计算机行业：AI需求驱动存储革命超级周期已然开启

目录存储需求大规模崛起：AI引爆推理需求，存储市场迎来扩容 3AI需求引发存储革命，推理应用成最大驱动 3多模态AI模型推动存储需求指数级增长 4OpenAI锁定高端产能，加剧供应紧张 5GPU升级带动配套存储需求 6云厂商资本开支全面上修，原厂库存降至近年来低位 7AI革命触发存储超级周期：HBM重塑供需结构与产业价值 8技术变革驱动存储需求质变 8NAND：eSSD驱动NAND市场结构性增长 DRAM：服务器需求引领增长，ASP持续攀升 12历史复盘：周期属性强，但本轮AI驱动持续性更强 15存储行业周期属性显著 15存储行业周期复盘 15本轮周期与上一轮有显著区别，超级周期有望开启 17风险提示 20图表目录图1：NVIDIAGraceHopper超级芯片架构意图 3图2：AI服务器中的存架构 4图3：AI模型膨胀对存系统的三重考验 4图4：Sora2多模态与文本模型资源需求比 5图5：OpenAI与三星子、SK海力士达成合作 6图6：GPU升级前后存需求参数对比表 6图7：美光科技据中服务器需求展望 7图8：美光科技海力、西部数据库存天（） 8图9：美光的HBM3E产品结构图 9图10：中国人工智能服器工作负载预测，2022-2027 9图三大原厂市场份额达95.2% 10图12：传统GDDR与HBM在结构布局上差异 10图13：DRAM现货价变化趋势（美元） 图14：NAND现货价变趋势（美元） 图15：国内eSSD竞争格局 12图16：2Q25eSSD前大品牌厂商营收排名 12图17：全球AI服务器货量及增速（万台，%） 13图18：2024-2026年全球AIPC市场份额与出货预测 14图19：海外与国内存储商制程、产品、产策对比 14图20：全球智能手机出量（百万台） 15图21：全球PC出货量（百万台，%） 16图22：各品类DRAM现货价变化趋势（美） 17图23：闪迪、美光股价势（美元） 18图24：OpenRouter调用量数据 19存储需求大规模崛起：AI引爆推理需求，存储市场迎来扩容AIAI在AIBDRAMAIAICPU/GPU图1：NVIDIAGraceHopper超级芯片架构示意图NVIDIAAI在AIGPU内部的HBMDRAMCPUGPUD需求，并存储短期检查点及临时生成的内容，从而支撑模型的快速迭代开发。4DDHM和AMDAI图2：AI服务器中的存储架构整理AI模型推动存储需求指数级增长2012AlexNet60001.8AI3级G300，远超传统GPUTransformer70%-80%AI""图3：AI模型膨胀对存储系统的三重考验整理AIOpenAISora2100token消3000token30000token以上。HBM需求，也显著增加了对DRAM和NAND图4：Sora2多模态与纯文本模型资源需求对比整理OpenAI锁定高端产能，加剧供应紧张OpenAI锁定高端产能，加剧供应紧张。2025年10月1日，韩国科学技术信息通信部与OpenAI签署谅解备忘录（MOU），宣布在AI领域开展全面合作，目标是将韩国打造为全球三大人工智能强国（G3）之一和亚太地区AI中心。合作核心内容包括推动三星电子、SK海力士等韩国企业参与OpenAI的全球AI数据中心建设及美国星际之门（Stargate）项目。根据协议，三星和SK海力士将共同满足OpenAI每月高达90万片DRAM晶圆的产能需求，并计划在韩国西南部建设专用AI数据中心。此次合作涉及三星集团旗下四大子公司（三星电子、三星SDS、三星物产、三星重工）和SK集团（SK海力士、SK电讯），覆盖从芯片供应、数据中心建设到浮动发电厂等创新基础设施领域。OpenAISKAIOpenAI星际之门"202990DRAMSK海力士为满足订单需将资本支出向DRAM导致NANDNAND的产能锁定策略不仅凸显了AIHBMDRAM图5：OpenAI与三星电子、SK海力士达成合作芯智讯GPU升级带动配套存储需求2025年9月8日，韩国媒体ETNews报道，英伟达要求三星电子将GDDR7显存产量翻倍，这一紧急订单规模预计达数千亿至数万亿韩元，仅基板采购额就高达2000亿韩元，凸显其Rubin平台显卡需求的迫切性；三星已迅速完成产线扩建及材料储备，新供应链最快于9月投入运营，以保障RubinCPX显卡（搭载128GBGDDR7显存、算力达30PFlops）及VeraRubin超级计算平台（集成144颗GPU、显存带宽1.7PB/s）的产能需求。