雨课堂学堂在线学堂云《现代微纳电子学（北京航空航天）》单元测试考核答案

第1题最早的计算机基于以下哪种技术?（）A打孔卡片B机械式C继电器D真空管第2题早期算盘出现自（）。A古代黄河流域B古埃及C古代两河流域D古代印度第3题晶体管的发明主要由当时哪一种典型应用驱动?（）A提花织布机B电话机C雷达D电子计算机第4题最早的通用电子计算机是基于以下哪种技术?（）A电子管B硅基晶体管C继电器D锗基晶体管第5题当时电子管用于构建计算机,暴露的缺陷不包括以下哪个方面（）。A体积大B功耗高C可靠性差D制造成本高第6题人类历史上公认的科技革命包括（）。A机械革命B电气革命C自动化革命D信息革命正确答案：ABD第7题集成电路科学与工程是（）等技术的基础。A通信技术B计算机技术C网络技术D航天技术正确答案：ABC第8题一般认为,现代集成电路科技的进步主要体现在（）。A缩小集成电路元器件结构的尺寸,从而在同样的面积下扩大集成规模、降低功耗B不断优化材料和元器件架构,提高运算速度和通量C发展更多类型的元器件,拓展集成电路的通用化能力D有针对性地开拓更多的应用设计,如类脑计算、认知物联网等正确答案：ABD第9题集成电路发展的物理学基础包括（）。A量子力学B能带理论C金属-半导体接触理论C表面物理正确答案：ABC第10题以下属于集成电路元器件的有（）。A二极管B光子器件C三极管D电容器正确答案：ABCD第1题硅、锗、砷化镓分别属于（）带隙半导体、（）带隙半导体、（）带隙半导体A间接,直接,间接B直接,直接,间接C间接,间接,直接D间接,直接,直接第2题半导体硅导带的极小值位于布里渊区（）晶向的上方A<111>B<100>C<011>D<101>第3题半导体硅导带底附近的等能面是沿（）晶向的旋转椭球面,且等能面数量为（）个A<111>,8B<100>,8C<100>,6D<111>,6第4题半导体材料中载流子的有效质量与能带的关系为（）。A能带越窄,有效质量越大B能带越宽,有效质量越大C禁带宽度越窄,有效质量越大D禁带宽度越宽,有效质量越大第5题在能带顶部,载流子有效质量为（）值,在能带底部,有效质量为（）值A正,正B负,正C正,负D负,负第6题人类历史上公认的科技革命包括（）。A机械革命B电气革命C自动化革命D信息革命正确答案：ABD第7题集成电路科学与工程是（）等技术的基础。A通信技术B计算机技术C网络技术D航天技术正确答案：ABC第8题一般认为,现代集成电路科技的进步主要体现在（）。A缩小集成电路元器件结构的尺寸,从而在同样的面积下扩大集成规模、降低功耗B不断优化材料和元器件架构,提高运算速度和通量C发展更多类型的元器件,拓展集成电路的通用化能力D有针对性地开拓更多的应用设计,如类脑计算、认知物联网等正确答案：ABD第9题集成电路发展的物理学基础包括（）。A量子力学B能带理论C金属-半导体接触理论C表面物理正确答案：ABC第10题以下属于集成电路元器件的有（）。A二极管B光子器件C三极管D电容器正确答案：ABCD第11题环境温度降低,半导体晶格（）,禁带宽度（）。A膨胀,减小B膨胀,增加C收缩,减小D收缩,增加第12题对于金刚石结构,每个原子的最近邻均有（）个原子A2B3C4D5第13题半导体锗导带的极小值位于布里渊区（）晶向的（）A<111>,上方B<100>,边界C<111>,边界D<100>,上方第14题对于化学通式为MX的化合物半导体,正离子M空位一般表现为（）杂质,负离子X空位一般表现为（）杂质A施主,受主B施主,施主C受主,受主D受主,施主第15题两种不同半导体接触后,费米能级较高的半导体界面一侧带（）,费米能级较低的半导体界面一侧带（）A正电,正电B正电,负电C负电,正电D负电,负电第16题以下方法哪些可以改善亚阈值泄漏电流（）。