2020年长鑫存储校招笔试90分必刷试题及答案

2020年长鑫存储校招笔试90分必刷试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）1.在DRAM存储单元中，用于保持数据的最核心元件是A.电容B.晶体管C.电阻D.电感2.下列哪一项不是提升DRAM刷新间隔的有效方法A.降低温度B.提高单元电容值C.降低单元漏电流D.提高字线电压3.关于1T1CDRAM单元，下列说法正确的是A.读操作非破坏性B.写“1”需对位线充电至VDDC.读“0”时位线电压上升D.电容接在字线上4.在DDR4中，BL（BurstLength）固定为A.4B.8C.16D.325.行锤（RowHammer）攻击主要利用的物理机制是A.热电子注入B.寄生双极放大C.隧道效应D.电容耦合6.下列哪条命令用于关闭当前激活行并预充电A.ACTB.PREC.RDD.WR7.在DRAM时序参数中，tRCD表示A.行有效到列读写延迟B.行预充电周期C.刷新间隔D.写恢复时间8.ECC方案中，SEC-DED能纠正的错误位数为A.1B.2C.3D.49.3DDRAM采用TSV的主要目的是A.降低功耗B.提高带宽C.减少面积D.提高电容10.在存储器层次结构中，DRAM通常位于A.寄存器与Cache之间B.Cache与主存之间C.主存与磁盘之间D.磁盘与磁带之间二、填空题（每题2分，共20分）11.DRAM的存储原理是利用电容上的__________表示逻辑“1”或“0”。12.标准DDR4的工作电压为__________V。13.一个Rank由若干__________组成，它们共享同一组命令/地址总线。14.在DRAM刷新过程中，每次刷新操作按__________进行。15.提高单元电容值可延长__________时间，从而降低刷新功耗。16.DDR采用__________沿和下降沿同时传输数据，实现双倍速率。17.行地址与列地址在DRAM接口上通过__________方式复用同一组引脚。18.当tWR参数设置过小时，可能导致__________错误。19.3D堆叠DRAM中，TSV的电阻过大会引起__________噪声。20.存储器测试算法MarchC-的主要特点是__________覆盖所有单元转换。三、判断题（每题2分，共20分，正确打“√”，错误打“×”）21.DRAM的读操作具有破坏性，读后必须回写。22.提高温度会延长DRAM数据保持时间。23.在DDR4中，命令/地址总线采用差分信号传输。24.同一Bank内不同行同时处于激活状态不会导致数据冲突。25.采用On-DieTermination可降低信号反射。26.行锤攻击只能通过软件方式触发，无法由硬件缓解。27.ECC校验位数量与数据位宽度呈对数关系。28.3DDRAM堆叠层数越多，刷新功耗一定越低。29.DRAM的tFAW参数限制了同一Rank内连续激活命令的最小间隔。30.低功耗DRAMLPDDR4的I/O电压可低至1.1V。四、简答题（每题5分，共20分）31.简述DRAM读操作过程中位线电压变化的物理机制。32.说明RowHammer效应产生的根本原因及两种硬件级缓解方案。33.比较DDR4与LPDDR4在功耗优化方面的三项主要差异。34.解释为何DRAM需要周期性刷新，而SRAM不需要。五、讨论题（每题5分，共20分）35.结合工艺微缩趋势，讨论DRAM单元电容值缩小的技术瓶颈与可能的材料解决方案。36.3D堆叠DRAM引入TSV后，对热管理提出哪些新挑战？给出两条设计级应对策略。37.若将ECC与数据压缩技术同时引入DRAM控制器，分析二者在错误处理流程中的潜在冲突及协同方法。38.面向近存计算（Processing-in-Memory）场景，传统DRAM接口协议需做哪些关键扩展？请给出两种实现思路并比较其优劣。答案与解析一、单项选择题1.A2.D3.B4.B5.B6.B7.A8.A9.B10.C二、填空题11.电荷量12.1.213.Device/BankGroup14.行15.数据保持16.上升17.时分18.写恢复/数据损坏19.IRDrop20.对称三、判断题21.√22.×23.×24.×25.√26.×27.×28.×29.√30.√四、简答题31.读时字线升压，单元电容与位线电荷共享，位线产生微小电压差；灵敏放大器正反馈放大差值，最终把位线锁定至全幅电平，同时回写单元。32.高密度导致单元间寄生耦合电容增大，反复开关相邻行会干扰受害行电容电荷；缓解：1.目标行刷新TRR，2.增加介电隔离或降低字线电压摆幅。33.1.LPDDR4I/O电压1.1V低于DDR41.2V；2.LPDDR4引入低频模式与深度休眠态；3.LPDDR4采用可变频宽时钟与更aggressive的片内终结。34.DRAM靠电容存储电荷，漏电导致信息丢失；SRAM用双稳态锁存器，只要供电就能保持状态，无需刷新。五、讨论题35.高k介质如Al2O3、HfO2可提高介电常数，维持电容面积；采用柱状、圆柱、鞍形三维结构增加有效面积；引入铁电材料HfZrO实现负电容效应，进一步等效提升电容密度。36.TSV热阻低、局部热流密度高，易形成热点；策略：1.在堆叠层间插入高导热石墨片或微通道液冷；2.动态频率调节配合温度传感器，将热敏感刷新行迁移到低温区。37.压缩后数据位宽变化可能跨越ECC边界，导致校验位失效；协同：先对原始数据做ECC编码，再进行固定块压缩，并在压缩块头记录压缩长度与ECC校验区段，