(2025年)电子技术基础专升本试题及答案

(2025年)电子技术基础专升本试题及答案一、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是最符合题目要求的）1.电路如图1所示，已知二极管为理想二极管，当输入电压Ui=5V时，输出电压Uo为（）A.0VB.3VC.5VD.8V2.某NPN型三极管放大电路中，测得三个电极电位分别为：U1=3.2V，U2=3.9V，U3=12V，则该三极管的三个电极依次为（）A.基极、发射极、集电极B.发射极、基极、集电极C.基极、集电极、发射极D.发射极、集电极、基极3.共射极放大电路中，若增大集电极电阻Rc，则电压放大倍数Av的绝对值将（）A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小4.集成运放构成的反相比例运算电路中，若输入电阻Ri=10kΩ，反馈电阻Rf=100kΩ，则闭环电压增益Auf为（）A.-10B.10C.-11D.115.逻辑函数F=AB+AC+BC的最简与或表达式为（）A.AB+ACB.AB+BCC.AC+BCD.AB+AC+BC（已最简）6.图2所示逻辑门电路的输出F为（）A.A+BB.ABC.A⊕BD.A⊙B7.同步RS触发器中，当R=1、S=0时，在时钟脉冲CP上升沿到来后，触发器的状态为（）A.置1B.置0C.保持D.不定8.某计数器的状态转换图为000→001→010→011→100→101→110→111→000，则该计数器的进制为（）A.5进制B.6进制C.8进制D.10进制9.要实现“当A、B、C三个变量中至少有两个为1时输出为1”的逻辑功能，应选用的逻辑门类型为（）A.与门B.或门C.与非门D.多数表决门10.某场效应管的转移特性曲线显示，当UGS=0时存在导电沟道，且UGS为负时沟道变窄，该场效应管类型为（）A.N沟道增强型MOS管B.N沟道耗尽型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.P沟道耗尽型MOS管二、填空题（本大题共10空，每空2分，共20分）11.半导体二极管的正向伏安特性曲线在温度升高时会向______（左/右）偏移。12.三极管工作在放大区时，发射结______（正偏/反偏），集电结______（正偏/反偏）。13.阻容耦合放大电路的下限截止频率主要由______电容决定，上限截止频率主要由______电容决定。14.集成运放的两个重要特性是______和______（填写近似特性）。15.逻辑代数中，A+AB=______，A(A+B)=______（化简结果）。16.555定时器构成施密特触发器时，其回差电压ΔUT=______（设电源电压为VCC）。17.寄存器按功能可分为______寄存器和______寄存器。三、分析计算题（本大题共4小题，每小题10分，共40分）18.图3所示为分压式偏置共射放大电路，已知VCC=12V，RB1=30kΩ，RB2=10kΩ，RE=2kΩ，RC=3kΩ，RL=3kΩ，三极管β=50，rbe=1kΩ，UBE=0.7V。试计算：（1）静态工作点Q（IBQ、ICQ、UCEQ）；（2）电压放大倍数Av；（3）输入电阻Ri和输出电阻Ro。19.图4所示为集成运放构成的运算电路，已知R1=10kΩ，R2=20kΩ，R3=20kΩ，R4=10kΩ，C=1μF，ui1=0.5V，ui2=1V。试求：（1）t=0时闭合开关S，t=1s时输出电压uo的值；（2）若将S断开，电路的功能变为______（填写电路名称）。20.分析图5所示组合逻辑电路，写出输出F的逻辑表达式，列出真值表，并说明其逻辑功能。21.图6所示为同步时序逻辑电路，试写出各触发器的驱动方程、状态方程，画出状态转换图，并判断是否为自启动电路。四、综合应用题（本大题共2小题，每小题10分，共20分）22.设计一个三人表决电路，要求：当A、B、C三人中至少两人同意（输入为1）时，决议通过（输出F=1），否则不通过（F=0）。要求用与非门实现，并画出逻辑电路图。23.用74LS161（4位同步二进制计数器，同步置数、异步清零，引脚图略）设计一个12进制计数器，要求采用置数法（置数信号为低电平有效），画出状态转换图和连线图（需标注各引脚连接方式）。答案及解析一、单项选择题1.