CN116873980B 一种三氧化钼纳米片半导体的制备方法及其应用 （深圳技术大学）_第1页
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DeliangChen,etal..crystallineMoO3nanoplatesperformance.<Journalof图11c.一种三氧化钼纳米片半导体的制备方法及本申请公开了一种三氧化钼纳米片半导体℃反应20_24h，离心取上层清液避光保存得MoO3QDs溶液，干燥，得硫化MoO3_xQDs粉末；将单的调节硫粉量即可制备获得不同形貌和性能23.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：反应完成后离心的条件为10000_℃干燥36_48h。3[0002]三氧化钼(MoO3)作为一种n型半导体金属氧化物，因其在广泛的重要技术应用中清液避光保存，即得到MoO3QDs溶液；将MoO3QDs溶液干燥，获得硫化的MoO3_xQDs粉末4[0012]本申请的一种实现方式中，反应完成后离心的条件为10000_12000rpm离心5_[0021]本申请的再一方面公开了本申请的三氧化钼纳米片作为半导体气敏材料的气敏杂制备获得的三氧化钼纳米片的最高响应相对于不掺杂硫粉制备的三氧化钼可以提升十[0025]图1是本申请实施例中掺杂不同量硫粉制备的MoO3nanoflakes的扫描电子显微5[0026]图2是本申请实施例中掺杂不同量硫粉制备的MoO3nanoflakes对乙醇的气敏性[0027]图3是本申请实施例中掺杂不同量硫粉制备的MoO3nanoflakes对甲醇的气敏性且通过调节硫粉的用量能够改变制备获得的MoO3nanof简单的调节硫粉的用量，控制原材料比例，即可制备获得不同形貌和性能特性的MoO3NMP/H2O体积比为1:1的混合溶剂中，将混合液置入超声清洗机中，保持20℃循环冷却超声心机中以12000rpm的转速离心10min，取上层清液避光保存即得到MoO3QDs的NMP/水溶液。6[0039]制备过程中掺S量分别为0.5、1、2时，制备出的MoO3分别为形貌不同的MoO3[0041]本例测试了在350℃不掺S制备的MoO3及掺S量分别0.5、1、2制备的MoO3比为1:0.5制备的MoO3nanoflakes，MO_S(1)表示α_MoO3与硫粉质量比为1:1制备的MoO3[0043]图2的结果显示，掺S样品在350℃下对乙醇的响应高于不掺S样品对乙醇的响应，[0045]本例测试了在200_400℃不掺S制备的MoO3及掺S量分别0.5、1、2制备的MoO3比为1:0.5制备的MoO3nanoflakes，MO_S(1)表示α_MoO3与硫粉质量比为1:1制备的MoO3

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