A提高电源电压B降低电源电压C提高沟道掺杂浓度D降低沟道掺杂浓度正确答案：BC第17题以下哪些影响是由短沟道效用导致的（）。A漏致势垒降低B热电子注入C亚阈值泄漏电流减小D亚阈值泄漏电流增大正确答案：ABC第18题MOSFET输出特性曲线典型的四个工作区域为（）。A截止区B线性区C饱和区D击穿区正确答案：ABCD第19题典型的场效应晶体管的电极结构包括（）。A栅极B源极C漏极D基极正确答案：ABCD第20题晶体管可以实现（）功能。A电流开关B信号放大C检波D整流和稳压正确答案：ABCD第21题使用应变沟道材料工程技术提高沟道载流子迁移率时,以下哪种（）源漏区外延材料可以提升PMOS工作频率。ASiBSiCCSiGeDGe第22题工艺节点小于100nm后,增强型NMOS器件尺寸缩小,其阈值电压产生影响（）。A增大B减小C不变D随机变化第23题CMOS器件按比例缩小,假设器件的横向和纵向尺寸微缩比例一致,那么要使CMOS器件密度增加一倍,MOSFET沟道长度需要缩小为原来的（）倍。A0.5B0.6C0.7D0.8第24题CMOS中的PMOS制造在（）结构中。Ap-衬底BP阱CN阱Dn-衬底第25题当固定增强型NMOS源漏电压,测试栅极电压与源漏电流关系,该曲线源漏电源等于零与栅极电压交点的最大值叫做晶体管的（）。AVGSBVDSCIDSDVT第26题当超过阈值电压的正电压施加到增强型NMOS栅极上时,沟道中形成（）。A耗尽层B反型层CPN结正偏DPN结反偏第27题在超大规模集成电路中应用最广泛的晶体管器件是（）。ABJTBMOSFETCTFTDJLT第28题场效应晶体管栅极电压对沟道产生（）影响。A注入式B电流式C电容式D磁场式第29题按照输入信号调制沟道内电流的“导通”和“截止”的模式不同,晶体管可以分为两个大族（）。APET和FETBBJT和MOSCIGBT和MOSFETDSOI和FinFET第30题人类历史上实验成功的第一个晶体管器件使用的半导体材料是（）。A硅B锗C砷化镓D磷化铟习题第1题下列哪一项不属于真空度的测量单位。（）AmmHgBTorrCkg/cm2Dmbar第2题下列关于真空的说法中,错误的一项是（）。A真空是指高于一个大气压的气体状态B与大气状态相比,真空中分子的密度较为稀薄C与大气状态相比,真空中分子之间碰撞的概率更低D与大气状态相比,真空中分子的平均自由程更长第3题直到（）工艺节点之前,英特尔和台积电都依然使用193nm浸没式氟化氩(ArF)光刻设备,当工艺节点再降低,便只能使用EUV光刻机了。A7nmB13nmC14nmD16nm第4题光学曝光设备的基本组成不包括（）。A光源系统B真空腔C控制系统D样品台第5题双阱注入工艺中,应该先形成P阱还是N阱?（）AP阱BN阱C顺序没有影响D同时形成第6题以下哪项不是LDD工艺的步骤?（）A利用光刻工艺加工N区注入的图形,其他区域被光刻胶覆盖,然后进行低能量、浅深度、低掺杂的砷离子注入,最后去除光刻胶,形成N型LDD。B利用光刻工艺加工P区注入的图形,其他区域被光刻胶覆盖,再进行低能量、浅深度、低掺杂的氟化硼离子注入,形成P型LDD。C利用光刻工艺加工源漏极区域的图形,其他区域被光刻胶覆盖,然后进行高能量、深深度、高掺杂的砷离子注入,形成源漏极区域。D利用光刻工艺加工栅氧化物区域的图形,进行栅电极的形成。第7题SRAM、DRAM等以2D结构为主的产品,适合采用（）技术。ALPLEBLELECSADPDPFET第8题2018年,台积电通过通过（）和（）,实现了7nm工艺节点。