CN119451561A Mim电容器及其制造方法 （上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司）

本发明提供了一种MIM电容器及其制造方间的第二开口引出第二电极以与金属焊盘电连2依次形成第一电极材料层、第一介质材料层及第二电盖所述沟槽及其周围的绝缘层以形成MIM电容，所述第一电极利用所述沟槽与所述第一金在所述第二介质层中形成第一开口暴露所述第二电形成第二金属线利用所述第一开口及所述第二开口电连接所述第二电极与所述金属2.根据权利要求1所述的MIM电容器的制造方法3.根据权利要求2所述的MIM电容器的制造方利用所述第二掩模，执行第二刻蚀工艺依次蚀刻所述第二电极材形成第二掩模覆盖所述沟槽及其周围绝缘层上的第二电极材利用所述第二掩模，执行第二刻蚀工艺依次蚀刻所述第二电极材6.根据权利要求1所述的MIM电容器的制造方法，形成第三掩模覆盖所述第二介质层的表面，并暴露至少部分所述沟槽3形成第四掩模覆盖所述第二介质层的表面，并暴利用所述第四掩模执行第四刻蚀工艺依次蚀8.根据权利要求1所述的MIM电容器的形成第五掩模覆盖所述第一开口、所述第二开口利用所述第五掩模执行第五刻蚀工艺去除暴露的金9.根据权利要求1所述的MIM电容器的制造方法，其第一金属线及金属焊盘，所述第一金属线设于所绝缘层，覆盖所述第一金属线及所述金属焊盘，所述绝缘4使得具有MIM电容结构的半导体器件的生产效率低。括上电极和下电极)，再多次打开(多次光刻刻蚀)介质层以形成若干开口分别暴露沟槽电[0005]本发明的目的在于提供一种MIM电容器及其制造方法，用以优化MIM电容的形成、极覆盖所述沟槽及其周围的绝缘层以形成MIM电容，所述第一电极利用所述沟槽与所述第[0012]形成第二金属线利用所述第一开口及所述第二开口电连接所述第二电极与所述[0016]对所述绝缘层及所述介质阻挡层执行第一刻蚀工艺，利用所述开口形成所述沟56金属焊盘上的第二开口暴露金属焊盘及设于沟槽之间的第二电极上方的第一开口暴露第二电极将金属焊盘和第二电极引出并电连接，使得本实施例仅需要五次光刻工艺(五个光[0049]图2a～图2h为实施例一提供的MIM电容器的制造方法的相应步骤对应的结构示意[0050]图3a～图3c为实施例二提供的MIM电容器的制造方法的相应步骤对应的结构示意7一电极覆盖所述沟槽及其周围的绝缘层以形成MIM电容，所述第一电极利用所述沟槽与所[0064]S06：形成第二金属线利用所述第一开口及所述第二开口电连接所述第二电极与[0065]图2a～图2f为本实施提供的MIM电容器的制造方法的相应步骤对应的结构示意焊盘12可为外围区BB的互连层中与第一金属线11同层布置的金属布线，用于与MIM沟槽电89第二介质层35及绝缘层22中形成第二开介质层35及绝缘层22中形成第二开口36b暴露金属焊盘12，再在第二介质层35中形成第一金属焊盘12及设于沟槽23之间的第二电极33a上方的第一开口36a暴露第二电极33a将金属焊盘12和第二电极33a引出并电连接，使得本实施例仅需要五次光刻工艺(五个光罩)即可一电极覆盖所述沟槽及其周围的绝缘层以形成MIM电容，所述第一电极利用所述沟槽与所[0095]S06：形成第二金属线利用所述第一开口及所述第二开口电连接所述第二电极与[0096]实施例二提供的MIM电容器的制造方法与实施例一提供的方法类似，其差异主要[0098]请参照图3b，形成第二掩模覆盖沟槽23及其周围绝缘层22上的第二电极材料层至少两个第一电极31a、至少两个第一介质层32a及至少两个第二电极33a以形成至少两个容值的一个沟槽电容，采用至少两个并联的沟槽电容可具有更低的寄生电感等性能优势，填充沟槽23，沟槽23之间的第二介质层35设有第一开口36a贯穿第二介质层35以暴露沟槽金属焊盘上的第二开口暴露金属焊盘及设于沟槽之间的第二电极上方的第一开口暴露第二电极将金属焊盘和第二电极引出并电连接，使得本实施例仅需要五次光刻工艺(五个光