CN119322432B 基于多个光刻模型的光学临近效应修正方法、装置、介质及程序产品 （华芯程(杭州)科技有限公司）

KR20050077167A,2005.08.01基于多个光刻模型的光学临近效应修正方本发明提供基于多个光刻模型的光学临近置一或多种晶圆并分别进行曝光以采样建模数层不同薄膜叠层区域图形以及不同类型图形进别调用对应的光刻模型或子光刻模型对不同类2根据对当前光刻条件的分析结果判断前层薄膜叠层是否在不同区域在进行光学临近修正之前，对输入版图的图形按照前层不同薄膜若前层薄膜叠层在不同区域存在的差异对当层光刻图形成像产若前层薄膜叠层在不同区域存在的差异对当层光刻图形成像未产若只有一种图形标记，则调用该图形标记对应的光刻模型或子若包括两种及以上的标记图形，则分别调用各种标记图形所对应的光3数据采集模块，用于根据对当前光刻条件的分析结果判断前层处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述基于多个光刻模型的光学临近效应修正方4最终导致整个光学临近效应修正工作效率及精5测量前层薄膜叠层在不同区域的光刻胶厚度，进而分析前层薄膜叠层是否存在厚度差异；光刻模型或子光刻模型对不同类别的图形进行模拟并[0013]为实现上述目的及其他相关目的，本发明的第四方面提所述计算机程序产品中包括计算机程序代码，当所述计算机程序代码在计算机上运行时，使得所述计算机实现所述基于多个光刻模型的光学临近效6[0016]图1显示为本发明一实施例中基于多个光刻模型的光学临近效应修正方法的流程[0017]图2显示为本发明一实施例中使用多个光刻模型对复杂光刻层进行光学临近效应[0021]图6显示为本发明一实施例中基于多个光刻模型的光学临近效应修正装置的结构结合具体实施例来对本发明的技术方案做详尽的[0028]图1展示了本发明实施例中的一种基于多个光刻模型的光学临近效应修正方法的[0029]步骤S11：根据对当前光刻条件的分析结果判断前层薄膜叠层是否在不同区域存7陷检测数据、工艺参数、虚拟量测数据、Radon变换数据等。关键尺寸数据（Critical[0034]结合图2所展示的使用多个光刻模型对复杂光刻层进行光学临近效应修正的流程图做进一步说明。若前层薄膜叠层在不同区域存在的差异对当层光刻图形成像产生影响，显微镜的细准焦螺旋得到胶膜的视觉厚度，再通过实验确定光刻胶对显微镜光线的折射8[0039]进一步地，前层薄膜叠层在不同区域存在差异给当层光9光刻模型或子光刻模型对不同类别的图形进行[0048]结合图4为例进行说明，输入版图按照其所属的前层薄膜叠层区域及所属的图形N，需要分别调用对应的模型1_2和模型1_N，模型1_2计算整个轮廓基于轮廓修正图形2部[0054]图6是本发明实施例提供的基于多个光刻模型的光学临近效应修正装置的示意性[0055]数据采集模块601用于根据对当前光刻条件的分析结果判断前层薄膜叠层是否在[0057]图形修正模块603用于在进行光学临近修正之前，对输入版图的图形按照前层不[0058]需说明的是，本发明实施例提供的基于多个光刻模型的示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器(SRAM，StaticRandomAccessMemory)、同步静态随机存取存储器(SSRAM，SynchronousStatic[0063]本发明实施例中的存储器702用于存储各种类别的数据以支持计算机装置700的用于实现各种基础业务以及处理基于硬件的任务。应用程序7022可以包含各种应用程序，明实施例提供的基于多个光刻模型的光学临近效应修正方法可以包含在应用程[0064]上述本发明实施例揭示的方法可以应用于处理器701中，或者由处理器701实步骤可以通过处理器701中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理[0065]在示例性实施例中，计算机装置700可以被一个或多个应用专图1至图5所示实施例中任一实施例的基于多个光刻模型的算设备上运行的应用和计算设备都可以是部件。一个或多个部件可驻留在进程和/或执行在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个