CN119422244A 半导体装置的评价方法、半导体装置的制造方法以及半导体装置 （三菱电机株式会社）

2024.12.23PCT/JP2022/0263372022.06.30WO2024/004157JA2024.01.04板(1)的表面设置有传送线路(2)且在基板(1)的表面安装半导体芯片(5)和表面安装部件(7a~7d)并通过传送线路(2)进行了相互连接的半导盖(9)具有设置在与半导体芯片(5)对应的部分的第一凹部(10)、和设置在与表面安装部件(7a半导体芯片(5)收纳于第一凹部(10)，并且将表面安装部件(7a～7d)收纳于第二凹部(11)的方式对准树脂盖(9)，在利用按压夹具(12)将树脂盖(9)按压在传送线路(2)的状态下进行半导体2准备树脂盖的工序，所述树脂盖具有设置在与所述半导体芯片对应的部分的第一凹在所述基板的表面安装半导体芯片和表面安装部件并通过所述传送线路相互连接的准备树脂盖的工序，所述树脂盖具有设置在与所述半导体芯片对应的部分的第一凹还具备在进行所述评价之后通过相对介电常数为3～4的模塑树脂密封所述传送线路、还具备在进行所述评价之后将所述树脂盖粘合于所述所述阻焊剂具有相对介电常数为4.5以上的抗蚀所述阻焊剂是相对介电常数为3～4的抗蚀剂和所述相对介电常数为4.5以上的抗蚀剂34[0002]在面向移动电话终端或移动基站的微波集成电路模块、特别是功率放大器模块中，在多层基板上安装以GaAs或GaN为代表的化合物半导体芯片和多个表面安装部件特别是在工作频率为几GHz以下的微波集成模块中，不是将电感或电容元件全部集成在半而能够进行RF特性的微调。[0003]在将半导体芯片和表面安装部件安装到L/S/C带(约1～6GHz)的多层基板上的功性的微调。[0005]在以第五代移动通信系统(5G)为首的基站用功率放大器模块等的GHz频带下工作[0006]非专利文献1：IEEETRANSACTIONSONMICROWAVETHEORYANDTECHNIQUES，5板的表面安装半导体芯片和表面安装部件并通过上述传送线路进行了相互连接的半导体6与半导体芯片5的输出侧的传送线路2并联连接，表面安装部件7d与输出侧的传送线路2串[0028]以电路图案的保护为目的，在传送线路2之上层叠有厚度为几十μm左右的阻焊剂[0030]以将半导体芯片5及引线6收纳于第一凹部10并且将表面安装部件7a～7d收纳于认第一凹部10及第二凹部11。收纳于第一凹部10及第二凹部11的半导体芯片5及表面安装[0031]使第一凹部10的开口尺寸在一侧比半导体芯片5及引线6的形成区域大0.2mm左右，以使得树脂盖9不与引线6接触。在表面安装部件7a～7d是被称为0603的纵0.6mm712将树脂盖9按压在传送线路2的状态下检查半导体装置的RF特性。树脂盖9的相对介电常装部件7a～7d也能作为对准引导件来利用，从而能够以高的对准精度使树脂盖9覆盖多层[0036]图6是表示实施方式1所涉及的半导体装置的变形例的剖视图。将树脂盖9按压在1的除了半导体芯片5、引线6以及表面安装部件7a～7d的周围几百μm左右的部位之外的表8[0044]此外，由于除传送线路2以外的部分也根据模塑树脂13有无涂覆而存在些许的变