AEUV技术;多重图形技术B浸没式193nm光刻工艺;多重图形技术C浸没式193nm光刻工艺;双重图形技术DEUV技术;双重图形技术第9题以下哪个描述是正确的？（）ASEM可以用于观察物体的微观形貌和成分分析。BSEM的分辨率较低，对样品制备要求较高。CSEM是一种介于TEM和电子显微镜之间的观察设备。DSEM使用光子束来形成图像。第10题EUV光刻机单次曝光的分辨率可达（）。A10nmB5nmC13nmD3nm第11题CMOS工艺的主要步骤包括（）。A在P型硅上使用浅槽隔离(ShallowTrenchIsolation,STI)工艺形成N阱和P阱区域,并对阱区进行选择性注入掺杂;B为NMOS和PMOS生长栅氧化层,形成多阱栅叠层;对多阱栅叠层进行图形化、再氧化、补偿与主隔离,完成NMOS和PMOS的轻掺杂漏(LightlyDopedDrain,LDD)工艺以及源/漏(S/D)掺杂注入工艺;C沉积介质层,通过图形化、刻蚀与钨塞(W-plug)工艺形成金属接触;D对金属接触进行CMP处理。正确答案：ABC第12题FinFet的前段工艺流程主要有（）。A采用SADP技术加工成对的Fin结构,并进一步对栅极下的衬底进行掺杂,形成N阱和P阱,隔离源区和漏区;B对填充于栅极之间的STI介质材料进行回刻处理,充当有源区的隔离氧化层;C采用SiO2、多晶硅栅或HKMG完成栅极的制备;D栅极形成后,紧接着沉积SiO2和Si3N4,并将其作为侧墙,分隔源区和漏区。将外露的源区和漏区作为种子层,进一步进行硅基外延生长,增大源区和漏区的体积。NMOS和PMOS分别外延生长SiC和SiGe应变材料,并进行源区和漏区掺杂。正确答案：ABCD第13题GAA工艺方案,被认为是FinFET之后的下一代晶体管技术。作为一项尚处于研发中的工艺,各厂商的GAAFET技术路线不尽相同,其中,代表性方案有____。A新加坡国立大学的纳米线PFET技术;B三星的MBCFET技术;C台积电提出的DGFET技术;DIBM提出的NanowireFET技术;正确答案：ABD第14题双重图形技术的优点包括（）。A降低工艺难度B应用范围广泛C实用性很强D减少光刻时间正确答案：ABC第15题目前主流的环栅场效应晶体管工艺主要包括？（）A纳米线技术B板片状结构多路桥接鳍片C六角形截面纳米线技术D纳米环技术正确答案：ABCD第16题双重图形技术的实现工艺包括。（）ALELE工艺BPFET技术CSADP技术DLPLE工艺正确答案：ACD第17题以下哪些属于Xtacking技术的子技术?（）A混合键合技术;B多晶圆堆叠技术;C晶圆减薄技术;D打孔栓塞技术正确答案：ABC习题第1题在下列逻辑电路中,不是组合逻辑电路的是?()A译码器B编码器C全加器D寄存器第2题同步时序逻辑电路和异步时序逻辑电路比较,其差别在于后者（）。A没有触发器B没有统一的时钟脉冲控制C没有稳定状态D输出只与内部状态有关第3题以下哪项不是CPU的制造商?（）AIntelBAMDCNVIDIADApple第4题CPU的制造工艺越小,功耗越低,性能越好,这种说法是否正确?（）A正确B错误第5题什么是SoC?（）A一种用于存储大量数据的硬件设备B一种集成了多个计算机组件的芯片C一种专门用于加密和解密数据的芯片D一种用于传输数据的设备第6题SoC的主要优势是什么?（）A集成度高,可减少硬件占用空间B性能高,可以支持复杂的计算任务C功耗低,可以延长电池续航时间D扩展性强,可以支持外部设备连接第7题MOSFET是一个()端口器件。A2B3C4D5第8题MOSFET是一种()器件。A电压控制电流B电压控制电压C电流控制电压D电流控制电流第9题理想情况下,运算放大器的共模抑制比应该为()。