GDDR7作为JEDEC标准下的顶级显存，其32GT/s的初始速率（较GDDR6提升60%）能有效支撑AI推理任务中的长上下文处理（如百万token级生成），使英伟得以通过RTXPRO6000D等产品以HBM75%的成本实现近HBM级性能，针对性拓展受出口管制约束的市场。此轮产能扩张不仅印证AI硬件生态正从算力单极驱动转向存算协同升级，更将加速GDDR7在2026年底前取代HBM成为中高端AI加速器的核心配置，推动全球显存市场规模进一步扩大，其需求增长直接反映了AI硬件生态的扩张速度。图6：GPU存储位宽存储位宽/技术特征对存储供应链的影响显存带宽(Bandwidth)(StorageType)(Capacity)单卡显存容量显存类型芯片型号GPU架构HopperH100HBM380GB3.35TB/s5120-bit 产能爬坡，确立训练标配地位。BlackwellB200HBM3e192GB8.0TB/s8192-bit 量翻倍。Rubin RubinR100 HBM4 288GB ~12-13TB/s

堆叠层数增加(12/16-Hi)

推动HBM4成为顶级训练卡标配，CoWoS封装需求极高。间的空白，主要用于推理和间的空白，主要用于推理和长文本。位宽~1.5-1.8TB/s(PAM3)<br>512-bit。填补了HBM与传统显存之128GBRubinGDDR7RubinGDDR7需求量级跃升32GT/s英伟达官网AI20251225年Q2224+7050亿8502026AI2）Meta：2025640720AI3）微软：Y580（AI，Y21300Azure750AI16%157%。386.7657.1%202523800AI92438002032模提升10倍。2026AI20262025924AIagentsHBMM15X25Q42026图7：美光科技数据中心服务器需求展望美光科技SK20232023年以来的2025NANDHDD52AIAIDRAM8倍3DDR4报价NAND图8：美光科技、海力士、西部数据库存天数（天）CFM闪存市场AI革命触发存储超级周期：HBM重塑供需结构与产业价值技术变革驱动存储需求质变。AI从训练转向推理意味着计算模式从批量处理转向实时交互，这对存储系统的带宽和延迟提出了近乎苛刻的要求。传统DRAM面临的存储墙问题——即内存存取速度严重滞后于处理器计算速度——在AI推理场景下被急剧放大，尤其是处理长文本序列和KVCache（键值缓存）时，直接导致推不动、推得慢的产业瓶颈。HBM技术通过3D堆叠和硅通孔（TSV）工艺将多个DRAM芯片垂直集成，实现了远超传统内存的带宽（HBM3每堆栈带宽高达819GB/s），成为打破这一瓶颈的唯一技术路径。技术变革直接重塑了AI服务器的成本结构。根据TrendForce集邦咨询及SemiAnalysis数据，在搭载H100/B200的高端AI服务器中，存储系统（BDR+D的OM530HBM3/3eDDR5的5-10AIGPU图9HBM3E产品结构图美光科技公司官网IDC2027年72.6%图10：中国人工智能服务器工作负载预测，2022-2027IDC尽管需求爆发，但HBM极高的技术壁垒和资本开支门槛使得供给端呈现出极高集中度的寡头垄断态势。根据TrendForce2024-2025年的数据，全球市场已形成两超一强的稳固格局：SK海力士凭借独家MR-MUF封装技术的良率优势，占据了约52.5%的市场份额，牢牢把控着NVIDIA高端显卡的核心供应链；三星电子则以约42.4%的份额紧随其后，正通过激进扩产TC-NCF产线并利用IDM全产业链优势争夺市场；美光虽然份额仅约5.1%，但凭借跳过HBM3直接量产HBM3e的策略，在能效领域占据一席之地。与此同时，地缘政治因素进一步加剧了供给侧的复杂性。受限于美国对带宽大于600GB/s的高端内存出口管制，国内厂商目前仍处于HBM2E量产及HBM3研发攻关阶段，与海外即将迈入HBM4（采用逻辑工艺BaseDie）的先进制程存在约两代的技术代差。这种代差迫使国产AI芯片厂商在架构设计上必须采取异构策略，进而拉动了对大容量GDDR及DDR5的替代性需求。同时，主要存储原厂在经历前两年亏损后资本开支谨慎，主动削减DDR4/LPDDR4等低端产能（三星、美光等厂商计划停产DDR4），更倾向于将产能和投资转向利润更高的HBM和DDR5，这直接挤占了传统DRAM的产能分配，三星为争夺HBM4市场份额甚至将更多传统DRAM产能转向HBM。