CN119433684A 一种碳化硅单晶生长方法和坩埚 （苏州清研半导体科技有限公司）_第1页
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东方大道268号中科半导体产业社区A2度的差值为0℃~5℃中的任一值。7.一种用于实现权利要求1_6中任一项所述的碳化硅单晶生长方法的坩埚，其特征在3所述长晶熔体液面处具有温度低于所述加热温度4[0018]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚5便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、67[0047]S4、将若干离轴碳化硅籽晶102置入坩埚，使籽晶102与长晶熔体101的低温区接1822℃,在内传感器和外传感器显示温度到达1822℃后降低加热功率并通过控制器进行控8通过外部动力设备带动坩埚以70rpm的转速沿中轴旋转，形成方向为逆时针方向的搬运液102的台阶方向与接触的流体方向相反。与各籽晶102接触的长晶熔体101的流动速度大小达内环壁11后沿着内环壁11的内壁向下运输并经过坩埚底部运回外环9

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