获得更高的测量精确性,噪声系数测试仪应预热一个小时以上。其中抖动是测量噪声产生一种自然现象,在对噪声系数测试仪进行设置时必须增加平均值数目或者增加带减小抖动。测试数据如下表:表1声系数测试数据高增益通道(接收)高增益通
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