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文档简介

本申请提供了一种半导体结构及其制备方通过在同一机台中采用第一沉积工艺在基底上2位于所述硬质掩膜层上的至少一层抗反射层4.如权利要求1_3中任意一项所述的半导体结构，其特征在于，所述硬质掩膜层的厚其中，所述第一含氮气体、所述第二含氮气体和所3在高温条件下采用常压化学气相沉积(AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition，APCVD)工艺沉积一层缓冲层；然后采用低压力化学气相沉积(LowPressure45类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件[0035]示例性的，如图1所示，现有技术中一般是在高温条件下采用常压化学气相沉积(AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition，APCVD)工艺在位于基底10上沉积一层缓冲层20。示例性的，如图2所示，然后在高温条件下采用低压力化学气相沉积(Low层硬质掩膜层30。示例性的，如图3所示，之后在高温条件下采用等离子化学气相沉积组成元素，且至少一层抗反射层40中氮元素的含量与缓冲层20中氮元素的含量相同或不6[0049]在本申请一些实施例中，在硬质掩膜层30上形成有多层抗反射层(例如图中的量与抗反射层的氮元素的含量不同，例如硬质掩膜层的氮元素的含量为40抗反射层的素的含量为40多层抗反射层中的至少一层抗反射层的氮元素的含量为7如图9所示，缓冲层20和或抗反射层40的氮元素的含量使其产生的薄膜应力为压应力应力可以相互抵消，所以膜层不会因为应力问题产生剥离，从而也不会产生颗粒[0071]预处理阶段，控制反应腔室内的温度保持在700℃_900℃之间，压强保持在8[0072]示例性的，基底的材料包括：硅、锗或者绝缘体上硅(Silicon_On_Insulator，[0076]第一阶段，控制反应腔室内的温度保持在700℃_900℃之间，压强保持在氮(N2O)气体和氨气(NH3)的组成比例，其中，一氧化二氮(N2O)气体所占的比例[0080]示例性的，第一沉积工艺可以包括：低压力化学气相沉积(LowPressure[0082]第三阶段，控制反应腔室内的温度保持在700℃_900℃之间，压强保持在表示通过计算氮化硅(Si3N4)化学组成得出的氮化硅(Si3N4)中的氮元素的含量。氮化硅93N4)是符合分子式的标准化学计量系数的材[0086]第五阶段，控制反应腔室内的温度保持在700℃_900℃之间，压强保持在0.20Torr_0.50Torr之间，向反应腔室内通入第二流量比的一氧化二氮(N2O)气体和氨气氮(N2O)气体和氨气(NH3)的组成比例，其中，一氧化二氮(N2O)气体所占的比例[0090]第七阶段，控制反应腔室内的温度保持在700℃_900℃之间，压强保持在0.20Torr_0.50Torr之间，向反应腔室内通入第二流量比的一氧化二氮(N2O)气体和氨气氮(N2O)气体和氨气(NH3)的组成比例，其中，一氧化二氮(N2O)气体所占的比例

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