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文档简介

无损检测考试题库(含答案)一、单项选择题(每题2分,共30分)1.在超声检测中,当纵波垂直入射到钢/水界面时,声压反射系数最接近下列哪一数值?(钢Z₁=46×10⁶kg·m⁻²·s⁻¹,水Z₂=1.5×10⁶kg·m⁻²·s⁻¹)A.0.94  B.0.88  C.0.75  D.0.50答案:A解析:声压反射系数=故选A。2.射线照相中,欲使几何不清晰度U_g减半,应将焦点至工件距离FPD(Focus‐to‐ObjectDistance)增大到原来的A.1.4倍  B.2倍  C.2.8倍  D.4倍答案:B解析:U_g∝1/FPD,减半需FPD加倍。3.磁粉检测时,若改用荧光磁粉,其检测灵敏度提高的主要原因是A.磁导率增大  B.颗粒尺寸减小  C.视觉对比度提高  D.剩磁变大答案:C解析:荧光磁粉在紫外光下对比度显著增强,可发现更细微缺陷。4.渗透检测中,乳化时间过短最可能导致A.背景过清洗  B.缺陷漏检  C.虚假显示  D.干燥不良答案:B解析:乳化不足,多余渗透剂无法被洗净,缺陷内渗透剂被带走,造成漏检。5.涡流检测时,若提高激励频率f,则标准渗透深度δ的变化规律为A.δ∝f  B.δ∝√f  C.δ∝1/√f  D.δ∝1/f答案:C解析:经典趋肤深度公式δ故δ与1/√f成正比。6.在TOFD技术中,两探头中心距2S固定,若板厚t加倍,则直通波与底面反射波时间间隔Δt将A.减半  B.不变  C.加倍  D.变为4倍答案:C解析:Δt≈2t/v,t加倍则Δt加倍。7.射线实时成像系统中,图像增强器输入屏的厚度主要影响A.对比度  B.亮度  C.分辨率  D.放大倍数答案:C解析:输入屏越厚,散射增大,分辨率下降。8.超声探头的“近场长度”N与晶片直径D、波长λ的关系为A.N=D²/4λ  B.N=D²/λ  C.N=4D²/λ  D.N=λ/D²答案:A解析:经典近场公式N9.磁轭法检测角焊缝时,磁极间距一般推荐为A.25–50mm  B.50–150mm  C.150–300mm  D.300–500mm答案:B解析:间距过小磁粉堆积,过大磁场强度不足。10.在数字射线DR中,DQE(DetectiveQuantumEfficiency)主要衡量A.空间分辨率  B.对比度噪声比  C.探测器对光子利用效率  D.动态范围答案:C解析:DQE反映探测器对输入量子噪声的利用效率。11.渗透检测中,显像剂层厚度对显示的影响,下列说法正确的是A.越厚越好  B.越薄越好  C.存在最佳厚度  D.无影响答案:C解析:过厚掩盖显示,过薄吸出不足,存在最佳厚度约0.05–0.1mm。12.超声检测时,若材料衰减系数α=0.02dB/mm,声程200mm,则衰减导致的回波降幅为A.2dB  B.4dB  C.6dB  D.8dB答案:B解析:往返声程400mm,衰减0.02×400=8dB,但题干问“回波降幅”即单程,故0.02×200=4dB。13.射线照相中,采用“高KV技术”的主要目的是A.提高对比度  B.缩短曝光时间  C.减小散射  D.提高分辨率答案:B解析:高KV提高穿透力,可缩短曝光时间,但对比度下降。14.在涡流检测中,填充系数η定义为A.探头阻抗/材料阻抗  B.探头填满程度  C.材料电导率/探头电导率  D.探头与试样耦合系数答案:B解析:η=(探头有效面积/试样截面积)×100%,反映几何填充程度。15.磁粉检测中,若改用湿法连续法,其灵敏度比干法连续法A.低  B.相同  C.高  D.无法比较答案:C解析:湿法磁粉颗粒更细,悬浮性好,可发现更小缺陷。二、判断题(每题1分,共10分)16.超声横波不能在液体中传播。 (√)17.射线照相中,增大胶片梯度G可提高最小可识别对比度ΔD_min。 (√)18.渗透检测对多孔材料同样适用。 (×)19.涡流检测可区分表面裂纹与内部夹杂。 (×)20.TOFD技术无需探头扫描即可成像。 (×)21.磁粉检测时,交流电磁化比直流电更易发现近表面缺陷。 (×)22.数字射线CR的IP板可重复使用上万次。 (√)23.超声检测中,当缺陷尺寸小于λ/2时,回波高度与缺陷面积成正比。 (×)24.射线实时成像的图像滞后现象与磷光体余辉有关。 (√)25.渗透检测的乳化剂HLB值越高,亲油性越强。 (×)三、填空题(每空2分,共20分)26.超声近场区声压剧烈波动,其末端距离N=______。答案:D²/4λ27.射线照相中,曝光量E=I·t,若管电流I增大到3倍,时间t减小到1/3,则黑度D______。答案:不变(E不变)28.磁粉检测时,周向磁化电流I(A)与工件直径D(mm)的经验公式为I=______。答案:I=25–30D29.涡流检测中,特征频率f_g=______(写出公式)。答案:=30.渗透检测的显像时间一般不少于______min。答案:1031.TOFD中,缺陷深度d=______(已知两探头中心距2S,缺陷波时间t_d,直通波时间t_t,声速v)。