图三大原厂市场份额达95.2% 图12：传统GDDR与HBM在结构布局上差异CFM存场 中科院导体究所DDR4价格在2025年第二季度涨幅达40%-HBM产能已被OpenAIHDD（40上30%QLCNAND结构性收缩与需求端的不可替代性增长共同作用，推动存储价格进入超级周期，2025DRAM12%-155%，NAND20%-22%AI10%AI2026图13：DRAM现货价变化趋势（美元） 图14：NAND现货价变趋势（美元）NAND：eSSDNAND市场结构性增长AI训练与推理过程中海量小文件随机读写（RandomI/O）需求的爆发，已导致传统HDD的机械寻道机制成为制约系统整体吞吐率的短板。在传统冷存储场景中，HDD凭借低成本优势占据主导，但在AI大模型时代，GPU集群面临高并发的数据访问请求。HDD的随机读写性能（IOPS）通常仅为几百次/秒，而主流PCIe5.0eSSD可达数百万次/秒。若继续使用HDD作为热数据或温数据存储，昂贵的HBM和GPU算力将因等待数据I/O而被迫闲置，造成极大的资本效率浪费。因此，为了匹配存算协同的高吞吐需求，存储架构正加速从HDD为主向全闪存演进。3DNANDPUEeSSD在全HDDNANDPureStorageESGHDD方案可降低约80%202530TB-60TBeSSD周以上，供给端的刚性瓶颈迫使约30%的原HDD需求向供应弹性更佳的QLCeSSD受供应链安全自主可控（信创）政策及本地化服务优势的双重驱动，国内企业级SSD市场正加速从海外主导向国产领跑的结构切换。根据IDCChina《中国企业级固态硬盘市场跟踪报告》数据显示，国产厂商市场份额持续攀升，逐步打破了三星、英特尔/Solidigm等国际巨头的垄断。目前的市场竞争格局呈现清晰的梯队分化：OceanStor忆联PCIe新兴势力：大普微ZNS等前核心份额第一图15：国内eSSD竞争格局核心份额第一梯队梯队(Tier) 代表厂商(Vendors) 市场地位(Status)第一梯队(Tier1) 华为(Huawei/HiSilicon) 领跑者：全栈自研，政企/金融主力军主力军：互联网/云厂商出货主力，份额快速提升忆联(UnionMemory),Memblaze(Tier2)第三梯队(Tier3) 大普微(DapuStor),泽石科技挑战者：专注ZNS等细分高端技术领域整理eSSDNAND市场核心增长引擎，QLC技术加速普及。SSD（eSSD）AIHDD2024eSSDeSSD处理热HDDQLCeSSDTLC30%HDD2026NAND图16：2Q25eSSDTrendforceDRAM：服务器需求引领增长，ASP持续攀升AIDRAM2025AI服务AIDRAM3-4DDR5（HBM）GPUSKHBM44%HBM420242033亿美17.4%，持续拉动服务器DRAM图17：全球AI服务器出货量及增速（万台，%）TrendForceSKDDR4转向HBM和DDR52025年底停止多款DDR4DDR420%DRAM年上半年DDR416Gb芯片现200%DDR4DDR5100%年第三季度DRAM12%-155%2023年以来DRAMPC市场受AIPC渗GartnerPC1.432026年PC7.8GB17.7GBAI13013GB24GB图18：2024-2026年全球AIPC市场份额与出货量预测GartnerDDR6HBM42026年量2TB/s16202717600MT/s4×242027全球竞争格局：全球DRAM市场呈现寡头垄断特征，三大原厂合计掌控约96%的市场份额，且竞争重心正从产能规模转向高端制程溢价。根据TrendForce数据，三星电子凭借庞大的产能基数，以约40%-42%的份额维持营收规模第一，但在HBM3e认证进度上略显被动，导致其ASP涨幅不及预期；SK海力士受益于在NVIDIA供应链中的垄断地位，其HBM高溢价产品占比显著提升，市场份额已攀升至34%-35%，并在营业利润率上领跑行业；美光则稳居第三，市场份额约20%-23%，其策略更侧重于汽车与工业领域的差异化布局以及1β纳米制程的能效优势。国内竞争格局：长鑫存储作为唯一具备量产能力的IDM厂商，正引领国产DDR4/LPDDR4市场的存量替代。不同于NANDFlash领域多点开花，国产DRAM的技术与产能高度集中。长鑫存储约占据国产DRAM产能的90%以上，其合肥与北京产线的17nm/18nm工艺良率已趋成熟。尽管受限于EUV光刻机禁令，国内厂商在DDR5及HBM等先进制程上与国际巨头仍存在、技术代差，但在DDR4、LPDDR4x等后周期产品上，长鑫存储正通过积极的扩产填补三大原厂退出的市场份额。