A0B1C无穷大D100第10题在3位闪速型ADC中,7个比较器直接输出的码值的编码格式为()A格雷码B二进制码C温度计码D独热码第11题通过多个ADC并行工作以提高ADC转换速率的ADC类型为()A时间交织型B、流水线型B两步闪速型D、逐次逼近型第12题毫米波是()的指定频率。A4GB5GCWiFiDUWB第13题UWB的基本原理是()。A扩频通信B窄带通信C调频通信D分频复用第14题UWB的应用领域包括()。A全球定位B建立局域网C建立广域网D通感一体化第15题从应用场景来看,深度学习处理器芯片可以处理以下哪些类别?（）A视频图像类B声音语言类C文本处理类D控制处理类正确答案：ABCD第16题以下哪些类型的新型存储器件可用于实现脉冲神经突触和神经元?（）ARRAMBMRAMCPCMDReRAM正确答案：ABCD第17题静态互补CMOS逻辑是由（）组成的。APUNBPDNC负载RLD求值晶体管VFe正确答案：AB习题第1题以下哪个名词与电子设计自动化技术无关?()ACADBCAECAutoCADDEDA第2题电子设计自动化技术的发展不包括以下哪个阶段?(

)A自动化B小型化C全自动化D智能化第3题下列哪个行业一般不会用到电子设计自动化软件?()A通信B电力C人工智能D土木工程第4题以下哪个EDA软件公司是中国的公司?()ACadenceBEmpyreanCSynopsisDMentor第5题截至2018年,三大巨头公司占据超过（）的全球市场份额,超过（）的国内市场份额。A50%;90%B60%;90%C60%;80%D50%;80%第6题以下哪种布线方式是正确的?()A电源、地线要尽量放在一起,以免增加布线难度B需要尽量增加拐弯和长连线,防止连线交叠串扰C信号线间长距离平行有助于简化布线和排查错误D存在对称关系的信号,在布线时要尽量保持对称第7题对于人工布线的方式,下列说法错误的是()。A根据器件形状定制化摆放方式B效率更高,耗时较少C根据器件特性选择最优参数D自由选择模块组合方式第8题关于LVS,下列说法错误的是()。A主要检查电气连接关系B对比版图和原理图是否一致C对应描述器件连接关系的文件进行检查D主要检查寄生参数是否合规第9题以下属于寄生参数提取文件内容的是()。A各金属层的定义B计算有效元器件的寄生电容和寄生电阻C检查版图中电气连接关系是否和电路图一致D检查金属密度是否合规第10题数字电路的逻辑设计通常采用哪种模型来描述?()AATPG模型BDFT模型CSTA模型DRTL模型第11题以下成为IEEE标准的硬件描述语言包括:()AChiselBVerilogHDLCVHDLDSystemC正确答案：BC第12题超大规模集成电路通常由哪几个阶段完成自动布线?()A轨道分配(轨道布线)B详细布线C总体布线D人工布线正确答案：ABC第13题以下哪些算法(模型)可以用于完成超大规模集成电路布局任务?()A迷宫算法B模拟退火算法C线探索法D二次规划模型正确答案：BD习题第1题以下哪种因素是在MEMS传感器设计实践中不需要考虑的?()A尺度效应B微观力学C静电致动D时序约束第2题根据尺度效应,随着特征尺寸L的减小,与表面积相关的力学特性的作用（）,与体积相关的力学特性的作用（）。A增大;减小B增大;增大C减小;减小D减小;增大第3题在MEMS流体力学中,常用（）来表征物体在某一特定流体介质中的不同流动特性和热传递特性A动力粘度B运动粘度C雷诺数D泊松比第4题MEMS传感器的设计必须从（）出发确定传感器的目标需求和性能指标A材料角度B结构角度C.工艺角度C系统角度第5题MEMS传感器的设计不强调以下哪个方面?()A功能化B集成化C整体性D局域化第6题有限元分析是当前工程技术领域中最常用、最有效的数