YS-T 1780-2024《氧化铟镓锌靶材》

YS/T××××—××××

氧化铟镓锌靶材

1范围

本文件规定了氧化铟镓锌靶材（以下简称“IGZO靶材”）的技术要求、试验方法、检验规则及标

志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。

本文件适用于以氧化铟粉末、氧化镓粉末、氧化锌粉末为原料，以常压烧结工艺生产的氧化铟镓锌

靶材，主要应用于新型显示器件薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）、有机发光二极管（OLED）等产业，

用来制备透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管沟道层半导体材料。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1551硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

GB/T3850致密烧结金属材料与硬质合金密度测定方法

GB/T6569精细陶瓷弯曲强度试验方法

GB/T8170数值修约规则与极限数值的表示和判定

GB/T13298金属显微组织检验方法

GB/T38389氧化铟锡靶材化学分析方法

YS/T837溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法

YS/T1158铜铟镓硒靶材化学分析方法

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

表观密度apparentdensity

每单位体积物质的质量。

3.2

相对密度relativedensity

IGZO靶材表观密度与理论密度的比值。

IGZO靶材铟：镓：锌摩尔比为1：1：1时，其理论密度以6.379g/cm3计算。

4分类

IGZO靶材分为平面靶及管状靶，按铟：镓：锌摩尔比确定牌号为IGZO111。

5技术要求

5.1化学成分

2

YS/T××××—××××

5.1.1主要成分

IGZO靶材铟：镓：锌摩尔比为1：1：1，铟、镓、锌摩尔比偏差为±0.05%。

5.1.2杂质成分

IGZO靶材杂质成分应符合表1的规定。

表1IGZO靶材杂质成分

杂质含量（×10-4），不大于

%

FeAlSiCuPbCdNiCrTi总和

10101555555550

注:杂质总和为表中所列杂质元素的总和。

5.1.3其他

需方如对IGZO靶材的化学成分有特殊要求时，由供需双方商定。

5.2物理性能

5.2.1IGZO靶材物理性能应符合表2的规定。

表2IGZO靶材物理性能

相对密度，不小于电阻率×10-2抗弯曲强度

牌号

%Ω·cm，不大于MPa，不小于

IGZO11198.5470

5.2.2需方如对IGZO靶材物理性能有其他要求，由供需双方商定。

5.3尺寸规格及其偏差

IGZO靶材的尺寸规格及其偏差由供需双方商定。

5.4平均晶粒尺寸

IGZO靶材的平均晶粒尺寸不大于10μm。

5.5外观质量

5.5.1IGZO靶材表面呈蓝色、浅蓝色或灰色，色泽均匀。

5.5.2IGZO靶材表面应清洁光滑，无指痕，无崩角，无外来夹杂物、污染物。

5.5.3IGZO靶材表面粗糙度Ra应不大于1.5μm。

5.5.4IGZO靶材表面气孔直径应不大于0.3mm，每平方厘米气孔个数不多于5个。

5.6内部质量

IGZO靶材应无内部裂纹、气孔、夹杂等影响使用的质量缺陷。

6试验方法

3

YS/T××××—××××

6.1化学成分

6.1.1IGZO靶材的主要成分分析方法按照YS/T1158的规定进行。

6.1.2IGZO靶材的杂质成分分析方法按GB/T38389的规定进行。

6.2物理性能

6.2.1相对密度

IGZO靶材表观密度的测定按GB/T3850的规定进行，再根据表观密度和理论密度计算得到相对密

度。

6.2.2电阻率

IGZO靶材电阻率的测定应按GB/T1551中直流两探针法的规定进行。

6.2.3抗弯曲强度

IGZO靶材抗弯曲强度的测定按GB/T6569的规定进行。

