CN115615972B 一种成像方法及成像系统 （深圳迈塔兰斯科技有限公司）

道上合社区33区大宝路83号美生慧谷照射调制区域和围绕照射调制区域的探测调制本发明的方法和系统可以突破衍射极限而实现2提供超透镜(10)，所述超透镜(10)包括处于所述超透镜在照射光路中，经由入射光纤将照射光束引导至所述超透镜(10在探测光路中，通过所述超透镜(10)的所述探测调制区域(12其中将所述超透镜(10)的所述照射调制区域(11)和所述探测调制区域(12)的相位分而能够调节所述探测调制区域(12)和所述照射调制区域(11)构成的总体的点扩散函数的NA＝sin(θ)qaer(x,)=po(x,y)+pn(x,y);qaer(x,y)=po(x,y)-pn(x,y);310.一种成像系统，所述成像系统用于实施根据权利要求1至9中任意一项所述的成像所述超透镜(10)包括：照射调制区域(11)和围绕所述照射调制区域(11所述入射光纤(20)将所述光源(50)与所述超透镜(1所述接收光纤(30)将所述超透镜(10)与所述探测器(4调超透镜能够通过外加激励来改变所述照射调制区域(11)和/或所述探测调制区域(12)的4[0002]常见的提高分辨率技术，如受激辐射损耗(StimulatedEmissionDepletion，散函数的半高全宽低于所述照射调制区域的点扩散函5paer(x,y)=po(x,y)-n(x,y);能够通过外加激励来改变照射调制区域和/或探测6[0045]图4示出了本发明提供的一种成像方法的一个实施例的照射调制区域的点扩散函[0046]图5示出了本发明提供的一种成像方法的一个实施例的探测调制区域的点扩散函[0047]图6示出了本发明提供的一种成像方法的一个实施例的总点扩散函数图(照射调[0048]图7示出了本发明提供的另一种成像方法的一个实施例的探测调制区域的点扩散[0049]图8示出了本发明提供的一种成像方法的一个实施例的总点扩散函数图(照射调[0050]图9示出了本发明提供的另一种成像方法的一个实施例的探测调制区域的点扩散[0051]图10示出了本发明提供的一种成像方法的一个实施例的总点扩散函数图(照射调描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特7和照射调制区域11构成的总体的点扩散函无衍射光束的物理含义是光束中心斑直径小且不随传播距8[0076]超结构单元及其密堆/阵列的形式也可以是圆周排列的扇形，如图11(3)所示出λc为入射辐射的中心波长。9[0080]本申请的超透镜10的照射调制区域11和探测调制区域12的相位根据照射调制区det为探测调制区域12形成的点扩散函数。[0115]在上述实施例中的相变材料为电致相变材料的情况下，采用的外加激励为电激[0116]在上述实施例中的相变材料为热敏相变材料的情况下，采用的外加激励为热激[0117]在上述实施例中的相变材料为光敏相变材料的情况下，采用的外加激励为光激[0120]当非晶态GST温度超过结晶温度(多为160℃)时,非晶态会首先相变为亚稳态的面心立方晶体结构,类似于NaCl。如果温度继续升高,亚稳态晶体结构会变为稳态的六方结[0121]相反地,把晶态GST加热超过其熔点(多为640℃)并液化,后经急速冷却可形成非[0122]GST晶态或非晶态的相变过程一旦完成,即使撤去外部激励并回到室温环境,GST仍可长时间保持相变后的晶态或非晶态。GST的晶化比例可通过控制晶化过程的物理参数