CN119433681A 一种提升单晶拉速的方法 （内蒙古中环晶体材料有限公司）_第1页
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文档简介

23450.02mm/s的速度再下降20mm。单晶的平均拉速为1.60mm/min，与对比例相比，拉速提升步，单晶拉制1300mm后，水冷内导2以1mm/s的速度持续下降。单晶的平均拉速为1.67mm/[0036]以上对本发明的实施例进行了详细说明，但所述内容仅不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，6

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