2025 年大学电子科学（半导体技术）阶段测试卷

2025年大学电子科学（半导体技术）阶段测试卷

（考试时间：90分钟满分100分）班级______姓名______一、选择题（总共10题，每题4分，每题只有一个正确答案，请将正确答案填入括号内）1.半导体中参与导电的载流子是（）A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子2.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A.温度B.杂质浓度C.光照D.电场强度3.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。A.大于B.小于C.等于D.不确定4.稳压二极管正常工作时，应处于（）A.正向导通状态B.反向截止状态C.反向击穿状态D.不确定5.三极管工作在放大区时，发射结（），集电结（）。A.正偏，正偏B.正偏，反偏C.反偏，正偏D.反偏，反偏6.场效应管是利用（）来控制漏极电流的。A.栅源电压B.漏源电压C.栅极电流D.漏极电流7.集成运放的输入级通常采用（）电路。A.共射极B.共集电极C.共基极D.差分放大8.数字电路中，最基本的逻辑门是（）A.与门B.或门C.非门D.以上都是9.二进制数1011转换为十进制数是（）A.11B.10C.9D.810.半导体存储器中，随机存取存储器的英文缩写是（）A.ROMB.RAMC.EPROMD.EEPROM二、多项选择题（总共5题，每题6分，每题有两个或两个以上正确答案，请将正确答案填入括号内）1.下列属于半导体特性的是（）A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.绝缘性2.关于PN结的单向导电性，正确的是（）A.正向偏置时导通B.反向偏置时截止C.正向偏置时电流很大D.反向偏置时电流很小3.三极管的三个工作区域是（）A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区4.下列属于数字电路基本逻辑运算的是（）A.与运算B.或运算C.非运算D.与非运算5.半导体存储器按功能可分为（）A.随机存取存储器B.只读存储器C.可编程只读存储器D.可擦除可编程只读存储器三、判断题（总共10题，每题3分，请判断下列说法的对错，对的打√，错的打×）1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）2.杂质半导体中少数载流子的浓度与温度无关。（）3.PN结加正向电压时，空间电荷区变宽。（）4.稳压二极管的稳压性能与温度无关。（）5.三极管的发射极和集电极可以互换使用。（）6.场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻小。（）7.集成运放的输出级通常采用功率放大电路。（）8.数字电路中，高电平用“1”表示，低电平用“0”表示。（）9.二进制数的基数是2，逢二进一。（）10.半导体存储器中，ROM在工作时只能读出数据，不能写入数据。（）四、简答题（总共3题，每题10分，请简要回答下列问题）1.简述半导体的导电原理2.说明PN结的形成过程3.简述三极管放大作用的外部条件五、分析题（总共2题，每题15分，请分析下列电路或问题）1.分析一个简单的共发射极放大电路的工作原理2.分析一个数字电路中逻辑门电路实现的逻辑功能答案：一、1.C2.B3.A4.C5.B6.A7.D8.D9.C10.B二、1.ABC2.ABD3.ABC4.ABC5.AB三、1.√2.×3.×4.×5.×6.×7.√8.√9.√10.√四、1.半导体中存在两种载流子，电子和空穴。在电场作用下，电子定向移动形成电子电流，空穴的移动等效于正电荷的移动形成空穴电流，二者共同构成半导体的导电电流。2.当P型半导体和N型半导体结合时，由于P区空穴浓度高，N区电子浓度高，于是空穴从P区向N区扩散，电子从N区向P区扩散。扩散的结果使交界处形成一个空间电荷区，P区一侧带负电，N区一侧带正电，这就是PN结。3.三极管放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏可使发射区的多数载流子顺利注入基区，集电结反偏能使基区的少数载流子被集电区收集，从而实现电流放大。五、1.共发射极放大电路中，输入信号加在基极和发射极之间，通过改变基极电流来控制集电极电流。发射结正偏，集电结反偏。当输入信号变化时，基极电流随之变化，由于三极管电流放大作用，集电极电流会有更大变化，通过集电极电阻将电流变化转换为电压变化，从而实现对输入信号的放大。2.对于数字电路中的逻辑门电路，如与门，只有当所有输入信号都为高电平时，输出才为高