6.3尺寸规格及偏差

IGZO靶材尺寸规格及其偏差的测定应用相应精度的量器进行。

6.4平均晶粒尺寸

IGZO靶材平均晶粒尺寸的测定按GB/T13298的规定进行。

6.5外观质量

IGZO靶材外观质量应用目视法或粗糙度仪及相应精度的量器检验。

6.6内部质量

IGZO靶材内部质量的检验按YS/T837的规定进行。

7检验规则

7.1检查和验收

7.1.1IGZO靶材应由供方或第三方进行检验，产品质量应符合本文件及订货单的规定。

7.1.2需方可对收到的产品按本文件的规定进行检验。如检验结果与本文件或订货单的规定不符时，

应在收到产品之日起30d内向供方提出，由供需双方协商解决。如需仲裁，仲裁取样在需方由供需双

方共同进行。

7.2组批

IGZO靶材应成批提交检验，每批应由同一生产批次、同一牌号、同一生产工艺、同一批原料生产

的产品组成。

7.3检验项目

4

YS/T××××—××××

IGZO靶材检验项目分为出厂检验项目和型式检验项目，应符合表3的规定。

表3检验项目

检验项目出厂检验项目型式检验项目

化学成分√√

相对密度√√

物理性能

电阻率√√

抗弯曲强度△√

尺寸规格及其偏差√√

平均晶粒尺寸△√

外观质量√√

内部质量√√

注：表中“√”表示“必验项目”；“△”表示“非必验项目”。

在以下条件下应进行型式检验：

a）新生产线的产品生产时；

b）正式生产后如结构、工艺有较大改变可能影响产品性能时；

c）正常连续生产6个月时；

d）产品长期停产后恢复生产时。

7.4取样

产品的取样和制样应符合表4的规定。

表4取样和制样

技术要求试验方法的

检验项目取样和制样规定

的章条号章条号

化学成分供需双方商定5.16.1

从产品中按片（件）随机抽取10%样品，但不少于1片（件），

相对密度沿IGZO靶材的中心线，用线切割机等距分取20mm×20mm的样品6.2.1

物3块～4块，用超声波清洗器清洗干净后进行表观密度的测定

理从产品中按片（件）随机抽取10%的样品，但不少1片（件），

性电阻率用线切割机沿IGZO靶材的边切割长120mm的矩形长条10个，用5.26.2.2

能超声波清洗器清洗干净后进行电阻率的测定

从产品中按片（件）随机抽取10%的样品，但不少于1片（件），

抗弯曲强度用线切割机沿IGZO靶材的边切割下符合要求的样品，用超声波6.2.3

清洗器清洗干净后进行抗弯曲强度的测定

尺寸规格及其偏差逐件5.36.3

平均晶粒尺寸将密度测试后检验样品洗净并用纸吸干后测试5.46.4

外观质量逐件5.56.5

内部质量将密度测试后检验样品洗净并用纸吸干后测试5.66.6

5

YS/T××××—××××

7.5检验结果的判定

7.5.1IGZO靶材检验结果的数值按照GB/T8170的规定进行修约，并采用修约值比较法判定。

7.5.2IGZO靶材的化学成分、物理性能、内部质量的检验结果与本文件或订货单的规定不符时，再取

双倍样复检，仍有任意试样检验结果与本文件或订货单的规定不符时，判该批不合格。

7.5.3IGZO靶材的尺寸规格及其偏差、外观质量与本文件或订货单的规定不符时，判该件不合格。

8标志、包装、运输、贮存及随行文件

8.1标志

在检验合格的产品上至少应标记下列内容：

a）产品名称；

b）牌号；

c）规格尺寸；

d）净重；

e）批次；

f）生产日期；

g）企业名称。

8.2包装

每片（件）IGZO靶材应在清洁环境下采用真空包装，并采用相应的防震措施。

8.3运输与贮存

IGZO靶材应存放于干燥阴凉的库房。运输及贮存过程中应注意防震、防潮、防压、防止二次污

染。

8.4其他

需方如对IGZO靶材的标志、包装、运输与贮存有特殊要求时，由供需双方商定。

8.5随行文件

每批IGZO靶材应附有随行文件，其中除应包括供方信息、产品信息、本文件编号、出厂日期或

包装日期外，还宜包括：

a）产品质量保证书：

产品特点（包括制造工艺及原材料的特点）；

6

YS/T××××—××××

对产品质量所负的责任；

产品获得的质量认证及带供方技术监督部门检印的各项分析检验结果。

b）产品合格证：

检验项目及其结果或检验结论；