图19：海外与国内存储厂商制程、产品、产能策略对比海外三大原厂(GlobalMajors)国内厂商(CXMT/China)制程重心1βnm,1cnm(EUV)17nm,18nm(DUV)主力产品HBM3e/4,DDR5DDR4,LPDDR4x产能策略退出DDR4，转产HBM扩产DDR4，填补空缺整理AI驱动持续性更强存储行业周期属性显著JEDECDRAMSKFlashPCAI技术迭代与产能建设周期长：HBM、3DNAND等先进技术需巨额资本开支，且技术瓶颈制约产能快速响应；厂商为追求高毛利产品，往往削减传统产品供应，引发结构性短缺。存储行业周期复盘复盘近15年，存储行业已历经四轮完整周期，每一轮上涨均由特定技术革命或需求结构性变化驱动。当前，AI算力需求正推动行业进入第五轮超级周期，其持续性与强度有望超越历史水平。第一轮周期（21206年20124G20127亿部2015144GB8GB（（eCRM位25%2014图20：全球智能手机出货量（百万台）第二轮周期（21209年2016（如亚马逊、微软DRAM2016201935%。2017年，DMDNDR4价格年内涨幅超100。20182019第三轮周期（22203年：疫情远程办公与G终端容量提升PC202012GBNAND202130%2022持续下行至2023年底。图21：全球PC出货量（百万台，%）第四轮周期（224年至今：AI算力革命与M结构性需求爆发3-5HBMGPU2024HBMHBMDDR5DDR420%（DDR4DDR5高出8AID50图22：各品类DRAM现货价变化趋势（美元）历史表明，存储周期上涨均源于技术革新或新应用场景的爆发：移动互联网（2012-2016）、云计算（2016-2019）、5G与疫情（2020-2023）及AI（2024以来至今）。当前周期的新特征在于需求的结构性分化——HBM和高端DRAM受益于AI算力，而传统消费电子需求影响减弱。未来，随着AI向边缘侧扩展和自主开发加速，存储行业有望弱化传统波动，进入以高性能产品主导的结构性长周期。本轮周期与上一轮有显著区别，超级周期有望开启复盘对比本轮行情与上一轮行情的同与不同，本质是范式转换。上轮（2016-2019）：核心是智能手机换机潮与云计算数据中心普及带来的周期性、普适性需求，需求本质是量的增长。本轮：核心是AI应用从训练向推理与边缘侧延伸催生的结构性、爆发性需求。其特点是不仅量增，更是对存储性能（带宽、速度）的极致追求，直接拉动HBM、高性能DDR5、PCIe5.0/6.0SSD等高端品类。AI服务器单机存储搭载量是传统服务器的3-5倍，价值量显著提升。动。HBMDDR5DDR4/LPDDR4AIHDD（52SSD2025820251027109%350%SKDDR5HBMDDR4DDR4SKDDR418028%-90%，NANDFlash5%-10%，2025图23：闪迪、美光股价走势（美元）我们判断此轮涨价仅为第一轮，随着端侧起量&训练到推理过渡，存储将迎来爆发式行情。AI（）tokenSora）KB训练阶段：LLM训练语料库容量需PB级存储支撑，企业级SSD成为刚需。例如，OpenAI星际之门项目月均消耗相当于90万片DRAM晶圆，三星已为其专项供应。AI服2SSD的tokens月份4TAI图24：OpenRouterTokens调用量数据OpenRouter端侧AI硬件渗透率提升将承接数据中心需求，成为存储市场下一爆发点。1）设备增量：AIPC、AI手机、AR/眼镜等终端2026年预计全面放量，推动LPDDR5X、UFS4.0等高端存储产品需求。例如，MetaAI眼镜新品推动存储容量升级，AI手机DRAM配置从8GB向16GB跃迁。技术适配：四级单元（QLC）SSD因容量与成本优势成为端侧AI存储方案首选，铠侠与英伟达合作开发的高速SSD读取速度较传统产品提升近百倍。端侧市场与数据中心形成协同：AI推理任务逐步下沉至终端，减少云端负载的同时催生边缘存储需求，2025年端侧存储市场规模增速预计达20%。端侧AI硬件渗透率的快速提升正成为存储市场的新增长引擎，推动产业从云端优先向云边端协同演进。这一趋势由明确的设备增量、适配的技术路径以及协同的产业生态共同驱动。1）市场由具体的设备增量所驱动。AIPC、AI手机、AR/眼镜等终端预计在2026年全面放量。例如，SK海力士预计2025年AIPC和AI手机的渗透率将分别达到30%-40%和约30%，而IDC预计2025年中国智能眼镜出货量将达284.6万台，同比增长116.4%。这