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一种离子掺杂的锰基钠离子正极材料及其本发明提供了一种离子掺杂的锰基钠离子2所述底液的pH值为11_12，所述底液中的氨浓度为5_10g/L，所述底液的温度为40_80杂元素溶液中掺杂离子的摩尔浓度为0.08_0.极材料由权利要求1_14任一项所述制备方法制备得34一种离子掺杂的锰基钠离子正极材料及其制备和3-5wt％过量的碳酸钠粉末进行研磨，然后压制为圆片；以1-20℃/min的升温速率，在800-1200℃对圆片进行煅烧处理，保温12-24h，经自然冷却后得到正极活性材料NaTm1-法合成了含钠离子富锂锰基正极材料，在合成过程中首先将钠离子嵌入到锰基前驱体中，[0007]现有技术在钠离子正极材料中掺杂过渡金属离子的方法能良好的离子掺杂的锰基钠离子正极材料及其制备方法与应用。5[0016]本发明提供的制备方法采用Ni、Cu与掺杂元素对锰基钠值同样适用。6举的数值同样适用。7[0043]优选地，步骤(1)所述络合剂包括浓度12_16wt％的氨水，例如可以是12wt％、锰基钠离子正极材料由第一方面所述制备方法制备得到。[0050](1)本发明提供的制备方法采用Ni、Cu与掺杂元素对锰基钠离子正极材料进行改[0051](2)本发明制备得到的离子掺杂锰基三元前驱体的粒径控制，有利于使离子掺杂8[0082]本实施例提供了一种离子掺杂的锰基钠离子正极材料的制备方法，除了步骤(1)9[0084]本实施例提供了一种离子掺杂的锰基钠离子正极材料的制备方法，除了步骤(1)[0086]本实施例提供了一种离子掺杂的锰基钠离子正极材料的制备方法，除了步骤(1)[0088]本实施例提供了一种离子掺杂的锰基钠离子正极材料的制备方法，除了步骤(1)锰基三元前驱体的粒径满足((D90_D10)/D50)为0.68；所述通入过程中，保持混合液的pH[0099]采用马尔文激光粒度仪对实施例1_9以及对比例1所得离以及对比例2所得锰基三元前驱体的粒径进行测试，计算得到粒径((D90_D10)/D50)的数[0100]将实施例1_9以及对比例1得到的离子掺杂的锰基钠离子正极材料以及对比例2得甲基吡咯烷酮后搅拌成第一正极浆料；然后将第一正极浆料均匀涂覆于正极集流体铝箔正极材料的比容量由119.2mAh/g降低至106.3mAh/g，空气比容量由118.3mAh/g降低至目标粒径D50超过5μm时停止进料，所得正极材料的比容

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