批量或批号；

检验日期；

检验员签名或盖章。

c)产品质量控制过程中的检验报告及成品检验报告。

d)产品使用说明：正确搬运、使用、贮存方法等。

e)其他。

9订货单内容

需方可根据自身的需要，在订购本文件所列产品的订货单内，列出如下内容：

a）产品名称；

b）类别（平面靶或管靶）；

c）重量；

d）本文件编号；

e）需方的特殊要求（化学成分、物理性能、尺寸规格及其偏差）；

f）其他。

7

、ICS77.150.99

CCSH62YS

中华人民共和国有色金属行业标准

YS/TXXX-XXXX

氧化铟镓锌靶材

Indiumgalliumzincoxide(IGZO)target

（报批稿）

××××-××-××发布××××-××-××实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

YS/T××××—××××

氧化铟镓锌靶材

1范围

本文件规定了氧化铟镓锌靶材（以下简称“IGZO靶材”）的技术要求、试验方法、检验规则及标

志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。

本文件适用于以氧化铟粉末、氧化镓粉末、氧化锌粉末为原料，以常压烧结工艺生产的氧化铟镓锌

靶材，主要应用于新型显示器件薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）、有机发光二极管（OLED）等产业，

用来制备透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管沟道层半导体材料。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1551硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

GB/T3850致密烧结金属材料与硬质合金密度测定方法

GB/T6569精细陶瓷弯曲强度试验方法

GB/T8170数值修约规则与极限数值的表示和判定

GB/T13298金属显微组织检验方法

GB/T38389氧化铟锡靶材化学分析方法

YS/T837溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法

YS/T1158铜铟镓硒靶材化学分析方法

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

表观密度apparentdensity

每单位体积物质的质量。

3.2

相对密度relativedensity

IGZO靶材表观密度与理论密度的比值。

IGZO靶材铟：镓：锌摩尔比为1：1：1时，其理论密度以6.379g/cm3计算。

4分类

IGZO靶材分为平面靶及管状靶，按铟：镓：锌摩尔比确定牌号为IGZO111。

5技术要求

5.1化学成分

2

YS/T××××—××××

5.1.1主要成分

IGZO靶材铟：镓：锌摩尔比为1：1：1，铟、镓、锌摩尔比偏差为±0.05%。

5.1.2杂质成分

IGZO靶材杂质成分应符合表1的规定。

表1IGZO靶材杂质成分

杂质含量（×10-4），不大于

%

FeAlSiCuPbCdNiCrTi总和

10101555555550

注:杂质总和为表中所列杂质元素的总和。

5.1.3其他

需方如对IGZO靶材的化学成分有特殊要求时，由供需双方商定。

5.2物理性能

5.2.1IGZO靶材物理性能应符合表2的规定。

表2IGZO靶材物理性能

相对密度，不小于电阻率×10-2抗弯曲强度

牌号

%Ω·cm，不大于MPa，不小于

IGZO11198.5470

5.2.2需方如对IGZO靶材物理性能有其他要求，由供需双方商定。

5.3尺寸规格及其偏差

IGZO靶材的尺寸规格及其偏差由供需双方商定。

5.4平均晶粒尺寸

IGZO靶材的平均晶粒尺寸不大于10μm。

5.5外观质量

5.5.1IGZO靶材表面呈蓝色、浅蓝色或灰色，色泽均匀。

5.5.2IGZO靶材表面应清洁光滑，无指痕，无崩角，无外来夹杂物、污染物。

5.5