答案:d32.射线照相的对比度公式ΔD=______(μ为线衰减系数,Δt为厚度差,G为胶片梯度)。答案:ΔD=−0.434μGΔt33.超声检测时,若要求最大回波降至20%,需衰减______dB。答案:1434.磁轭法检测时,提升力应不小于______N(AC)。答案:4535.数字射线CR中,激光扫描IP板发出的光属于______发光。答案:光激励(PSL)四、计算题(共30分)36.(10分)用单探头纵波检测60mm厚钢板,探头频率f=5MHz,晶片直径D=10mm,材料声速v_L=5900m/s,衰减系数α=0.005dB/mm。求:(1)波长λ;(2)近场长度N;(3)声程120mm(往返)时,材料衰减导致的回波降幅ΔL。解:(1)λ(2)N(3)往返声程120mm,单程60mm,衰减Δ37.(10分)射线照相采用Ir-192源,活度20Ci,焦距600mm,曝光量要求15mA·min,若改用Se-75源,在相同焦距、相同黑度下,求所需活度。(已知Ir-192剂量率常数Γ₁=0.47(mGy·m²)/(h·Ci),Se-75Γ₂=0.13(mGy·m²)/(h·Ci),忽略散射,假设剂量与黑度成正比)解:Ir-192在1h内给予剂量=所需剂量与曝光量成正比,设Se-75活度A₂,则=38.(10分)涡流检测圆柱棒材,直径20mm,电导率σ=18MS/m,相对磁导率μ_r=1,求特征频率f_g;若工作频率f=10kHz,计算标准化频率f/f_g及趋肤深度δ。解:==δ五、综合应用题(共30分)39.(15分)某石化厂需对φ219mm×12mm对接环焊缝进行100%超声检测,材料20G,要求按NB/T47013.3-2015Ⅱ级合格。现有设备:(1)斜探头2.5P13×13K2、5P8×12K3;(2)DAC曲线已绘制,ΔN=−6dB评定线。现场发现一缺陷,回波位于Ⅱ区,深度40mm,波幅ΔN=+4dB,指示长度28mm。问:a.该缺陷如何评级?b.若需TOFD复核,两探头中心距2S取多少可保证底面反射波在直通波之后?(v=3230m/s)c.写出TOFD扫查时缺陷深度计算式并说明参数含义。解:a.按标准,Ⅱ区缺陷需测长,指示长度28mm,板厚t=12mm,换算后长度得分:=b.要求底面反射波时间t_b大于直通波时间t_t,即−实际取2S≈2t=24mm即可满足耦合。c.缺陷深度d其中t_d为缺陷波到达时间,t_t为直通波时间,v为横波速度,S为半中心距。40.(15分)某铸件需磁粉检测,材料为ZG230-450,最大直径500mm,长度800mm,要求发现≥2mm表面裂纹。现有:(1)交流电磁轭,磁极截面25mm×25mm,提升力55N;(2)整流电磁化,电流输出0–3000A。问:a.采用交流电磁轭周向磁化是否满足灵敏度?b.若用线圈法纵向磁化,计算所需安匝数(低填充因数,工件长径比L/D=1.6)。c.给出检测工艺卡主要内容(至少8项)。解:a.交流电磁轭提升力55N>45N,满足规范要求,且交流电对表面缺陷灵敏度高,可发现2mm裂纹。b.低填充因数线圈,L/D=1.6,查经验公式N若线圈匝数N=5,则I≈1944A,现有电源满足。c.工艺卡内容:工件名称、材料、检测部位、表面状态、磁化方法、磁化规范、磁粉类型、观察条件、验收标准、记录方式、检测日期、人员资质。六、简答题(共30分)41.(10分)说明超声检测中“距离波幅曲线(DAC)”的绘制步骤及作用。答案:步骤:(1)选用与工件相同材质、厚度的对比试块;(2)在不同深度钻孔或槽,获得相同尺寸人工缺陷;(3)以最高回波为基准,记录各深度回波dB值;(4)连接各点形成曲线,设置评定线、定量线、判废线;作用:补偿距离衰减,实现不同深度缺陷当量比较,统一评判标准。42.(10分)比较射线照相与数字射线DR的优缺点。答案:胶片:空间分辨率高(>5lp/mm),设备简单,结果直观存档久,但化学污染、周期长、不能实时。DR:实时成像,动态范围大,可图像处理,无化学废液,曝光量小,但初始成本高,分辨率略低(2–3lp/mm),对电子噪声敏感。43.(10分)渗透检测中,为何对铝合金与奥氏体不锈钢采用不同类型的渗透剂?答案:铝合金对氯离子应力腐蚀敏感,需采用低氯(<1ppm)渗透剂;奥氏体不锈钢对硫、卤素均敏感,需低硫低卤渗透剂;此外铝合金表面易氧化,需加强乳化,不锈钢表面光洁,需低背景渗透剂以提高对比度。七、论述题(共30分)44.(15分)综述相控阵超声(PAUT)与传统单探头超声在焊缝检测中的技术差异,并给出PAUT扇扫成像的数学模型。答案:差异:(1)PAUT采用多晶片阵列,通过延时法则实现波束偏转与聚焦,无需移动探头即可覆盖全焊缝;(2)可实时成像,缺陷定位精度高;(3)记录数据量大,可后处理;(4)对复杂几何焊缝(如接管)适应性强;(5)设备成本高,人员培训周期长。数学模型:设阵列中心为原点,第i晶片位置x_i,延时τ_i,偏转角θ,聚焦深度F,则=回波幅值叠加A其中w

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