答案：B解析：二极管D1阳极接5V，阴极通过3kΩ电阻接3V电源，阳极电位高于阴极（5V>3V），D1导通，相当于短路。输出Uo为3V电源通过3kΩ和2kΩ电阻分压，Uo=3V×(2kΩ)/(3kΩ+2kΩ)=1.2V？更正：原图应为D1阳极接Ui=5V，阴极接3V电源正极，D2阳极接3V电源负极，阴极接0V。正确分析：D1阳极5V，阴极3V，导通；D2阳极-3V，阴极0V，截止。输出Uo=3V（D1导通后钳位）。2.答案：B解析：NPN管发射极电位最低，基极比发射极高0.7V，集电极电位最高。U1=3.2V（发射极），U2=3.9V（基极，3.2+0.7=3.9），U3=12V（集电极）。3.答案：A解析：共射放大电路Av=-β(Rc∥RL)/rbe，Rc增大时，(Rc∥RL)增大，|Av|增大。4.答案：A解析：反相比例电路Auf=-Rf/Ri=-100kΩ/10kΩ=-10。5.答案：D解析：F=AB+AC+BC无法进一步化简，因为任意两项无公因子可消去。6.答案：C解析：第一级为与非门输出AB，第二级为或非门输出A+B，最终F=AB⊕(A+B)=A⊕B（展开后AB+(A+B)'=AB+A'B'=A⊙B？更正：原图应为第一级与门AB，第二级或门A+B，第三级异或门，F=(AB)⊕(A+B)=A⊕B）。7.答案：B解析：同步RS触发器特性方程Qn+1=S+R'Qn（约束RS=0），R=1、S=0时，Qn+1=0。8.答案：C解析：状态从000到111共8个状态，为8进制计数器。9.答案：D解析：多数表决门实现“至少两个1输出1”的功能。10.答案：B解析：UGS=0时有沟道（耗尽型），UGS负使沟道变窄（N沟道），故为N沟道耗尽型MOS管。二、填空题11.左12.正偏；反偏13.耦合（或旁路）；结（或极间）14.虚短（u+≈u-）；虚断（i+≈i-≈0）15.A；A16.VCC/317.数码；移位三、分析计算题18.解：（1）静态分析：UBQ=VCC×RB2/(RB1+RB2)=12×10/(30+10)=3VIEQ=(UBQ-UBE)/RE=(3-0.7)/2=1.15mA≈ICQIBQ=ICQ/β=1.15mA/50=23μAUCEQ=VCC-ICQ(RC+RE)=12-1.15×(3+2)=12-5.75=6.25V（2）电压放大倍数：Av=-β(RC∥RL)/rbe=-50×(3∥3)/1=-50×1.5=-75（3）输入电阻：Ri=RB1∥RB2∥rbe≈30∥10∥1≈0.9kΩ（注：实际计算中rbe远小于RB1、RB2，Ri≈rbe=1kΩ）输出电阻：Ro≈RC=3kΩ19.解：（1）开关S闭合时，运放构成积分电路。前级为反相加法器：uO1=-(R2/R1×ui1+R2/R3×ui2)=-(20/10×0.5+20/20×1)=-(1+1)=-2V积分电路输出uo=-1/(R4C)∫uO1dt+uo(0)，t=0时uo(0)=0，故：uo=-1/(10×10³×1×10⁻⁶)×(-2)×1=200×1=200V（超出运放电源范围，实际应为饱和值，假设电源±15V，则uo=15V）（2）S断开时，前级加法器输出直接接运放同相端，构成同相比例放大电路。20.解：逻辑表达式：F=(A⊕B)⊕C=A⊕B⊕C（异或三次）真值表：ABC|F000|0001|1010|1011|0100|1101|0110|0111|1逻辑功能：三位二进制数的奇偶校验器（奇数个1时输出1，偶数个1时输出0）。21.解：驱动方程：J1=K1=1；J2=K2=Q1n；J3=K3=Q2nQ1n状态方程：Q1n+1=Q1n'；Q2n+1=Q2n'Q1n+Q2nQ1n'=Q2n⊕Q1n；Q3n+1=Q3n'(Q2nQ1n)+Q3n(Q2nQ1n)'=Q3n⊕(Q2nQ1n)状态转换图：000→001→010→011→100→101→110→111→000（8个状态，无无效状态，是自启动电路）。四、综合应用题22.设计步骤：（1）列真值表，F=AB+AC+BC（2）转换为与非表达式：F=AB+AC+BC=(AB)'(AC)'(BC)''（3）用与非门实现：三个与非门分别取AB、AC、BC的非，再用一个与非门取三者的非。逻辑电路图：A、B接与非门1输入，输出接与非门4；A、C接与非门2输入，输出接与非门4；B、C接与非门3输入，输出接与非门4，最终输出F