半导体量检测工程师考试试卷及答案

半导体量检测工程师考试试卷及答案一、填空题（共10题，每题1分）1.半导体电阻率测试常用四探针法和______法。（霍尔效应）2.硅片表面平整度检测常用______轮廓仪。（原子力）3.激光干涉仪常用于硅片______测量。（厚度）4.半导体点缺陷包括空位、间隙原子和______。（杂质原子）5.电阻率国际单位是______。（欧姆·米）6.硅片表面金属污染常用______检测。（TXRF）7.半导体量检测中“CD”指______。（关键尺寸）8.四探针法测试时，探针间距应______样品厚度。（远小于）9.掺杂浓度测试常用SIMS和______法。（扩展电阻）10.AFM常用工作模式包括接触模式和______模式。（轻敲）二、单项选择题（共10题，每题2分）1.硅片CD检测首选设备是？（A）A.CD-SEMB.AFMC.激光干涉仪D.四探针仪2.霍尔效应可测载流子浓度和______。（B）A.厚度B.迁移率C.粗糙度D.翘曲度3.硅片表面粗糙度单位常用______。（A）A.nmB.μmC.mmD.cm4.以下属于线缺陷的是？（C）A.空位B.堆垛层错C.位错D.晶界5.TXRF主要检测硅片______。（B）A.厚度B.金属污染C.CDD.电阻率6.四探针法薄样品需______修正。（A）A.厚度B.温度C.电流D.探针压力7.SCM主要检测半导体______。（B）A.粗糙度B.掺杂分布C.CDD.电阻率8.硅片翘曲度定义是表面______。（A）A.最高点与最低点距离B.边缘与中心高度差C.弯曲角度D.厚度差9.硅片氧含量检测常用______。（C）A.TXRFB.AFMC.FTIRD.SEM10.半导体中“LDD”指______。（A）A.轻掺杂漏极B.关键尺寸C.电阻率D.载流子浓度三、多项选择题（共10题，每题2分）1.电阻率测试方法包括？（ABC）A.四探针法B.霍尔效应法C.扩展电阻法D.激光干涉法2.硅片表面检测项目有？（ABD）A.粗糙度B.金属污染C.CDD.平整度3.AFM工作模式包括？（ABC）A.接触模式B.轻敲模式C.非接触模式D.扫描模式4.半导体晶体缺陷包括？（ABCD）A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷D.体缺陷5.TXRF特点是？（ABD）A.非破坏B.高灵敏度C.需前处理D.检测快6.硅片厚度测量方法有？（ABC）A.激光干涉法B.电容法C.机械接触法D.四探针法7.掺杂浓度测试方法有？（ABC）A.SIMSB.SRPC.霍尔效应法D.FTIR8.CD检测设备有？（ABD）A.CD-SEMB.SEMC.AFMD.光学显微镜9.影响电阻率测试的因素有？（ABCD）A.温度B.探针压力C.样品厚度D.电流10.翘曲度检测设备有？（AC）A.激光平面度仪B.AFMC.轮廓仪D.四探针仪四、判断题（共10题，每题2分）1.四探针间距越大测试越准确。（×）2.霍尔效应可同时测载流子浓度和迁移率。（√）3.AFM不能检测CD。（×）4.TXRF是破坏性检测。（×）5.激光干涉法测厚度比机械接触法准确。（√）6.位错属于点缺陷。（×）7.CD-SEM是专门测CD的SEM。（√）8.FTIR可测掺杂浓度。（×）9.轻敲模式AFM损伤比接触模式小。（√）10.温度对电阻率测试无影响。（×）五、简答题（共4题，每题5分）1.简述四探针法测电阻率的原理。答案：四根等间距探针接触样品，外侧两探针通恒定电流I，内侧两探针测电压V。若样品厚度远大于探针间距，电阻率ρ=2πsV/I（s为间距）；若厚度接近间距，需厚度修正。原理基于欧姆定律，通过电流-电压结合间距/厚度修正计算电阻率，适用于晶圆、薄膜检测。2.简述TXRF测金属污染的原理及优势。答案：X射线照射硅片，激发表面金属原子产生特征荧光，探测器测强度并校准得浓度。优势：非破坏、灵敏度ppb级、检测快（数分钟）、可同时测多种金属、无需前处理，适合在线/离线检测。3.简述AFM轻敲模式的原理及适用场景。答案：探针以共振频率振动，接近样品时振幅因表面力减小，反馈维持振幅恒定，记录Z向位移得形貌。适用：软样品（聚合物、生物）、高分辨率形貌、弱吸附层样品、力学性质检测（相位成像）。4.简述硅片翘曲度的定义及检测方法。答案：翘曲度是表面最高点与最低点的垂直距离。检测方法：激光平面度仪（扫描测高度差）、轮廓仪（扫描得高度曲线）、干涉仪（光干涉测形貌），均为非接触式，适合质量控制。六、讨论题（共2题，每题5分）1.讨论温度对电阻率测试的影响及控制措施。答案：本征半导体电阻率随温度升高指数下降；掺杂半导体低温下因杂质电离下降，高温进入本征区后下降。控制措施：恒温环境（25℃±0.5℃）、样品预热、温度补偿电路、选温度稳定的方法（如霍尔效应）、测试时记录温度并修正。2.讨论在线检测与离线检测的区别及适用