CN119191853B 一种超高导热氮化硅瓷片的制备方法 （江苏富乐华功率半导体研究院有限公司）_第1页
CN119191853B 一种超高导热氮化硅瓷片的制备方法 （江苏富乐华功率半导体研究院有限公司）_第2页
CN119191853B 一种超高导热氮化硅瓷片的制备方法 （江苏富乐华功率半导体研究院有限公司）_第3页
CN119191853B 一种超高导热氮化硅瓷片的制备方法 （江苏富乐华功率半导体研究院有限公司）_第4页
CN119191853B 一种超高导热氮化硅瓷片的制备方法 （江苏富乐华功率半导体研究院有限公司）_第5页
已阅读5页，还剩8页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

发明公开了一种超高导热氮化硅瓷片的制2所述烧结的参数设置为：气压为0.1_10MPa，以1_5℃/分钟的升温速率升到1650℃_3[0013]所述烧结的参数设置为：气压为0.1_10MPa，以1_5℃/分钟的升温速率升到1650一一45二亚胺CAS为538_75_0，厂家为前衍化学科技(武汉)有限公司；N_羟基琥珀酰亚胺CAS为[0032]步骤二：在氮气气氛下，将生坯隔着氮化硼粉末层叠以2℃/min的升温速率升至[0036]步骤二：在氮气气氛下，将生坯隔着氮化硼粉末层叠以5℃/min的升温速率升至[0043]步骤二：在氮气气氛下，将生坯隔着氮化硼粉末层叠以2℃/min的升温速率升至6[0050]步骤二：在氮气气氛下，将生坯隔着氮化硼粉末层叠以5℃/min的升温速率升至[0054]步骤二：在氮气气氛下，将生坯隔着氮化硼粉末层叠以5℃/min的升温速率升至[0058]步骤二：在氮气气氛下，将生坯隔着氮化硼粉末层叠以5℃/min的升温速率升至[0062]步骤二：在氮气气氛下，将生坯隔着氮化硼粉末层叠以5℃/min的升温速率升至[0065](1)将实施例1和对比例1_5得到的氮化硅瓷片，使用万能试验机测试三点弯曲强7以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 信息产业

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论